WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管(MOSFET)。它采用先進的溝槽技術和設計,具有出色的RDS(ON)(導通電阻)和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現出色,尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。
WPM2015xx的主要特點包括:
1:穩定的走電電壓和出色的導電電阻,這有助于在電子設備中實現高效、穩定的性能。
2:適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用,這些應用需要精確控制電流和電壓。
3:采用無鉛、無鹵的環保封裝,符合現代電子產品的環保要求。
4:具有超高密度電池設計,適用于需要高效率和高穩定性的電池管理系統。
5:極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發揮出色的性能。
在實際應用中,WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓,WPM2015xx可以實現對電流的精確調節,從而實現對電機等設備的控制。
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BL1551B是一款模擬開關,具體地說:它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲(SPDT)模擬開關。這種開關特別適用于數據和音頻信號的切換。
以下是BL1551B的主要特性和優勢:
高帶寬:BL1551B具有高達350MHz的帶寬,這使得它能夠處理高速信號切換,滿足許多高速應用的需求。
低導通電阻:在5V工作電壓下,其導通電阻為2.7Ω,這有助于減少信號在開關過程中的損失,保證信號的完整性。
高效的隔離度:在1MHz的頻率下,BL1551B的隔離度達到-84dB,這意味著在開關處于關閉狀態時,信號泄漏非常小,從而確保了良好的信號隔離效果。
寬工作電壓范圍:BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V,這意味著它可以在多種不同的電壓環境下工作,為設計者提供了更大的靈活性。
此外,BL1551B的封裝類型為SC-70-6,這有助于實現緊湊的電路設計和高效的熱性能。在實際應用中,BL1551B可廣泛應用于移動電話、便攜式電子設備等領域。其出色的性能參數和廣泛的應用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。
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WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關,專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以至小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應用中,無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標準產品為無鉛和無鹵素。
特性:
· 電源電壓:1.5~5.5V
· 導通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB
· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz
· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB
· 低靜態電流:<1uA
· 先斷后合功能ESD保護:HBM為±8000V,MM為±600V
應用領域:
· 手機
· MID(移動互聯網設備)
· 其他便攜式設備
WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設備。其優異的性能和多種保護功能使其成為現代電子設備中的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。
WD3168:5V/300mA開關電容電壓轉換器,它能夠從一個非穩壓輸入電壓中產生一個穩定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下,它也能維持5V的穩壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當負載電流在典型條件下低于4mA時,WD3168會進入跳模模式,此時其靜態電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產生輸出電壓,從而節省PCB空間。
此外,其軟啟動功能在開機和電源瞬態狀態下會限制涌入電流。WD3168內置了電流限制保護功能,適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應用。SOT-23-6L封裝,并在-40℃至+85℃的環境溫度范圍內工作。
其主要特性包括:
1、 輸出電流為300mA
2、寬輸入電壓范圍:2.7V至5.5V
3、固定輸出電壓為5.0V
4、雙倍電荷泵
5、較小外部元件:無需電感器
6、高頻操作:1.7MHz
7、自動軟啟動限制涌入電流
8、低紋波和EMI
9、過熱和過流保護
10、無負載條件下典型靜態電流為170uA(跳模模式)
其應用領域包括:
1、3V至5V的升壓轉換
2、USBOn-The-Go或HDMI5V供電
3、從較低軌道提供的本地5V供電
4、電池備份系統
5、手持便攜式設備
WD3168是一種效率高、可靠的電源IC,適用于各種需要5V穩定輸出的應用場景。如需更詳細的信息或產品規格書請聯系我們。 ESD5Z5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOD-523。
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器
產品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,ESD73034D可用于提供高達±10kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。
產品特性
截止電壓:±3.3VMax
根據IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態保護:±10kV(接觸放電)
根據IEC61000-4-4(EFT)的瞬態保護:40A(5/50ns)
根據IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態保護:5.5A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.2pFtyp
低漏電流
低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固態硅技術
應用領域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便攜式電子設備
筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器,保護敏感元件免受靜電放電損害,適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備,緊湊且環保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-563。規格書WILLSEMI韋爾ESD73051N
WNM3003-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-23。規格書WILLSEMI韋爾WAS4783C
WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲(DPDT)CMOS模擬開關,可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產品中切換高速USB2.0信號而設計,如手機、數碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離,并與各種標準兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每個開關都是雙向的,對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(480Mbps)并保持信號完整性。
特性:
D+/D-上的特殊電路設計,使設備能夠承受VBUS短路到D+或D-,無論USB設備是關閉還是開啟。
SEL/OE引腳具有過壓保護,允許電壓高于VCC,高達7.0V存在于引腳上,而不會損壞或中斷部件的操作,無論工作電壓如何。
還具有智能電路,用于至小化VCC泄漏電流,即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說,在實際應用中,無需額外設備將SEL/OE電平與VCC電平相同。
應用:
· 手機
· MID(移動設備)
· 路由器
· 其他電子設備
WAS7227Q是專為高速USB2.0設計的穩定、高效CMOS開關,適用于手持和消費電子產品,確保數據傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性,環保封裝易集成。是高速數據傳輸的理想選擇。詳情請查數據手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾WAS4783C
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