WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

    WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用了先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電應(yīng)用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET，專為高電流應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。同時，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產(chǎn)品，還符合環(huán)保要求。無論是用于驅(qū)動繼電器、電磁閥、電機還是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM3021-8/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOP-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM04328DN

ESD56151Wxx：電源保護新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，為電路提供強大的浪涌保護，同時遵循IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，提供±30kV的ESD保護。 

     ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設(shè)計，能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi)，減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應(yīng)用場景，如便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護電源接口，提高設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性，延長使用壽命，降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持，請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7040DTFN0-8/TRWL2836D25-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中，WS72551是單放大器，WS72552是雙放大器，分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度，并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍（-40°C至+125°C）。封裝72551：MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8  SOIC8。

    技術(shù)特性：偏移電壓只有3μV，漂移為0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應(yīng)用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設(shè)備和應(yīng)變計放大器在其工作溫度范圍內(nèi)幾乎無漂移，因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側(cè)和低側(cè)感測都變得容易。

應(yīng)用領(lǐng)域：

溫度傳感器

壓力傳感器

精密電流感測

應(yīng)變計放大器

醫(yī)療儀器

熱電偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性，適用于溫度、壓力、電流感測等多種應(yīng)用，為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備，緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 SPD9105W-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-323。

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯誤條件下的穩(wěn)定性，并采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準(zhǔn)確的電壓輸出。緊湊環(huán)保，易于集成，適用于多種電子設(shè)備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD5B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-523。中文資料WILLSEMI韋爾WPM4803

WL2803K33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-89-5。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM04328DN

WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應(yīng)晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM04328DN

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