ESD73011N：單線、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用來保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD73011N包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態保護：±20kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用領域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數據傳輸和嚴格ESD防護的應用提供了出色的保護。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系制造商。 WL2803E30-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。規格書WILLSEMI韋爾WL2851K

ESD9B5VL：單線雙向瞬態電壓抑制器

產品描述

     ESD9B5VL是一個雙向瞬態電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數據線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準，ESD9B5VL可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據IEC61000-4-5標準承受高達3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

· 反向截止電壓：±5VMax

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路

· 瞬態保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態保護：20A（5/50ns）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：3A（8/20μs）

· 電容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用領域

· 手機

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設備

· 網絡通信設備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態電壓抑制器，保護電子設備免受靜電放電等瞬態事件影響。適用于手機、平板等便攜式設備，保護敏感電子組件。高保護能力、低泄漏和低箝位電壓，穩定可靠。詳情請查閱數據手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾ESD56181W20ESD56301D05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2L。

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管，專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號，進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器，其中高效率的電源開關是至關重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環保法規日益嚴格的市場中具有廣的適用性。總之，WNM2020是一款高性能、高效率且環保的N溝道增強型MOS場效應晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

技術特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs

· 根據IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態硅技術

應用領域：

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護，其緊湊的封裝和環保特性使其成為便攜式電子產品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2851E33-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態電壓抑制器

      產品描述：ESD5305F是一款專為保護高速數據接口設計的低電容瞬態電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5305F結合了四對低電容轉向二極管和一個TVS二極管，以提供各方面的瞬態保護。封裝與環保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無鉛和無鹵素環保要求。

產品特性：

反向截止電壓：5V

根據IEC61000-4-2標準，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

根據IEC61000-4-5標準，可承受高達6A（8/20μs）的峰值脈沖電流

低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮動狀態）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固態硅技術

應用領域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產品

筆記本電腦

關于ESD5305F 如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2836D25-4/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD54105E

WPM2031-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-723。規格書WILLSEMI韋爾WL2851K

WAS4729QB：低導通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關，具有負擺幅音頻功能

產品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關，具有負擺幅音頻功能，其典型導通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內工作，并設計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應用中，無需額外的設備來將控制電平調整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關斷隔離度：-81dB@1KHz

串擾抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應用領域

手機、PDA、數碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關，專為移動設備設計，適合音頻和視頻信號路由，性能優越可靠。詳情請查閱數據手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾WL2851K