WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩壓器（LDO）。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網絡應用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統在錯誤條件下的穩定性，并采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。WL2803E穩壓器采用SOT-23-5L封裝，為標準無鉛且無鹵素產品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態電流：典型值為150μA

應用領域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準確的電壓輸出。緊湊環保，易于集成，適用于多種電子設備。提供穩定電源輸出。詳情查閱手冊或聯系我們。 ESDA6V8AV5-5/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-553。中文資料WILLSEMI韋爾WPM2005B

     SD5302F是一款專為保護高速數據接口設計的極低電容TVS（瞬態電壓抑制器）陣列。它特別設計用于保護連接到數據線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

主要特性：

· 截止電壓：5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）標準的瞬態保護：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）標準的瞬態保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用領域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護高速數據接口免受靜電放電等損害，確保信號完整性，承受力強。適合緊湊設備，環保。是高速數據接口的理想保護組件。詳情查閱手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2855KESD9D5U-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-923。

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現優異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩定的性能，減少了維護和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現出色，如某些電子設備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現代環保標準。隨著全球對環保意識的日益增強，無鉛器件已成為許多行業的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環保要求。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

     ESD5451X是一款雙向瞬態電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數據線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準，ESD5451X可提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據IEC61000-4-5標準承受高達8A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛、無鹵素。

特點：

· 反向截止電壓：±5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態保護：±30kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）

· 電容：CJ=17.5pFtyp

· 低漏電流：IR<1nAtyp

· 低鉗位電壓：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用：

· 手機

· 平板

· 電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設備

· 網絡通信設備

     ESD5451X是高性能瞬態電壓抑制器，保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬態和雷電等過應力影響。適用于手機、平板、筆記本等便攜式設備，雙向保護，應對極端電氣環境。低漏電流、低鉗位電壓，不影響設備正常工作。固態硅技術，穩定可靠。各方面保護現代電子設備，消費者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊或聯系我們。 ESD5451NL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產品描述：

    WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1481為無鉛產品。小型DFN2*2-6L封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電應用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET，專為高電流應用而設計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。同時，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應用中也能發揮出色。WPM1481作為無鉛產品，還符合環保要求。無論是用于驅動繼電器、電磁閥、電機還是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2805N33-3/TR 線性穩壓器（LDO）封裝：SOT-23-3L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5411N

WL2851E33-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM2005B

WS4603E：可調電流限制、電源分配開關 

描述

   WS4603E是一款具有高側開關和低導通電阻P-MOSFET的開關。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4603E還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產品無鉛且不含鹵素。

特性

1、輸入電壓范圍：2.5~5.5V

2、主開關RON：80mΩ@VIN=5V

3、調整電流限制范圍：0.4~2A（典型值）

4、電流限制精度：±20%

5、自動放電

6、反向阻斷（無“體二極管”）

7、過溫保護

應用

· USB外設

· USB Dongle

· USB 3G數據卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于WS4603E的進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優異的產品和服務。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM2005B