WPM1483是一個單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1483為無鉛、無鹵素。

特性：

溝槽技術

超高密度單元設計

優異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應用：

繼電器、螺線管、電機、LED等的驅動器

DC-DC轉換器電路

電源開關

負載開關

充電應用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進溝槽技術，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應用。可承受-5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無鉛無鹵素，環保且易于集成。適用于DC-DC轉換、電源開關，驅動繼電器、電機等應用。詳情查閱手冊或聯系我們。 WL2803E30-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。規格書WILLSEMI韋爾ESD53101N

ESD5301N：低電容單線單向瞬態電壓抑制器

產品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應力影響。

      包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態保護：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態硅技術

應用領域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2831DWS74199B-6/TR 電流感應放大器 封裝：SOT-363。

    WPM3407是一款使用先進溝槽技術制成的器件，其特點是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉換應用。

特點：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在導通狀態下的電阻，3407通過先進的溝槽技術實現了低RDS(ON)，這意味著在器件導通時，其電阻較小，從而減小了能量損失。低門極電荷：門極電荷是描述開關器件從關閉到打開或從打開到關閉所需電荷量的參數。3407的低門極電荷可以更快地開關，從而減少開關損耗。無鉛：符合環保要求，適用于對無鉛產品有需求的場合。

應用：

    筆記本電腦的電源管理：3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉換器，以提供穩定的電源。

    便攜式設備：由于它的快速開關和低能量損失，3407也適用于各種便攜式設備，如智能手機、平板電腦等。

    電池供電系統：在電池供電的應用中，減少能量損失和延長電池壽命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低門極電荷特性使其成為電池供電系統的理想選擇。

    DC/DC轉換器：這是3407的主要應用之一，用于將一種直流電壓轉換為另一種直流電壓。

    負載開關：3407可以用于控制電路的通斷，實現負載開關的功能。

    如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

    ESD9X5VU是一種單向瞬態電壓抑制器（TVS），專為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子組件提供高水平的保護。它被設計用于替代多層變阻器（MLV），并廣泛應用于消費設備，如手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、LCD電視等。

特性：

· 極低電容：CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態硅技術

· 根據IEC61000-4-2標準，每條線提供±20kV（接觸和空氣放電）的瞬態保護

· 根據IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據IEC61000-4-5標準，可承受4A（8/20μs）的浪涌電流

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護，使其免受靜電放電的損害。與傳統的多層變阻器相比，ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流，以及更低的箝位電壓，從而提供了更好的性能。此外，其固態硅技術確保了高效、可靠的電源保護。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口，ESD9X5VU都能為現代電子設備提供堅實的ESD防護屏障。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD9B5VDA-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-923。

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩定電流處理的電路中表現出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關閉或待機狀態下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應用中使用，如便攜式設備和小型電路板。

應用領域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中，它能夠將交流信號轉換為直流信號，這對于許多電子設備來說都是至關重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WPM2015-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。中文資料WILLSEMI韋爾WL2862K

WL2836E08-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。規格書WILLSEMI韋爾ESD53101N

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器

產品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態保護：±10kV（接觸放電）

根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態保護：40A（5/50ns）

根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態硅技術

應用領域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備，緊湊且環保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾ESD53101N