WL2815低功耗CMOSLDO（低壓差線性穩壓器）

產品描述：

     WL2815系列是一款低壓差線性穩壓器，專為電池供電系統提供高性能解決方案，以實現低靜態電流。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設計用于使用低成本陶瓷電容器，確保輸出電流的穩定性，提高效率，從而延長這些便攜式設備的電池壽命。WL2815穩壓器采用DFN1x1-4L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

靜態電流：1.5μA（典型值）

輸入電壓：2.1V~5.5V

輸出電壓：1.1V~3.3V

輸出電流：@VOUT=3.3V時為300mA

輸出電流：@VOUT=2.0V時為200mA

輸出電流：@VOUT=1.5V時為150mA

壓差電壓：@100mA時為100mV

推薦電容器：1uF或更大

工作溫度：-40°C至+85°C

輸出短路保護

應用領域：

MP3/MP4播放器

手機

藍牙耳機

無線鼠標

其他電子設備

    WL2815是專為便攜式設備設計的低功耗CMOS穩壓器，性能優異，低靜態電流，高效能，延長電池壽命。優化設計，使用低成本陶瓷電容器，在多種應用中提供穩定輸出。適用于MP3/MP4播放器、手機、藍牙耳機等。緊湊封裝，符合環保標準，是現代電子設備的理想選擇。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 ESD54191CZ-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DWN0603-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56161D30

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護的瞬態電壓抑制器

產品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護水平。對于正瞬態，這些設備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對于負瞬態，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過了IEC61000-4-2國際標準的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規格，該設備為大于±16kV的接觸放電提供了保護。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為5伏特。

規格特性：

· 工作峰值反向電壓：5V

· 低漏電流：<1uA@3V

· 高ESD保護水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四級ESD保護

· IEC61000-4-4四級EFT保護

· 五種單獨的單向配置

機械特性：

· 無空洞、轉移模制、熱固性塑料外殼

· 耐腐蝕表面，易于焊接

應用領域：

· 手機和配件

· 個人數字助理（PDA）

· 筆記本電腦、臺式機和服務器

· 便攜式儀器

· 數碼相機

· 外設MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五線路ESD保護器，保護電子組件免受靜電放電影響。具有強ESD保護和低漏電流，能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標準，適用于手機、筆記本等便攜式設備。詳情查閱手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56161D04WS4518D-6/TR 電池管理 封裝：WDFN-6-EP(2x2)。

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩壓器，具有極低的壓降、低靜態電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網絡應用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統的穩定性。同時，采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

應用：

· LCD電視

· 機頂盒（STB）

· 計算機、圖形卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列CMOSLDO為現代電子設備提供穩定電源，具有極

低壓降、低靜態電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調技術滿足各種應用需求，適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設備。緊湊封裝和環保設計使其易于集成。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管，專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號，進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器，其中高效率的電源開關是至關重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環保法規日益嚴格的市場中具有廣的適用性。總之，WNM2020是一款高性能、高效率且環保的N溝道增強型MOS場效應晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD5681N07-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：X1-DFN1006-2。

     WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 適用于高直流電流的優異導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動

· DC-DC轉換器電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電電路

    WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件，專為現代電子設備中的電源管理和開關應用而設計。其采用先進的溝槽技術和電荷控制設計，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設計使其在高直流電流下仍能保持優異的導通電阻，確保了高效的能量轉換和散熱。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關響應和穩定的性能。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD9X5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD） 封裝：FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾WS72358B

WUSB3801Q-12/TR USB芯片 封裝：QFN1616-12L(1.6x1.6)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56161D30

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩定電流處理的電路中表現出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關閉或待機狀態下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應用中使用，如便攜式設備和小型電路板。

應用領域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中，它能夠將交流信號轉換為直流信號，這對于許多電子設備來說都是至關重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56161D30