ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器

產品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態保護：±10kV（接觸放電）

根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態保護：40A（5/50ns）

根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態硅技術

應用領域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備，緊湊且環保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 WAS3157B-6/TR 模擬開關/多路復用器 封裝：SOT-363。規格書WILLSEMI韋爾WPM2087

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受瞬態電壓的侵害而設計。在現代電子設備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態事件，電路中的敏感組件經常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現，為這些設備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態事件發生時迅速響應，將電壓限制在安全范圍內，從而保護電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸的準確性和穩定性。 其緊湊的封裝設計使得它非常適合用于各種電子設備中，如通信設備、計算機、醫療設備和消費電子產品等。無論是對于工業應用還是日常消費應用，WL2805N33-3/TR都能提供優異的瞬態電壓保護，確保設備的穩定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優異的產品和服務。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持，請隨時聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾WCL120N10SESD54231N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

ESD73011N：單線、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用來保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD73011N包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態保護：±20kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用領域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數據傳輸和嚴格ESD防護的應用提供了出色的保護。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系制造商。

ESD5451N：雙向瞬態電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數據線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備，以及網絡通信設備等。其出色的瞬態電壓抑制能力和穩定性，為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優異的產品和服務。 ESD5311X-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：WBFBP-02C-C。

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產品，符合環保要求。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WNMD2171-4/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：CSP-4L。規格書WILLSEMI韋爾ESD56101D15

WNM3003-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。規格書WILLSEMI韋爾WPM2087

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

技術特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs

· 根據IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態硅技術

應用領域：

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護，其緊湊的封裝和環保特性使其成為便攜式電子產品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾WPM2087