SD5302F是一款專為保護高速數據接口設計的極低電容TVS（瞬態電壓抑制器）陣列。它特別設計用于保護連接到數據線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可用于提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

主要特性：

· 截止電壓：5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標準的瞬態保護：±20kV（接觸和空氣放電）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）標準的瞬態保護：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）標準的瞬態保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用領域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護高速數據接口免受靜電放電等損害，確保信號完整性，承受力強。適合緊湊設備，環保。是高速數據接口的理想保護組件。詳情查閱手冊或聯系我們。 ESD5611N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態電壓抑制器

      產品描述：ESD5305F是一款專為保護高速數據接口設計的低電容瞬態電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5305F結合了四對低電容轉向二極管和一個TVS二極管，以提供各方面的瞬態保護。封裝與環保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無鉛和無鹵素環保要求。

產品特性：

反向截止電壓：5V

根據IEC61000-4-2標準，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

根據IEC61000-4-5標準，可承受高達6A（8/20μs）的峰值脈沖電流

低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮動狀態）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固態硅技術

應用領域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產品

筆記本電腦

關于ESD5305F 如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾WS72412ESD5471S-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-523。

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別針對連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態保護：±20kV（接觸放電），根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態硅技。

     應用領域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數據接口提供了出色的靜電放電保護，適用于高數據傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優異的產品和服務。

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩壓器

產品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費者和網絡應用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護（OTP）和限流功能，以確保在錯誤條件下芯片和電源系統的穩定性，并使用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

    封裝與環保信息：WL2803E穩壓器采用SOT-23-5L封裝，并符合無鉛和無鹵素環保要求。

產品特性

輸入電壓：2.5V~5.5V

輸出電壓：1.2V~3.3V

輸出電流：500mA

PSRR：65dB@1KHz

壓差電壓：130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲：100uV

靜態電流：150μA（典型值）

應用領域

LCD電視

機頂盒（STB）

計算機和圖形卡

網絡通信設備

其他便攜式電子設備  

      WL2803E是一款高性能LDO，壓差低、PSRR高、靜態電流低。適用于消費電子產品和網絡應用，輸出電壓準確穩定。具備過熱保護和限流功能，增強可靠性。您如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WD3168E-6/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-6L。

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管，采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2030為無鉛產品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 優異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現代電子系統電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路中表現出色。采用先進溝槽技術，提供高密度和低功耗?？焖匍_關操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設備，且無鉛設計滿足環保要求。WNM2030為現代電源管理提供高效、可靠和環保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD73131CZ

ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-563。中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

    WS4508E是一款針對單節鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內部采用MOSFET架構，無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調節充電電流，以在高功率操作或高環境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應用：

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍牙設備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產品。其內置MOSFET簡化了電路設計，降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應不同電池和充電需求。充電結束和電源移除時，自動進入低電流和關機模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無鉛標準，適用于各種電子設備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C