WPM3407是一款使用先進溝槽技術制成的器件，其特點是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉換應用。

特點：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在導通狀態下的電阻，3407通過先進的溝槽技術實現了低RDS(ON)，這意味著在器件導通時，其電阻較小，從而減小了能量損失。低門極電荷：門極電荷是描述開關器件從關閉到打開或從打開到關閉所需電荷量的參數。3407的低門極電荷可以更快地開關，從而減少開關損耗。無鉛：符合環保要求，適用于對無鉛產品有需求的場合。

應用：

    筆記本電腦的電源管理：3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉換器，以提供穩定的電源。

    便攜式設備：由于它的快速開關和低能量損失，3407也適用于各種便攜式設備，如智能手機、平板電腦等。

    電池供電系統：在電池供電的應用中，減少能量損失和延長電池壽命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低門極電荷特性使其成為電池供電系統的理想選擇。

    DC/DC轉換器：這是3407的主要應用之一，用于將一種直流電壓轉換為另一種直流電壓。

    負載開關：3407可以用于控制電路的通斷，實現負載開關的功能。

    如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WS4665D-8/TR 功率電子開關 封裝：WDFN-8(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾SPD85582C

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環保產品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關和低正向電壓降

· 反向阻斷

應用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設備保護

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WH2509FWAS4729QB-10/TR 模擬開關/多路復用器 封裝：QFN-10(1.8x1.4)。

WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應晶體管

產品描述：

WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元

· 設計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器

· 電路便攜式設備的負載/電源開關      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現高效能量轉換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路，還是便攜式設備的負載/電源開關，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設備的穩定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受瞬態電壓的侵害而設計。在現代電子設備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態事件，電路中的敏感組件經常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現，為這些設備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態事件發生時迅速響應，將電壓限制在安全范圍內，從而保護電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸的準確性和穩定性。 其緊湊的封裝設計使得它非常適合用于各種電子設備中，如通信設備、計算機、醫療設備和消費電子產品等。無論是對于工業應用還是日常消費應用，WL2805N33-3/TR都能提供優異的瞬態電壓保護，確保設備的穩定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優異的產品和服務。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持，請隨時聯系我們。 WNM6002-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-323-3。

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩壓器（LDO）。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網絡應用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統在錯誤條件下的穩定性，并采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。WL2803E穩壓器采用SOT-23-5L封裝，為標準無鉛且無鹵素產品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態電流：典型值為150μA

應用領域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準確的電壓輸出。緊湊環保，易于集成，適用于多種電子設備。提供穩定電源輸出。詳情查閱手冊或聯系我們。 WS742905S-8/TR 運算放大器 封裝：SOP-8。規格書WILLSEMI韋爾ESD56321N09

WD3139F-6/TR LED驅動 封裝：TSOT-23-6。中文資料WILLSEMI韋爾SPD85582C

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩定電流處理的電路中表現出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關閉或待機狀態下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應用中使用，如便攜式設備和小型電路板。

應用領域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中，它能夠將交流信號轉換為直流信號，這對于許多電子設備來說都是至關重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD85582C