成全免费高清大全,亚洲色精品三区二区一区,亚洲自偷精品视频自拍,少妇无码太爽了不卡视频在线看

代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D

來源: 發布時間:2024-04-23

     WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管,利用先進的溝槽和電荷控制設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性:

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 適用于高直流電流的優異導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域:

· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動

· DC-DC轉換器電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電電路

    WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件,專為現代電子設備中的電源管理和開關應用而設計。其采用先進的溝槽技術和電荷控制設計,確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設計使其在高直流電流下仍能保持優異的導通電阻,確保了高效的能量轉換和散熱。同時,極低的閾值電壓保證了快速的開關響應和穩定的性能。如需更詳細的信息或技術規格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2836D33-4/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝:UDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D

代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D,WILLSEMI韋爾

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管(MOSFET)。它采用先進的溝槽技術和設計,具有出色的RDS(ON)(導通電阻)和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現出色,尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括:

1:穩定的走電電壓和出色的導電電阻,這有助于在電子設備中實現高效、穩定的性能。

2:適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用,這些應用需要精確控制電流和電壓。

3:采用無鉛、無鹵的環保封裝,符合現代電子產品的環保要求。

4:具有超高密度電池設計,適用于需要高效率和高穩定性的電池管理系統。

5:極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發揮出色的性能。

  在實際應用中,WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓,WPM2015xx可以實現對電流的精確調節,從而實現對電機等設備的控制。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持,請隨時聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D20WL2805N33-3/TR 線性穩壓器(LDO)封裝:SOT-23-3L。

代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D,WILLSEMI韋爾

    ESD5311X是一款極低電容的瞬態電壓抑制器(TVS),專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,ESD5311X可提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準,能承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝,為標準無鉛且無鹵素產品。

主要特性:

截止電壓:5V

根據IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態保護:±20kV(接觸放電)

根據IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態保護:4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固態硅技術

應用領域:

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設備

筆記本電腦

    ESD5311X是一款專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器,可承受高達±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流,保護電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口,確保數據傳輸的穩定性。緊湊、環保,廣泛應用于便攜式設備和筆記本電腦。如需更多信息,請查閱手冊或聯系我們。

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產品描述:

     WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要,因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內部連接的。該產品采用先進的溝槽技術和設計,提供了出色的導通電阻(RSS(ON))和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產品特性:

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域:

· 鋰離子電池保護電路

       WNMD2171是一款采用先進技術的雙N溝道MOSFET,特別適用于鋰離子電池保護電路。其內部連接的漏極設計簡化了電路布局,而優異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外,其無鉛和無鹵素的特點也符合現代環保標準。如需更詳細的信息或技術規格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WPM3021-8/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOP-8。

代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D,WILLSEMI韋爾

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩壓器,具有極低的壓降、低靜態電流和高電源抑制比(PSRR)等特點。在500mA的負載電流下,其壓降只有130mV(典型值)。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網絡應用中極具吸引力。

特性:

· 輸入電壓范圍:2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V,步長為0.1V

· 輸出電流:500mAPSRR(電源抑制比):在1KHz時為65dB

· 壓降電壓:在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲:100uV

· 靜態電流:典型值為150μA

此外,WL2803E系列還具備熱關斷(OTP)和電流限制功能,以確保在異常條件下芯片和電源系統的穩定性。同時,采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

應用:

· LCD電視

· 機頂盒(STB)

· 計算機、圖形卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列CMOSLDO為現代電子設備提供穩定電源,具有極

低壓降、低靜態電流和高電源抑制比,有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調技術滿足各種應用需求,適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設備。緊湊封裝和環保設計使其易于集成。如需更多信息,請查閱數據手冊或聯系我們。 ESD5341N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。規格書WILLSEMI韋爾WSB5524D

SPD9112W-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-323。代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D

WNM2016A:N溝道增強型MOSFET場效應晶體管

產品描述:

WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產品特性:

· 溝槽技術

· 超高密度單元

· 設計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓


應用領域:

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器

· 電路便攜式設備的負載/電源開關      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET,專為現代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優越的電氣性能,包括低RDS(ON)和低柵極電荷,從而實現高效能量轉換和減少熱量損失。此外,極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇,因為它既能夠提供強大的性能,又能夠節省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路,還是便攜式設備的負載/電源開關,WNM2016A都是一個出色的選擇,能夠確保設備的穩定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WAS3157D