WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。
特點與優(yōu)勢:
· 輸出電流折返
· 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V
· 可調輸出電壓:0.8V至5V
· 輸出電流:300mA
· 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關機電流小于1μA
· 低壓降:在輸出電流為0.3A時,壓降為141mV。
· 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時,PSRR高達70dB
· 低輸出電壓噪聲:典型值為12μVRMS
· 輸出電壓容差:±2%
· 推薦電容器:建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能
· 封裝與環(huán)保:SOT-23-5L
應用領域:
· MP3/MP4播放器
· 手機、無線電話、數碼相機
· 藍牙、無線手持設備
· 其他便攜式電子設備
WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性,成為便攜式電子設備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接,它都能為設備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 WMM7037AT6-4/TR MEMS麥克風(硅麥)封裝:SMD-4P,3x3.8mm。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABRL0-3/TR
ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護。它被設計用于替代多層變阻器(MLV),并廣泛應用于消費設備,如手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、LCD電視等。
特性:
· 極低電容:CJ=0.5pFtyp
· 極低漏電流:IR<1nAtyp
· 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術
· 根據IEC61000-4-2標準,每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護
· 根據IEC61000-4-4標準,提供40A(5/50ns)的EFT保護
· 根據IEC61000-4-5標準,可承受4A(8/20μs)的浪涌電流
應用:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子產品
· 筆記本電腦
ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護,使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比,ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流,以及更低的箝位電壓,從而提供了更好的性能。此外,其固態(tài)硅技術確保了高效、可靠的電源保護。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口,ESD9X5VU都能為現代電子設備提供堅實的ESD防護屏障。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5374DESD56281N05-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。
WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON)。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的。
WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管,專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時,低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號,進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器,其中高效率的電源開關是至關重要的。
此外,它還可以用于各種充電電路,如電池充電器和太陽能充電器,以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產品,WNM2020不僅具有出色的電性能,還符合環(huán)保要求,不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有廣的適用性。總之,WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應晶體管,非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。
WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比(PSRR)的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)。在500mA負載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結構,WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態(tài)電流典型值為150μA,這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網絡應用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護(OTP)和電流限制功能,以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯誤條件下的穩(wěn)定性,并采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,為標準無鉛且無鹵素產品。
主要特性:
· 輸入電壓范圍:2.5V至5.5V
· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V
· 輸出電流:500mA
· PSRR:在1KHz時為65dB
· 壓差電壓:在IOUT=0.5A時為130mV
· 輸出噪聲:100μV
· 靜態(tài)電流:典型值為150μA
應用領域:
· 液晶電視(LCD TV)
· 機頂盒(STB)
· 計算機、顯卡
· 網絡通信設備
· 其他便攜式電子設備
WL2803E系列適用于電源管理,具有極低壓差、低電流和高PSRR特性,確保靈活和準確的電壓輸出。緊湊環(huán)保,易于集成,適用于多種電子設備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D30-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:DFN-4-EP(1x1)。
WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管,利用先進的溝槽和電荷控制設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。
主要特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動
· DC-DC轉換器電路
· 電源開關
· 負載開關
· 充電電路
WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件,專為現代電子設備中的電源管理和開關應用而設計。其采用先進的溝槽技術和電荷控制設計,確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導通電阻,確保了高效的能量轉換和散熱。同時,極低的閾值電壓保證了快速的開關響應和穩(wěn)定的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V1W5-5/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-353。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM1488
ESD5641D07-3/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN-3L(2x2)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABRL0-3/TR
SD5302F是一款專為保護高速數據接口設計的極低電容TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)陣列。它特別設計用于保護連接到數據線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD(靜電放電)引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。
主要特性:
· 截止電壓:5V
· 每條線路均符合IEC61000-4-2(ESD)標準的瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)
· 符合IEC61000-4-4(EFT)標準的瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)
· 符合IEC61000-4-5(浪涌)標準的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)
· 極低電容:CJ=0.4pF(典型值)
· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)
· 低箝位電壓:VCL=20V@IPP=16A(TLP)
· 固態(tài)硅技術
應用領域:
· USB2.0和USB3.0
· HDMI1.3和HDMI1.4
· SATA和eSATA
· DVI
· IEEE 1394
· PCI Express
· 便攜式電子設備
· 筆記本電腦
ESD5302F保護高速數據接口免受靜電放電等損害,確保信號完整性,承受力強。適合緊湊設備,環(huán)保。是高速數據接口的理想保護組件。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WMM7018ABRL0-3/TR