WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩壓器，具有優異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了經濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。

產品特點：

· 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：在輸出電壓小于2V時，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時，典型值為300mA。

· 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時達到75dB

· 壓差電壓：在輸出電流為200mA時，壓差為170mV

· 靜態電流：典型值為70μA

· 關斷電流：小于0.1μA

· 推薦電容器：1uF

應用領域：

· MP3/MP4播放器

· 手機和無線電話

· 數碼相機

· 藍牙和無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點，為現代便攜式設備提供了理想的電源管理解決方案。無論是手機、筆記本電腦還是MP3播放器，它都能確保設備在長時間使用中保持出色的性能和穩定的電力供應。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2836D33-4/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5Z3V3

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現優異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩定的性能，減少了維護和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現出色，如某些電子設備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現代環保標準。隨著全球對環保意識的日益增強，無鉛器件已成為許多行業的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環保要求。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾ESD63091CNWL2836D12-4/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：UDFN-4-EP(1x1)。

WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應晶體管

產品描述：

WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元

· 設計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器

· 電路便攜式設備的負載/電源開關      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現高效能量轉換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路，還是便攜式設備的負載/電源開關，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設備的穩定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

WAS4729QB：低導通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關，具有負擺幅音頻功能

產品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關，具有負擺幅音頻功能，其典型導通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內工作，并設計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應用中，無需額外的設備來將控制電平調整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關斷隔離度：-81dB@1KHz

串擾抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應用領域

手機、PDA、數碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關，專為移動設備設計，適合音頻和視頻信號路由，性能優越可靠。詳情請查閱數據手冊或聯系我們。 ESD56051N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩壓器，具有極低的壓降、低靜態電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網絡應用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統的穩定性。同時，采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

應用：

· LCD電視

· 機頂盒（STB）

· 計算機、圖形卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列CMOSLDO為現代電子設備提供穩定電源，具有極

低壓降、低靜態電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調技術滿足各種應用需求，適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設備。緊湊封裝和環保設計使其易于集成。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 WNM2016A-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56321N15

ESD5411N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5Z3V3

    WS4665是一個單通道負載開關，提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設備包含一個N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內工作，并支持連續電流上線為6A。開關由開/關輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中，增加了一個230Ω的片上負載電阻，用于在開關關閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負載開關

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續開關上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經過JESD22測試2000VHBM和1000VCDM

應用領域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網本

· 平板電腦

· 消費電子產品

· 機頂盒/住宅網關

· 電信系統

    WS4665適用于多種應用場合，如超極本、筆記本電腦/上網本、平板電腦、消費電子產品、機頂盒/住宅網關以及電信系統等。如需更多信息或技術規格，請查閱相關數據手冊或與我們聯系。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5Z3V3