ESD5301N：低電容單線單向瞬態電壓抑制器

產品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應力影響。

      包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態保護：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態硅技術

應用領域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯系我們。 WL2836E08-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾WS72142

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環保產品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關和低正向電壓降

· 反向阻斷

應用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設備保護

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WH2516DWPM3401-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。

    ESD5311X是一款極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD5311X可提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準，能承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝，為標準無鉛且無鹵素產品。

主要特性：

截止電壓：5V

根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態保護：±20kV（接觸放電）

根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態硅技術

應用領域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設備

筆記本電腦

    ESD5311X是一款專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器，可承受高達±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流，保護電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口，確保數據傳輸的穩定性。緊湊、環保，廣泛應用于便攜式設備和筆記本電腦。如需更多信息，請查閱手冊或聯系我們。

ESD73011N：單線、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用來保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD73011N包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態保護：±20kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用領域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數據傳輸和嚴格ESD防護的應用提供了出色的保護。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系制造商。 WNMD2171-4/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：CSP-4L。

WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優異的導通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麥克風（硅麥） 封裝：SMD-4P,1.9x2.8mm。規格書WILLSEMI韋爾WNT2F04

ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-563。中文資料WILLSEMI韋爾WS72142

    WS4601是一款具有極低導通電阻的P-MOSFET高側開關。集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。WS4601還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標準產品是無鉛且無鹵素的。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5~5.5V

· 主開關RON：80mΩ@VIN=5V

· 持續輸出電流：1.0A

· 電流限制閾值：1.5A（典型值）

· 電流限制精度：±20%

· 輸出短路電流：0.7A（典型值）

· 自動放電反向阻斷（無“體二極管”）

· 過溫保護

應用：

· USB外設USB Dongle

· USB 3G數據卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

    WS4601是一款專為現代電子設備設計的高性能高側開關。其極低導通電阻的P-MOSFET結構使其在處理大電流時高效且節能。集成的電流限制功能保護電源免受過大電流損害，確保系統穩定可靠。自動放電功能和反向保護功能進一步增強系統安全性。適用于USB外設、USB Dongle等需要高效電源管理的場合。無論3.3V還是5V系統，WS4601都提供出色的性能和保護機制，確保設備正常運行。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WS72142