WD1502F：28V,2A降壓型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）轉換器

    WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內工作，并提供高達2A的連續輸出電流。內部同步功率開關可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關頻率工作，并采用脈沖寬度調制（PWM）。在輕負載電流時，它會進入脈沖跳變調制（PSM）操作，以在整個負載電流范圍內保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護、熱保護和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝，為標準無鉛和無鹵素產品。

其主要特性包括：

· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓

· 典型的650kHz開關頻率

· 2A連續輸出電流

· 低至2μA的關機電流，60μA的靜態電流

· 內部5mS軟啟動

· 峰值效率>94%

· 150mΩ內部功率HSMOSFET開關

· 75mΩ內部同步LSMOSFET開關

· 逐周期過流保護

應用領域包括：

· 12V、24V分布式電源總線供電

· 工業應用

· 白色家電

· 消費類應用

     WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉換的多種應用。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD9N5B-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2。中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比（PSRR）、低壓降的CMOS線性穩壓器，具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產品均不含鉛和鹵素，符合環保要求。

特點與優勢：

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍：2V至5.5V

· 可調輸出電壓：0.8V至5V

· 輸出電流：300mA

· 低功耗：靜態電流典型值為75μA，關機電流小于1μA

· 低壓降：在輸出電流為0.3A時，壓降為141mV。

· 電源抑制比：在1kHz、輸出電壓為3V時，PSRR高達70dB

· 低輸出電壓噪聲：典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差：±2%

· 推薦電容器：建議使用1μF的電容器以優化性能

· 封裝與環保：SOT-23-5L

應用領域：

· MP3/MP4播放器

· 手機、無線電話、數碼相機

· 藍牙、無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調整、高效的電流管理以及環保的封裝特性，成為便攜式電子設備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接，它都能為設備提供穩定、高效的電源支持。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WCL120N06DNWSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝：FBP1608-2L。

     WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 適用于高直流電流的優異導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動

· DC-DC轉換器電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電電路

    WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件，專為現代電子設備中的電源管理和開關應用而設計。其采用先進的溝槽技術和電荷控制設計，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設計使其在高直流電流下仍能保持優異的導通電阻，確保了高效的能量轉換和散熱。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關響應和穩定的性能。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。

WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優異的導通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 SPD9811B-2/TR 半導體放電管（TSS）封裝：SMB。

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環保產品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關和低正向電壓降

· 反向阻斷

應用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設備保護

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WL2817DA33-8/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：DFN1612-8。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D10

WD1035DH-8/TR DC-DC電源芯片 封裝：DFN-8-EP(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器

產品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態保護：±10kV（接觸放電）

根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態保護：40A（5/50ns）

根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態硅技術

應用領域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備，緊湊且環保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WH2506D