ESD5304D是一個專為保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應力而設計的極低電容瞬態電壓抑制器（TVS）陣列。它結合了四對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管，旨在提供優異的ESD保護。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據IEC61000-4-2標準的每線瞬態保護：±20kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-4標準的EFT保護：40A（5/50ns）

· 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態硅技術

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器，保護接口免受靜電放電和其他瞬態事件損害。利用先進固態硅技術，結合極低電容轉向二極管和TVS二極管，提供優異保護。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態事件。極低電容和漏電流不影響數據傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設備中的關鍵保護組件。小巧封裝且環保，易于集成。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 WD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝：TSOT-23-6L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05

    ESD5431Z-2/TR：電子設備的瞬態電壓守護神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態電壓威脅而設計。其獨特的雙向保護機制，確保在數據線和控制線受到過應力時，能夠迅速抑制電壓波動，保護敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態保護能力，根據IEC61000-4-2標準，它能承受高達±30kV的接觸放電，確保在極端情況下仍能有效保護電路，能夠承受高達40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設計使得集成更為便捷，同時無鉛和不含鹵素的標準也符合環保要求。

    無論是手機、計算機還是微處理器，它都能為這些設備提供堅實的電壓保護，確保它們在各種惡劣環境下都能穩定運行。應用在工業、醫療還是消費電子領域等。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾SPD4200BESD56131W-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-323F。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉換器

產品描述：

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉換器。內部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉換器WD3133采用脈沖寬度調制（PWM）模式，固定開關頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下，轉換器進入跳過模式，以在絕大部分的負載電流范圍內保持高效率。內置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關頻率

高達93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內置軟啟動

應用領域：

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設備設計的高效升壓轉換器，1.2MHz開關頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景，如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性，是電源管理的理想選擇。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。

WAS4729QB：低導通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關，具有負擺幅音頻功能

產品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關，具有負擺幅音頻功能，其典型導通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內工作，并設計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應用中，無需額外的設備來將控制電平調整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關斷隔離度：-81dB@1KHz

串擾抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應用領域

手機、PDA、數碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關，專為移動設備設計，適合音頻和視頻信號路由，性能優越可靠。詳情請查閱數據手冊或聯系我們。 ESD9X5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD） 封裝：FBP-02C。

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩定電流處理的電路中表現出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關閉或待機狀態下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應用中使用，如便攜式設備和小型電路板。

應用領域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中，它能夠將交流信號轉換為直流信號，這對于許多電子設備來說都是至關重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WS4518D-6/TR 電池管理 封裝：WDFN-6-EP(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD73011N

WL2815D33-4/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝：XDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產品特性：

· 槽型技術

· 超高密度單元設計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換器

· 電路電源開關

· 負載開關充電

       WNM6001是一款采用先進槽型技術的N溝道MOSFET，專為高效能應用而設計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。無論是驅動繼電器、電磁閥還是電機，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩定、高效的性能。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05