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AlN陶瓷基片一般采用無(wú)壓燒結(jié),該燒結(jié)方法是一種很普通的燒結(jié),雖然工藝簡(jiǎn)單、成本較低、可制備形狀復(fù)雜,但燒結(jié)溫度一般偏高,再不添加燒結(jié)助劑的情況下,一般無(wú)法制備高性能陶瓷基片。傳統(tǒng)燒結(jié)方式一般通過(guò)外部熱源對(duì)AlN坯體進(jìn)行加熱,熱傳導(dǎo)不均且速度較慢,將影響燒結(jié)質(zhì)量。微波燒結(jié)通過(guò)坯體吸收微波能量從而進(jìn)行自身加熱,加熱過(guò)程是在整個(gè)材料內(nèi)部同時(shí)進(jìn)行,升溫速度快,溫度分散均勻,防止AlN陶瓷晶粒的過(guò)度生長(zhǎng)。這種快速燒結(jié)技術(shù)能充分發(fā)揮亞微米級(jí)和納米級(jí)粉末的性能,具有很強(qiáng)的發(fā)展前景。放電等離子燒結(jié)技術(shù)主要利用放電脈沖壓力、脈沖能和焦耳熱產(chǎn)生瞬間高溫場(chǎng)實(shí)現(xiàn)快速燒結(jié)。放電等離子燒結(jié)技術(shù)的主要特點(diǎn)是升溫速度快,燒結(jié)時(shí)間短,燒結(jié)溫度低,可實(shí)現(xiàn)AlN陶瓷的快速低溫?zé)Y(jié)。通過(guò)該燒結(jié)方法,燒結(jié)體的各個(gè)顆粒可類似于微波燒結(jié)那樣均勻地自身發(fā)熱以活化顆粒表面,可在短時(shí)間內(nèi)得到致密化、高熱導(dǎo)燒結(jié)體。結(jié)晶氮化鋁易潮解,在濕空氣中水解生成氯化氫白色煙霧。湖州單晶氧化鋁品牌
陶瓷線路板的耐熱循環(huán)性能是其可靠性關(guān)鍵參數(shù)之一。本文對(duì)陶瓷基板在反復(fù)周期性加熱過(guò)程中發(fā)生的變形情況進(jìn)行了研究。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),陶瓷覆銅板在周期性加熱過(guò)程中,存在類似金屬材料在周期載荷作用下出現(xiàn)的棘輪效應(yīng)和包辛格效應(yīng)。結(jié)合ANSYS有限元計(jì)算結(jié)果,可以推斷,陶瓷線路板的失效開(kāi)裂與金屬層的塑性變形或位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)直接相關(guān)。另外,活性金屬釬焊陶瓷基板的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性優(yōu)于直接覆銅陶瓷基板。隨著功率器件工作電壓、電流的增加和芯片尺寸不斷減小,芯片功率密度急劇增加,對(duì)芯片的散熱封裝的可靠性提出了更高挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)柔性基板或金屬基板已滿足不了第三代半導(dǎo)體模塊高功率、高散熱的要求,陶瓷基板具有良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù),是功率電子器件中關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。陶瓷基板由金屬線路層和陶瓷層組成,由于陶瓷和金屬之間存在較大的熱膨脹差異,使用過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力會(huì)造成基板開(kāi)裂失效,因此,對(duì)陶瓷基板耐熱循環(huán)可靠性研究具有重要意義。上海導(dǎo)熱氧化鋁哪家好氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應(yīng)用前景。
氮化鋁陶瓷基片制造并非易事:氮化鋁的很大特點(diǎn)是熱膨脹系數(shù)(CTE)與半導(dǎo)體硅(Si)相當(dāng),且熱導(dǎo)率高,理論上氮化鋁熱導(dǎo)率可達(dá)到320W/(m·K),但成本很高。由于制備氮化鋁陶瓷的重點(diǎn)原料氮化鋁粉體制備工藝復(fù)雜、能耗高、周期長(zhǎng)、價(jià)格昂貴,國(guó)內(nèi)的氮化鋁粉體很大程度上依賴進(jìn)口。原料的批次穩(wěn)定性、成本也成為國(guó)內(nèi)氮化鋁陶瓷基片材料制造的瓶頸。氮化鋁基板生產(chǎn)呈地區(qū)集中狀態(tài),美國(guó)、日本、德國(guó)等國(guó)家和地區(qū)是全球很主要的電子元件生產(chǎn)和研發(fā)中心,在氮化鋁陶瓷基片的研究已遠(yuǎn)早于國(guó)內(nèi)。日本已有較多企業(yè)研發(fā)和生產(chǎn)氮化鋁陶瓷基片,目前是全球很大的氮化鋁陶瓷基片生產(chǎn)國(guó)。
氮化鋁陶瓷因具有高熱導(dǎo)率、低膨脹系數(shù)、度、耐腐蝕、電性能優(yōu)、光傳輸性好等優(yōu)異特性,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。隨著我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,電子設(shè)備儀器的小型輕量化,以及混合集成度大幅提高,對(duì)散熱基板的導(dǎo)熱性能要求越來(lái)越高,氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率較氧化鋁陶瓷高5倍以上,膨脹系數(shù)低,與硅芯片的匹配性更好,因此在大功率器件等領(lǐng)域,已逐漸取代氧化鋁基板,成為市場(chǎng)主流。但氮化鋁陶瓷基板行業(yè)進(jìn)入技術(shù)壁壘高,全球市場(chǎng)中,具有量產(chǎn)能力的企業(yè)主要集中在日本,日本企業(yè)在國(guó)際氮化鋁陶瓷基板市場(chǎng)中處于壟斷地位,此外,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)也有部分產(chǎn)能。而隨著國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)氮化鋁陶瓷基板的需求快速上升,在市場(chǎng)的拉動(dòng)下,進(jìn)入行業(yè)布局的企業(yè)開(kāi)始增多,但現(xiàn)階段我國(guó)擁有量產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量依然極少。氮化鋁粉體的制備工藝主要有直接氮化法和碳熱還原法。
流延成型的體系,有機(jī)流延體系和水基流延體系。有機(jī)流延體系所用到的添加劑的成分均有毒,對(duì)綠色生產(chǎn)提出了很大的挑戰(zhàn)。近年來(lái),研究者一直致力于尋找添加劑毒性小的流延成型方法。郭堅(jiān)等以無(wú)水乙醇和異丙醇為混合溶劑,利用流延成型制備AlN生坯,燒結(jié)后得到AlN陶瓷的熱導(dǎo)率為178 W/(m·K)。水基流延體系因?yàn)槠渚G色環(huán)保等特點(diǎn),成為流延成型發(fā)展趨勢(shì)。但其在成型后需要對(duì)陶瓷生坯進(jìn)行干燥,目前干燥技術(shù)還有待進(jìn)一步完善。相對(duì)而言,流延成型的生產(chǎn)效率高,產(chǎn)品質(zhì)量高,但此種方法存在的局限性是只能成型簡(jiǎn)單外形的陶瓷生坯,無(wú)法滿足復(fù)雜外形的陶瓷生坯成型要求。近年來(lái),隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,大規(guī)模集成電路和大功率微波器件對(duì)高尺寸精度的異形封裝和散熱器件的需求正在每年成倍增加,因而需要越來(lái)越多的微型、復(fù)雜形狀高導(dǎo)熱AlN陶瓷零部件,但是傳統(tǒng)的加工方法很難制備出形狀和尺寸精度滿足需要的零部件。于是,另一種成型方法——粉末注射成型獲得越來(lái)越多的關(guān)注。氮化鋁陶瓷基板作為一種新型陶瓷基板。大連超細(xì)氮化硼廠家
AIN陶瓷的金屬化性能較好,可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業(yè)中較廣應(yīng)用。湖州單晶氧化鋁品牌
氮化鋁的特性:熱導(dǎo)率高(約320W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良;機(jī)械性能好,抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常壓燒結(jié);純度高;光傳輸特性好;無(wú)毒;可采用流延工藝制作。是一種很有前途的高功率集成電路基片和包裝材料。由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性,氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測(cè)器。而探測(cè)器則會(huì)放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細(xì)的薄膜。利用氮化鋁陶瓷具有較高的室溫和高溫強(qiáng)度,膨脹系數(shù)小,導(dǎo)熱性好的特性,可以用作高溫結(jié)構(gòu)件熱交換器材料等。利用氮化鋁陶瓷能耐鐵、鋁等金屬和合金的溶蝕性能,可用作Al、Cu、Ag、Pb等金屬熔煉的坩堝和澆鑄模具材料。湖州單晶氧化鋁品牌
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