臺全部采用國產處理器構建的超級計算機“神威太湖之光”獲世界超算。2017年，長江存儲一期項目封頂；存儲器產線建設開啟；全球AI芯片獨角獸初創公司成立；華為發布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年，紫光量產32層3DNAND（零突破）。2019年，華為旗下海思發布全球5GSoC芯片海思麒麟990，采用了全球**的7納米工藝；64層3DNAND閃存芯片實現量產；中芯**14納米工藝量產。[5]2021年7月，采用自主指令系統LoongArch設計的處理器芯片，龍芯3A5000正式發布[12]挑戰2020年8月7日，華為常務董事、華為消費者業務CEO余承東在**信息化百人會2020年峰會上的演講中說，受管制影響，下半年發售的Mate40所搭載的麒麟9000芯片，或將是華為自研的麒麟芯片的后一代。以制造為主的芯片下游，是我國集成電路產業薄弱的環節。由于工藝復雜，芯片制造涉及到從學界到產業界在材料、工程、物理、化學、光學等方面的長期積累，這些短板短期內難以補足。[6]任正非早就表示：華為很像一架被打得千瘡百孔的飛機，正在加緊補洞，現在大多數洞已經補好，還有一些比較重要的洞，需要兩三年才能完全克服。隨著禁令愈加嚴苛，要補的洞越來越多，[10]余承東是承認，當初只做設計不做生產是個錯誤。芯片，又稱微電路、微芯片、IC芯片，是指內含IC芯片的硅片，體積很小。BQ7693003DBTR

    實現曝光，激發光化學反應。對曝光后的晶圓進行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學反應更充分。后，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機中完成的，曝光是在光刻機中完成的。勻膠顯影機和光刻機一般都是聯機作業的，晶圓通過機械手在各單元和機器之間傳送。整個曝光顯影系統是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環境中，以減少環境中有害成分對光刻膠和光化學反應的影響[2]。圖1：現代光刻工藝的基本流程和光刻后的檢測步驟該過程使用了對紫外光敏感的化學物質，即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座，2002年成立北京分公司，是專業的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領域已經營多年，資源豐富，目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同。STPS340SIC芯片的DIP等插件的引腳不應有擦花的痕跡，即使有擦痕也應是整齊、同方向的且金屬暴露處光潔無氧化。

    由北京有色金屬研究總院半導體材料**工程研究中心承擔的我國條8英寸硅單晶拋光生產線建成投產。1999年，上海華虹NEC的條8英寸生產線正式建成投產。[5]2000-2011年發展加速期2000年，中芯**在上海成立，18號文件加大對集成電路的扶持力度。2002年，**款批量投產的通用CPU芯片“龍芯一號”研制成功。2003年，臺積電（上海）有限公司落戶上海。2004年，**大陸條12英寸線在北京投入生產。2006年，設立“**重大科技專項”；無錫海力士意法半導體正式投產。2008年，中星微電子手機多媒體芯片全球銷量突破1億枚。2009年，**“核高基”重大專項進入申報與實施階段。2011年，《關于印發進一步鼓勵軟件產業和繼承電路產業發展若干政策的通知》。[5]2012年-2019年高質量發展期2012年，《集成電路產業“十二五”發展規劃》發布；韓國三星70億美元一期投資閃存芯片項目落戶西安。2013年，紫光收購展訊通信、銳迪科；大陸IC設計公司進入10億美元俱樂部。2014年，《**集成電路產業發展推進綱要》正式發布實施；“**集成電路產業發展投資基金”（大基金）成立。2015年，長電科技以；中芯**28納米產品實現量產。2016年，大基金、紫光投資長江儲存。

    所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統板，在所述系統板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯至所述系統板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯。附圖說明參考下列附圖，根據一個或多個不同實施例詳細描述了本公開。附圖出于說明的目的提供，并且描繪典型或示例的實施例。圖是系統的關系圖，在該系統中可以實施不同實施例。圖a和圖b示出了根據一個實施例的雙列直插式存儲模塊(dimm)組件。圖示出了圖a和圖b的雙列直插式存儲模塊組件的一側的視圖。圖a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件。圖b示出了圖a的兩個印刷電路裝配件，所述兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起。按制作工藝分類：IC芯片按制作工藝可分為半導體IC芯片和薄膜IC芯片。

    [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環節，其中晶片制作過程尤為的復雜。首先是芯片設計，根據設計的需求，生成的“圖樣”芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區福虹路世界貿易廣場A座，2002年成立北京分公司，是專業的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機、32位單片機；在該領域已經營多年，資源豐富，目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術力量強大，可為客戶設計指導方案開發。生產的成本越低，但對工藝就要求的越高。晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種。晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1[2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上。我們始終致力于研發和制造具有競爭力的IC芯片，為客戶創造更多價值。MPC8270ZUUPE

IC芯片要保證焊接質量，焊接時確實焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。BQ7693003DBTR

    目前已發展成為一家專業化、規模化的電子元器件經銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認同，公司工程技術力量強大，可為客戶設計指導方案開發。圖a是雙列直插式存儲模塊組件在其裝配狀態下的圖。雙列直插式存儲模塊組件的分解圖在圖b中示出。雙列直插式存儲模塊組件包括印刷電路板，印刷電路板上安裝有一個或多個集成電路(一般地以示出)。印刷電路板一般是雙側的，集成電路安裝在印刷電路板的兩側上。熱接口材料a、b的層熱耦聯至集成電路。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導熱膏及類似物。在所描繪的實施例中，具有一對側板a、b的能夠移除的散熱器與熱接口材料a、b的層物理接觸，并且因此所述散熱器熱耦聯至所述熱接口材料a、b。側板a、b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側板a、b，例如，使用諸如不銹鋼或類似物來形成側板。為了降造成本，側板a、b可以是相同的。能夠移除的一個或多個彈性夾a、b、c、d可以定位在側板a、b周圍，以將側板壓靠在熱接口材料a、b上，以確保合適的熱耦聯。圖示出了圖的雙列直插式存儲模塊組件的一側的視圖。BQ7693003DBTR