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青島涂層氮化鈦聯(lián)系人

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-08

在深亞微米(0.15μm及以下)集成電路制造中,后段工藝日趨重要,為降低阻容遲滯(RCDelay),保證信號(hào)傳輸,減小功耗,有必要對(duì)后段工藝進(jìn)行改進(jìn),Via阻擋層MOCVD(Metal-organicChemicalVaporDeposition,金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積)TiN是其中重要研究課題之一。本論文基于薄膜電阻的理論分析,從厚度、雜質(zhì)濃度和晶體結(jié)構(gòu)三大薄膜電阻影響因素出發(fā)系統(tǒng)研究MOCVDTiN材料在平面薄膜上和真實(shí)結(jié)構(gòu)中的各種性質(zhì),重點(diǎn)是等離子體處理(PlasmaTreatment,PT)下的晶體生長(zhǎng),制備循環(huán)次數(shù)的選擇對(duì)薄膜雜質(zhì)濃度、晶體結(jié)構(gòu)及電阻性能的影響,不同工藝薄膜在真實(shí)結(jié)構(gòu)中物理形貌、晶體結(jié)構(gòu)和電阻性能的表現(xiàn)和規(guī)律,超薄TiN薄膜(<5nm)的實(shí)際應(yīng)用等。俄歇能譜、透射電子顯微鏡和方塊電阻測(cè)試證明PT作用下雜質(zhì)濃度降低,同時(shí)晶體生長(zhǎng),薄膜致密化而電阻率降低。PT具有飽和時(shí)間和深度,較厚薄膜需多循環(huán)制備以充分處理,發(fā)現(xiàn)薄膜厚度較小時(shí)(本實(shí)驗(yàn)條件下為4nm),增加循環(huán)次數(shù)雖然進(jìn)一步降低了雜質(zhì)濃度,但會(huì)引入界面而使薄膜電阻率增加。通過(guò)TEM觀測(cè)發(fā)現(xiàn)由于等離子體運(yùn)動(dòng)的各向異性,真實(shí)結(jié)構(gòu)中PT效率在側(cè)壁遠(yuǎn)低于頂部和底部,這導(dǎo)致側(cè)壁薄膜在PT后更厚。氮化鈦的熔點(diǎn)高于大多數(shù)過(guò)渡金屬氮化物,密度低于大多數(shù)金屬氮化物,從而成為一種獨(dú)特的耐火材料。青島涂層氮化鈦聯(lián)系人

表面涂層技術(shù)已成為提高材料抗疲勞和抗磨損性能的重要手段。許多零部件,例如刀具、齒輪和軸承等,通過(guò)表面涂層,改善接觸性能。但由于涂層制造過(guò)程中不可避免的缺陷以及涂層基體之間彈性參數(shù)不連續(xù)性,在接觸應(yīng)力作用下涂層結(jié)構(gòu)易產(chǎn)生裂紋,隨著裂紋的擴(kuò)展,引起涂層的剝落而造成零件的失效。為滿足涂層結(jié)構(gòu)在工程應(yīng)用中的可靠性要求,需要研究在摩擦接觸條件下涂層結(jié)構(gòu)的失效機(jī)理。本文主要完成了以下工作:1利用等離子輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備厚度為10μm的氮化鈦涂層,其基體為高速鋼。利用顯微硬度儀測(cè)量得到涂層的硬度約為2000HV4000HV,利用納米壓痕儀測(cè)量得到涂層的彈性模量和斷裂韌度分別為590GPa和3.30MPa·1/2m。劃痕法本質(zhì)上屬于摩擦接觸問(wèn)題,可通過(guò)掃描電鏡對(duì)涂層劃痕表面進(jìn)行觀察與分析,結(jié)果表明在涂層表面產(chǎn)生了平均間距約為5.1μm弧形裂紋,同時(shí)測(cè)得涂層表面的摩擦系數(shù)約為0.25。臺(tái)州 刀具氮化鈦功能齒輪滾刀經(jīng)氮化鈦涂敷后壽命能延長(zhǎng)3~4倍,因而可在切削齒輪時(shí)可提高切削速度,從而減少了加工時(shí)間和成本。

TiN薄膜用于高溫大氣穩(wěn)定太陽(yáng)能吸收層的研究開(kāi)始于1984年,較好近(Ti,A1)N涂層也被建議應(yīng)用于太陽(yáng)能選擇吸收層和太陽(yáng)能控制窗口,這主要是因?yàn)?Ti,AI)N涂層耐高溫的特點(diǎn)。關(guān)于TiN和TiA1N涂層在太陽(yáng)能領(lǐng)域的應(yīng)用。目前仍處在嘗試和探索之中。用TiN薄膜涂覆在IF—MS2上。可以提高二鉬化硫潤(rùn)滑劑的耐磨性。用TIN薄膜涂覆在IF—MS2上,因?yàn)樗哂械母哂捕取⒏呷埸c(diǎn)、高磨損抵抗力,優(yōu)良的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),因此可以在提高飛機(jī)和航天器的發(fā)動(dòng)機(jī)等零件的潤(rùn)滑性能的同時(shí),又可以保證航天零件的耐高溫和耐摩擦性能。

口腔是有生物化學(xué)和電化學(xué)因素影響的復(fù)雜環(huán)境,具有較強(qiáng)的腐蝕性。因而對(duì)應(yīng)用于口腔中的金屬材料也提出了更高的要求。在磁性附著體的研究及臨床應(yīng)用中,我們發(fā)現(xiàn)磁性附著體在口腔中長(zhǎng)期使用后所出現(xiàn)的腐蝕和磨損是導(dǎo)致磁性附著體的固位力下降的主要原因,也是影響磁性附著體遠(yuǎn)期應(yīng)用效果的主要問(wèn)題。進(jìn)一步提高磁性附著體的耐腐蝕性和耐磨損性是解決這一問(wèn)題的適合途徑。近年來(lái),隨著當(dāng)今各種鍍膜技術(shù),如化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordepositionCVD)、物物理相沉積(physicalvapordepositionPVD)、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(physicalchemicalvapordepositionPCVD)、激光輔助化學(xué)氣相沉積(laserchemicalvapordepositionLCVD)、離子鍍(ionplateIP)和離子束輔助沉積技術(shù)(ionbeamassisteddepositionIBAD)等不斷完善和發(fā)展,使具有高硬度、高耐磨性、良好耐腐蝕性的氮化鈦納米膜在國(guó)際和國(guó)內(nèi)都得到了適合研究與應(yīng)用。氮化鈦具有良好導(dǎo)電性、高熔點(diǎn)、高硬度及耐磨耐酸堿腐蝕等特性,在開(kāi)發(fā)高耐用的催化劑載體領(lǐng)域具應(yīng)用前景。

明顯早應(yīng)用的刀具PVD涂層材料是TiN,是將靶材(金屬固體材料)轉(zhuǎn)換成電離狀態(tài),在電場(chǎng)作用下金屬離子在工件表面與活化了的氮形成2~4μm厚的薄膜涂層,具有較高的硬度和耐磨性,抗氧化溫度在550~600℃;而進(jìn)入本世紀(jì)后,使用具有一定原子比的鈦鋁合金靶作為靶材,通過(guò)磁控濺射法制得的TiAlN涂層正逐漸代替TiN涂層成為主流涂層,其最高工作溫度可達(dá)1150℃,更好得滿足這種高速高溫切削的需要。其實(shí)質(zhì)是在切削刀具的表面沉積一層具有致密結(jié)構(gòu)、高硬度、熱穩(wěn)定性、耐磨性和抗氧化性良好的硬質(zhì)薄膜。許多日本的刀具公司都能供應(yīng)含有氮化鈦涂層的產(chǎn)品,其中有些賣給了歐洲部分國(guó)家和美國(guó),多數(shù)進(jìn)入日本市場(chǎng)。重慶 刀具氮化鈦生產(chǎn)企業(yè)

基于氮化鈦優(yōu)良的導(dǎo)電性能,可做成各種電極以及點(diǎn)觸頭等材料。青島涂層氮化鈦聯(lián)系人

氮化鈦的制備方法有哪些1金屬鈦粉或TiH2直接氮化法2TiO2碳熱還原氮化法3微波碳熱還原法4物物理相沉積法5化學(xué)氣相沉積法6機(jī)械合金化法7熔鹽合成法8溶膠-凝膠法9自蔓延高溫合成法TiN的性質(zhì)及結(jié)構(gòu)。TiN屬于間隙相,熔點(diǎn)高達(dá)2955℃,原子之間的結(jié)合為共價(jià)鍵、金屬鍵及離子鍵的混合鍵,其中金屬原子間存在金屬鍵。因此,TiN薄膜具有高硬度(理論硬度21GPa)、優(yōu)異的耐熱耐磨和耐腐蝕等特性,并且具有較好的金屬特性:金屬光澤、優(yōu)良的導(dǎo)電性及超導(dǎo)性。TiN具有典型的NaCl型結(jié)構(gòu),屬于面心立方點(diǎn)陣(F.C.C),其中Ti原子占據(jù)面心立方的角頂。并且TiN是非計(jì)量化合物,Ti和N組成的化合物TiN1-x可以在很寬的組成范圍內(nèi)穩(wěn)定存在,其范圍為TiN0.6—TiN1.16。氮的含量可在一定范圍內(nèi)變化而不引起TiN的結(jié)構(gòu)變化。青島涂層氮化鈦聯(lián)系人

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