絕緣柵雙極晶體管IGBT是MOSFET和GTR相結合的產物。其主體部分與晶體管相同，也有集電極和發射極，但驅動部分卻和場效應晶體管相同，是絕緣柵結構。IGBT的工作特點是，控制部分與場效應晶體管相同，控制信號為電壓信號UGE，輸人阻抗很高，柵極電流IG≈0，故驅動功率很小。而其主電路部分則與GTR相同，工作電流為集電極電流，工作頻率可達20kHz。由IGBT作為逆變器件的變頻器載波頻率一般都在10kHz以上，故電動機的電流波形比較平滑，基本無電磁噪聲。雖然硅雙極型及場控型功率器件的研究已趨成熟，但是它們的性能仍待提高和改善，而1996年出現的集成門極換流晶閘管（IGCT）有迅速取代GTO的趨勢。集成門極換流晶閘管（IGCT）是將門極驅動電路與門極換流晶閘管GCT集成于一個整體形成的器件。門極換流晶閘管GCT是基于GTO結構的一個新型電力半導體器件，它不僅與GTO有相同的高阻斷能力和低通態壓降，而且有與IGBT相同的開關性能，兼有GTO和IGBT之所長，是一種較理想的兆瓦級、中壓開關器件。IGCT芯片在不串不并的情況下，二電平逆變器容量～3MVA，三電平逆變器1～6MVA；若反向二極管分離，不與IGCT集成在一起，二電平逆變器容量可擴至，三電平擴至9MVA。目前IGCT已經商品化。 IHV,IHM,PrimePACK封裝(俗稱“黑模塊”):這類模塊的封裝顏色是黑色的，屬于大功率模塊。廣東代理英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級別的芯片可幫助模塊制造商提高產品集成度和功率密度，并有效節約電路板空間。另外，英飛凌還提供完善的單獨塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續流二極管集成封裝的產品，廣泛應用于通用逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應加熱設備、大型家電、焊接以及開關電源（SMPS）等領域。單管IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統成本。功率模塊是比分立式IGBT規模稍大的產品類型，用于構造電力電子設備的基本單元。這類模塊通常由IGBT和二極管組成，可有多種拓撲結構。而即用型組件模塊則于滿足大功率應用的需求。這些組件常被稱作系統，根據具體應用領域采用IGBT功率模塊或單管進行構造。從具有整流器、制動斬波器和逆變器的一體化功率集成模塊，到大功率的組件，英飛凌的產品覆蓋了幾百瓦到幾兆瓦的功率范圍。這些產品高度可靠，性能、效率和使用壽命均很出色，有利于通用驅動器、伺服單元和可再生能源應用（如太陽能逆變器和風力發電應用）的設計。吉林進口英飛凌infineonIGBT模塊銷售開關頻率比較大的IGBT型號是S4，可以使用到30KHz的開關頻率。

    而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續流二極管）。二者內部結構不同MOSFET的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。IGBT的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。它們的內部結構如下圖：二者的應用領域不同MOSFET和IGBT內部結構不同，決定了其應用領域的不同。由于MOSFET的結構，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強。其主要應用領域為于開關電源，鎮流器，高頻感應加熱，高頻逆變焊機，通信電源等高頻電源領域。IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點頻率不是太高，目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ，IGBT集中應用于焊機，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應加熱等領域。MOSFET與IGBT的主要特點MOSFET具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關等用途。IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極的應用。IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合。

    一、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。通俗來講:IGBT是一種大功率的電力電子器件，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。二、IGBT模塊IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優點，既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。 這個電壓為系統的直流母線工作電壓。

    igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。目錄1特點2應用3注意事項4發展趨勢IGBT功率模塊特點編輯igbt功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優點于一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，近西門子公司又推出低飽和壓降（）的npt-igbt性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦己在開發研制新品種。IGBT功率模塊應用編輯igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例，單個元件電壓可達（pt結構）一（npt結構），電流可達。IGBT功率模塊注意事項編輯a,柵極與任何導電區要絕緣，以免產生靜電而擊穿。 第五代據說能耐200度的極限高溫。吉林進口英飛凌infineonIGBT模塊銷售

第三代IGBT開始，采用新的命名方式。命名的后綴為:T3，E3，P3。廣東代理英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個pn結處于反偏狀態，漏、源極間沒有導電溝道，器件無法導通。但如果VGS正向足夠大，此時柵極G和襯底p之間的絕緣層中會產生一個電場，方向從柵極指向襯底，電子在該電場的作用下聚集在柵氧下表面，形成一個N型薄層(一般為幾個nm)，連通左右兩個N+區，形成導通溝道，如圖中黃域所示。當VDS＞0V時，N-MOSFET管導通，器件工作。了解完以PNP為例的BJT結構和以N-MOSFET為例的MOSFET結構之后，我們再來看IGBT的結構圖↓IGBT內部結構及符號黃塊表示IGBT導通時形成的溝道。首先看黃色虛線部分，細看之下是不是有一絲熟悉之感？這部分結構和工作原理實質上和上述的N-MOSFET是一樣的。當VGE>0V，VCE>0V時，IGBT表面同樣會形成溝道，電子從n區出發、流經溝道區、注入n漂移區，n漂移區就類似于N-MOSFET的漏極。藍色虛線部分同理于BJT結構，流入n漂移區的電子為PNP晶體管的n區持續提供電子，這就保證了PNP晶體管的基極電流。我們給它外加正向偏壓VCE，使PNP正向導通，IGBT器件正常工作。這就是定義中為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件的原因。廣東代理英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足