二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。3、擊穿外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向導電性不一定會被長久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復,否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。二極管是一種具有單向導電的二端器件,有電子二極管和晶體二極管之分,電子二極管現已很少見到,比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性,幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生早的半導體器件之一,其應用也非常廣。二極管的管壓降:硅二極管(不發光類型)正向管壓降,鍺管正向管壓降為,發光二極管正向管壓降會隨不同發光顏色而不同。主要有三種顏色,具體壓降參考值如下:紅色發光二極管的壓降為,黃色發光二極管的壓降為—,綠色發光二極管的壓降為—,正常發光時的額定電流約為20mA。二極管的電壓與電流不是線性關系,所以在將不同的二極管并聯的時候要接相適應的電阻。[1]二極管原理二極管的原理編輯二極管工作原理。二極管正向導通后,它的正向壓降基本保持不變(硅管為0.7V,鍺管為0.3V)。北京本地西門康二極管工廠直銷
二極管穩壓管穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管,具有穩定電壓穩壓管的作用。穩壓管與普通二極管的主要區別在于,穩壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小,能保證穩壓管在反向擊穿狀態下不會因過熱而損壞。[4]穩壓管與一般二極管不一樣,它的反向擊穿是可逆的,只要不超過穩壓管電流的允許值,PN結就不會過熱損壞,當外加反向電壓去除后,穩壓管恢復原性能,所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。[4]二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口,光電二極管以便于接受光照。其特點是,當光線照射于它的PN結時,可以成對地產生自由電子和空穴,使半導體中少數載流子的濃度提高,在一定的反向偏置電壓作用下,使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。[4]當無光照時,光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時,可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源,能夠直接把光能變成電能。北京本地西門康二極管工廠直銷二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。
導通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓,當電壓值較小時,電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時,電流開始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏[4]。二極管正向特性外加正向電壓時,在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結內電場的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。[4]當正向電壓大于死區電壓以后,PN結內電場被克服,二極管正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內,導通時二極管的端電壓幾乎維持不變,這個電壓稱為二極管的正向電壓。[4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值,內電場很快被削弱,特性電流迅速增長,二極管正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓,硅管約為,鍺管約為。硅二極管的正向導通壓降約為,鍺二極管的正向導通壓降約為。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時,通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小,二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。
正向導電,反向不導電)晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,在其界面處兩側形成了空間電荷層,并且建有自建電場,當不存在外加電壓時,因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當產生正向電壓偏置時,外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流(也就是導電的原因)。當產生反向電壓偏置時,外界電場與自建電場進一步加強,形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0(這也就是不導電的原因)。當外加的反向電壓高到一定程度時,p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程,產生大量電子空穴對,產生了數值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區內共價鍵結構,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區寬度較寬,不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時。光電二極管又稱光敏二極管。
3)從分流支路電路分析中要明白一點:從級錄音放大器輸出的信號,如果從VD1支路分流得多,那么流入第二級錄音放大器的錄音信號就小,反之則大。4)VD1存在導通與截止兩種情況,在VD1截止時對錄音信號無分流作用,在導通時則對錄音信號進行分流。5)在VD1正極上接有電阻R1,它給VD1一個控制電壓,顯然這個電壓控制著VD1導通或截止。所以,R1送來的電壓是分析VD1導通、截止的關鍵所在。分析這個電路大的困難是在VD1導通后,利用了二極管導通后其正向電阻與導通電流之間的關系特性進行電路分析,即二極管的正向電流愈大,其正向電阻愈小,流過VD1的電流愈大,其正極與負極之間的電阻愈小,反之則大。3.控制電路的一般分析方法說明對于控制電路的分析通常要分成多種情況,例如將控制信號分成大、中、小等幾種情況。就這一電路而言,控制電壓Ui對二極管VD1的控制要分成下列幾種情況。1)電路中沒有錄音信號時,直流控制電壓Ui為0,二極管VD1截止,VD1對電路工作無影響,級錄音放大器輸出的信號可以全部加到第二級錄音放大器中。2)當電路中的錄音信號較小時,直流控制電壓Ui較小,沒有大于二極管VD1的導通電壓,所以不足以使二極管VD1導通。由外殼、印刷電路板、發光二極管芯片陣列、控制電路和金屬引腳組成。北京本地西門康二極管工廠直銷
整流二極管都是面結型,因此結電容較大,使其工作頻率較低,一般為3kHZ以下。北京本地西門康二極管工廠直銷
二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級,小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時,半導體受熱激發,少數載流子數目增加,反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向導電性不一定會被長久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復,否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區寬度很小,反向電壓較大時,破壞了勢壘區內共價鍵結構,使價電子脫離共價鍵束縛,產生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區寬度較寬,不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。北京本地西門康二極管工廠直銷
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