電流從LED陽(yáng)極流向陰極時(shí)，半導(dǎo)體晶體就發(fā)出從紫外到紅外不同顏色的光線，光的強(qiáng)弱與電流有關(guān)。以下是傳統(tǒng)發(fā)光二極管所使用的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體物料和所它們發(fā)光的顏色LED材料材料化學(xué)式顏色鋁砷化鎵砷化鎵砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵（摻雜氧化鋅）AlGaAsGaAsPAlGaInPGaP:ZnO紅色及紅外線鋁磷化鎵銦氮化鎵/氮化鎵磷化鎵磷化銦鎵鋁鋁磷化鎵InGaN/GaNGaPAlGaInPAlGaP綠色磷化鋁銦鎵砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵GaAsPAlGaInPAlGaInPGaP高亮度的橘紅色，橙色，黃色，綠色磷砷化鎵GaAsP紅色，橘紅色，黃色磷化鎵硒化鋅銦氮化鎵碳化硅GaPZnSeInGaNSiC紅色，黃色，綠色氮化鎵(GaN)綠色，翠綠色，藍(lán)色銦氮化鎵InGaN近紫外線，藍(lán)綠色，藍(lán)色碳化硅(用作襯底)SiC藍(lán)色硅(用作襯底)Si藍(lán)色藍(lán)寶石(用作襯底)Al2O3藍(lán)色硒化鋅ZnSe藍(lán)色鉆石C紫外線氮化鋁,氮化鋁鎵AlNAlGaN波長(zhǎng)為遠(yuǎn)至近的紫外線發(fā)光二極管LED燈特點(diǎn)編輯LED燈就是發(fā)光二極管，是采用固體半導(dǎo)體芯片為發(fā)光材料，與傳統(tǒng)燈具相比，LED燈節(jié)能、環(huán)保、顯色性與響應(yīng)速度好。[3]（一）節(jié)能是LED燈突出的特點(diǎn)在能耗方面，LED燈的能耗是白熾燈的十分之一，是節(jié)能燈的四分之一。這是LED燈的一個(gè)大的特點(diǎn)。現(xiàn)在的人們都崇尚節(jié)能環(huán)保。二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。廣東進(jìn)口Infineon英飛凌二極管工廠直銷

    因此務(wù)必在齊納二極管有電流經(jīng)過時(shí)進(jìn)行檢查。理想的情況是正負(fù)溫度系數(shù)完全相互抵消，但是這不切實(shí)際也沒有必要，簡(jiǎn)單的改進(jìn)便已足夠。在二極管具有高電壓且正溫度系數(shù)更高的情況下，可以使用兩個(gè)（或兩個(gè)以上）二極管改進(jìn)抵消的效果。圖2顯示了在工作溫度范圍為25°C~100°C時(shí)，在沒有串聯(lián)二極管、串聯(lián)一個(gè)二極管和串聯(lián)兩個(gè)二極管的情況下，圖1中計(jì)算得出的電壓調(diào)整偏差與不同齊納二極管輸出電壓的對(duì)比情況。圖2中的垂直線顯示增加串聯(lián)二極管后，在，與溫度相關(guān)的誤差可以減少3~5%。圖2：將一個(gè)或多個(gè)二極管與電壓值超過。第2個(gè)例子中使用了轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器要求電平移位器向控制電路發(fā)送輸出電壓信息。圖3是一個(gè)負(fù)輸入到正輸出的反相降壓-升壓電路。控制電路以-Vin軌為基準(zhǔn)，輸出電壓以接地端為基準(zhǔn)。為了使控制電路精確調(diào)整輸出電壓，電平移位器重建了“FB和-Vin”間的差分“Vout到GND”電壓。在這一實(shí)現(xiàn)中，約等于（Vout-VbeQ1）/R的電流源從Vout流向Vin。電流在較低電阻中流動(dòng)，重建以-Vin為基準(zhǔn)的輸出電壓。增加Q2，配置成二極管，可以恢復(fù)Q1產(chǎn)生的Vbe壓降損失。此時(shí)，除了與beta相關(guān)的小誤差，F(xiàn)B引腳處的電平位移電壓差不多復(fù)制了Vout和GND間的電壓。福建優(yōu)勢(shì)Infineon英飛凌二極管銷售價(jià)格通過在制造過程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小。

    空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和PN結(jié)五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動(dòng)，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過門檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導(dǎo)通。[6]二極管主要分類編輯二極管點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關(guān)電路中使用[5]。二極管面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用[5]。二極管平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小，用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大[5]。

    他們撞擊松的價(jià)電子且產(chǎn)生了額外的載流子。因?yàn)橐粋€(gè)載流子能通過撞擊來產(chǎn)生額外的成千上外的載流子就好像一個(gè)雪球能產(chǎn)生一場(chǎng)雪崩一樣，所以這個(gè)過程叫avalanchemultiplication。反向擊穿的另一個(gè)機(jī)制是，它能使粒子在不管有任何障礙存在時(shí)都能移動(dòng)一小段距離。如果耗盡區(qū)足夠薄，那么載流子就能靠tunneling跳躍過去。Tunneling電流主要取決于耗盡區(qū)寬度和結(jié)上的電壓差。Tunneling引起的反向擊穿稱為齊納擊穿。結(jié)的反向擊穿電壓取決于耗盡區(qū)的寬度。耗盡區(qū)越寬需要越高的擊穿電壓。就如先前討論的一樣，摻雜的越輕，耗盡區(qū)越寬，擊穿電壓越高。當(dāng)擊穿電壓低于5伏時(shí)，耗盡區(qū)太薄了，主要是齊納擊穿。當(dāng)擊穿電壓高于5伏時(shí)，主要是雪崩擊穿。設(shè)計(jì)出的主要工作于反向?qū)ǖ臓顟B(tài)的PN二極管根據(jù)占主導(dǎo)地位的工作機(jī)制分別稱為齊納二極管或雪崩二極管。齊納二極管的擊穿電壓低于5伏，而雪崩二極管的擊穿電壓高于5伏。通常工程師們不管他們的工作原理都把他們稱為齊納管。因此主要靠雪崩擊穿工作的7V齊納管可能會(huì)使人迷惑不解。實(shí)際上，結(jié)的擊穿電壓不僅和它的摻雜特性有關(guān)還和它的幾何形狀有關(guān)。以上討論分析了一種由兩種均勻摻雜的半導(dǎo)體區(qū)域在一個(gè)平面相交的平面結(jié)。二極管有兩個(gè)電極，正極，又叫陽(yáng)極；負(fù)極，又叫陰極。

    [4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過的大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時(shí)，就會(huì)使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管大整流電流值。[4]二極管高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí)，會(huì)將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰Α榱吮ＷC使用安全，規(guī)定了高反向工作電壓值。[4]二極管檢測(cè)方法編輯二極管小功率晶體二極管1.判別正、負(fù)電極（1）觀察外殼上的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極。[7]（2）觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼上，通常標(biāo)有極性色點(diǎn)(白色或紅色)。一般標(biāo)有色點(diǎn)的一端即為正極。還有的二極管上標(biāo)有色環(huán)，帶色環(huán)的一端則為負(fù)極。[7]（3）以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn)，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負(fù)極。(d)觀察二極管外殼，帶有銀色帶一端為負(fù)極。[7]2.檢測(cè)高反向擊穿電壓。對(duì)于交流電來說，因?yàn)椴粩嘧兓虼烁叻聪蚬ぷ麟妷阂簿褪嵌O管承受的交流峰值電壓。形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。山西品質(zhì)Infineon英飛凌二極管銷售價(jià)格

采用不同的摻雜工藝，通過擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上。廣東進(jìn)口Infineon英飛凌二極管工廠直銷

    外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。[5]當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。[5]二極管PN結(jié)形成原理P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。P型和N型半導(dǎo)體因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。[6]N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子。廣東進(jìn)口Infineon英飛凌二極管工廠直銷