以及位于所述外腔體內的用于進行工藝反應的內反應腔；所述內反應腔的側壁上設有自動門，所述自動門連接自動門控制器，工件自所述外腔體經所述自動門進入所述內反應腔中。進一步地，所述外腔體包括寶來利真空底板和沿所述寶來利真空底板周向設置的寶來利真空側壁；所述內反應腔包括第二底板和沿所述第二底板周向設置的第二側壁；所述寶來利真空底板與所述第二底板相互分離設置，所述寶來利真空側壁與所述第二側壁相互分離設置；所述寶來利真空側壁與蓋設于所述寶來利真空側壁上的密封蓋板密閉連接，所述第二側壁與所述密封蓋板相互分離設置。進一步地，所述自動門設置于所述第二側壁上，所述外腔體內設有傳送裝置，所述工件自所述傳送裝置經所述自動門傳遞至所述內反應腔中。進一步地，所述第二底板和/或所述第二側壁上設有用于對所述內反應腔進行控溫的溫控裝置。進一步地，所述溫控裝置包括溫控管，所述溫控管連接位于外腔體外的恒溫控制器。進一步地，所述溫控管包括加熱管和/或冷卻管。進一步地，所述加熱管包括電加熱管、水加熱管或油加熱管；所述冷卻管包括水冷卻管或油冷卻管。進一步地，所述溫控管纏繞于所述第二側壁的外部，且所述溫控管鋪設于所述第二底板的底部。寶來利真空鍍膜機性能穩定，膜層均勻耐磨，陶瓷鍍膜，有需要可以咨詢！上海光學鏡頭真空鍍膜機廠商

真空鍍膜設備在操作過程中，膜層不均勻的可能原因主要包括靶材與基片的距離不當、磁場設計不均勻以及乙炔引入不均勻等。具體內容如下：距離問題：靶材與待鍍基片之間的距離若未優化，會影響濺射的均勻性。磁場設計問題：磁控濺射的均勻性在很大程度上依賴于磁場的設計，如果磁場分布和強度不均，則會導致膜層均勻度不佳。氣體引入問題：如乙炔在反應濺射過程中引入不均，也會導致沉積膜層的質量在基片上存在差異。為了解決這些問題，可以考慮以下方案：調整靶材與基片間的距離：確保兩者間距離適宜，以便改善濺射的均勻性。優化磁場設計：通過改善和優化磁場的分布及強度，提高靶材表面離子轟擊的均勻性，進而提升膜層均勻度。旋轉基片或靶材：在濺射過程中，改變它們的相對位置和角度，使得材料能夠更均勻地分布在基片上。上海面罩變光真空鍍膜機供應商家寶來利多弧離子真空鍍膜機性能穩定，膜層均勻耐磨，細膩有光澤，有需要可以來咨詢！

如圖3所示，所述溫控裝置包括溫控管40，所述溫控管40連接位于外腔體10外的恒溫控制器41。溫控管40的引入口及引出口與外部的恒溫控制器41連接，恒溫控制器41可用于恒溫制冷也可用于恒溫加熱，保證內反應腔20中的溫度可以持續恒定，從而使工藝反應區域內的工藝環境溫度更穩定。經過在真空鍍膜設備上的實際應用驗證，該真空腔體對于工藝成膜質量及鍍膜均勻性均有十分有效的改善和提升。其中，溫控管40包括加熱管和/或冷卻管。一般情況下，在工藝反應過程中，通常需要升溫以完成相關的工藝反應，因此，溫控管40包括必要的加熱管，而冷卻管可以根據實際的工藝需要選選擇性地添加即可。例如，若在工藝反應過程中，需要進行快速降溫，此時可以設置冷卻管。所述加熱管非限制性地例如可以為電加熱管、水加熱管或油加熱管。冷卻管例如可以為水冷卻管或油冷卻管。為了增加溫控效果，第二側壁22和第二底板21處均設有溫控管40。其中，所述溫控管40纏繞于所述第二側壁22的外部，且所述溫控管40鋪設于所述第二底板21的底部。除上述纏繞方式外，還可以用埋設的方式鋪設加熱管，例如，所述第二底板21內和所述第二側壁22內均設有用于穿設溫控管40的通道，所述溫控管40埋設于所述通道內。

通過上述說明可知，溫控管40的設置形式多種多樣，本實用新型并不限制溫控管40的具體設置形式，例如可以按照上述溫控管40纏繞并固定的形式，也可以按照在第二側壁22或第二底板21上安裝水套或設通道的形式，只要求保證使用時溫控管40可耐壓耐溫不出現滲漏或漏電現象即可。另一方面，本實用新型一種實施方式的真空鍍膜設備，包括機械模塊部件、工藝模塊部件和實施例一的真空反應腔室，所述工藝模塊部件位于所述內反應腔20內，部分所述機械模塊部件位于所述外腔體10內。該真空鍍膜設備包括本實用新型的真空反應腔室，因此，該真空鍍膜設備具有上述真空反應腔室的全部***，在此不再贅述。其中，設置于外腔體10內的部分機械模塊部件為與工藝反應無關的一些傳動機械部件、升降機械部件等等，另一部與工藝反應相關的機械部件，如鍍膜靶材的轉動部件等等則設置于內反應腔20中。具體的，可以根據真空鍍膜設備的具體結構而定。該真空鍍膜設備中，由于真空反應腔室設計成內外腔結構，同時，通過設置溫控裝置，可以有效地保證工藝環境封閉、恒溫、外部污染源少，為工藝反應提供了更為穩定、純凈的環境。通過實際實驗證明，反應區域溫度環境更均勻。品質真空鍍膜機，請選丹陽市寶來利真空機電有限公司，有需要可以電話聯系！

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所描述的實施例是本實用新型的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。本實用新型一種實施方式的真空反應腔室，其結構如圖1和圖2所示，包括：用于提供真空環境的外腔體10，以及位于所述外腔體10內的用于進行工藝反應的內反應腔20；所述內反應腔20的側壁上設有自動門23，所述自動門23連接自動門控制器，工件自所述外腔體10經所述自動門23進入所述內反應腔20中。本實施方式提供的真空反應腔室，外腔室和內反應腔20為嵌套結構，其內反應腔20位于外腔室內。該結構中，相當于設置了兩個腔室，其中外腔體10用于隔絕大氣，提供真空環境，而內反應腔20中的區域為工藝反應區，形成相對封閉的工藝環境，相關工藝反應在內反應腔20中進行。由于采用雙腔室結構，可以將工藝模塊部件設置于內反應腔20中，而與工藝反應無直接關系的機械模塊部件則被設置于外腔室中。經抽真空處理后，位于外腔體10中的工件再經自動門23進入內反應腔20中進行工藝反應，可以有效避免設備雜質和工件雜質進入內反應腔20中。該結構可以避免工藝環境外的污染源進入工藝反應區域。上海光學鏡頭真空鍍膜機廠商