EAP配置中低電容ESD保護二極管:它由三個二極管組成:低電容二極管1和二極管2(電容分別為C(1)和C(2))和高電容二極管3(電容為C(3))。二極管1和二極管2的pn結面積小,反向擊穿電壓(V(BR))高,而二極管3的pn結面積大,并且有足夠大的反向擊穿電壓(V(BR))。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1,加到陰極的ESD電流沿正向流過二極管2,然后反向流過二極管3,因為二極管3的V(BR)低于二極管1。通常,二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結面積較小,因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而,ESD保護二極管配置如圖3.5(a)所示時,ESD電流不會反向流過二極管1和二極管2。因此,這個電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5(b)顯示這個ESD保護二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯,可以減小組合電容。此外,由于該電路V(BR)由二極管3的V(BR)決定,因此可以根據被保護的信號線調整二極管3的V(BR),從而提高ESD抗擾度。齊納二極管在超過其齊納電壓時導通,用于限制電壓峰值。深圳標準ESD保護二極管SR12D3BL型號報價
總電容由二極管結電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結電容。反向偏置時,二極管因pn結(p:p型半導體,n:n型半導體)形成耗盡層產生電容。與電容相反,耗盡層起阻擋層的作用,只有少數載流子通過。降低半導體區摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此,為了減小二極管的電容,有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓(V(BR)),但任何一種方式都會導致ESD抗擾度下降。當兩個二極管串聯時,它們的組合電容減小。此外,二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容(C(t))ESD保護二極管采用ESD二極管陣列工藝(EAP)制造,多個二極管組合在一起減小電容,不影響ESD抗擾度。深圳星河微/SReleicsESD保護二極管SR08D3BL型號多少錢星河微ESD靜電保護二極管可在各種環境下工作,包括高溫、低溫、高濕度、低濕度等條件下。
反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當pn結反向偏置時,耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區價帶與n型區導帶之間的間隙減小。因此,由于量子隧穿效應,電子從p型區價帶隧穿到n型區導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區導致反向電流突然增加的現象。齊納擊穿如圖1.3所示。當pn反向偏置時,少量電子通過pn結。這些電子在耗盡層被電場加速,獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產生電子空穴。這些原子的電子被激發到導帶并脫離,成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞,產生更多的電子-空穴對,導致電子進一步脫離的過程。這種現象稱為雪崩擊穿。
保護二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護二極管,還可以用作穩壓器。保護二極管專門用于保護電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下,用于穩壓的齊納二極管擊穿模式下保持導通。保護二極管用作浪涌保護電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時導通。當小電流(IZ)從陰極(K)流到陽極(A)時,二極管兩端的電壓可用作恒壓源(VZ)。可用功率受二極管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。ESD保護二極管插在信號線與GND之間,保護受保護器件(DUP)免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下(即沒有ESD浪涌情況),除極少量電流(IR)流過二極管使其反向擊穿電壓(VBR)高于信號線電壓之外,幾乎沒有電流流過ESD保護二極管。當高于反向擊穿電壓 (VBR)的浪涌電壓進入信號線時,ESD保護二極管將大量電流分流到GND,從而抑制浪涌電壓低于反向擊穿電壓(VBR)。ESD保護二極管是現代電子設備中不可或缺的組件,它們通過快速響應和導通。
ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此,這些二極管在穩態下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器(LPF),因此ESD保護二極管會造成插入損耗(IL),降低信號質量,取決其速度(特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質量)。當浪涌或外部噪聲通過連接器進入系統時,對后面器件(如IC)的影響很大程度上取決于是否有ESD保護二極管。沒有ESD保護二極管,浪涌電流全部直接流入敏感器件,造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護二極管,大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護二極管動態電阻(Rdyn)表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動態電流ESD保護二極管能將更多浪涌電流分流到GND。這種二極管也有助于降低動態電阻,即端子之間電阻的電壓(稱為鉗位電壓)。ESD保護二極管動態電阻低,可減小流入受保護器件(DUP)的浪涌電流,從而為DUP提供更可靠保護。DW05DLC-B-S:東沃品牌的型號,工作電壓為 5V,保護線路數為單路。廣州定制ESD保護二極管SR24D3BL型號多少錢
ESD 保護二極管可以在靜電放電瞬間迅速導通,將靜電電流引導到地,從而保護電子設備中的敏感元件。深圳標準ESD保護二極管SR12D3BL型號報價
高低鉗位電壓(VC)ESD保護二極管的波形效果。這些波形采集于受保護器件(DUP)輸入端。具有低VC的ESD保 護二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高VC的ESD保護二極管。ESD波形曲線下的面積越小,受保護器件(DUP)受到的損壞越小。因此,具有低VC的ESD保護二極管可提供更好的ESD脈沖保護。此外,一些ESD保護二極管在ESD進入后不會立即響應。因此,如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護二極管的VC,則可能施加到受保護器件,造成故障或破壞。ESD保護二極管響應速度高于其他類型保護器件。此外,東芝正在優化芯片工藝和內部器件結構,進一步降低***個峰值電壓,從而在初始階段對ESD峰值電壓提供更可靠的保護。深圳標準ESD保護二極管SR12D3BL型號報價