MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

3.絕緣層上的硅蝕刻即SOI器件刻蝕：先進的微機電組件包含精細的可移動性零組件，例如應用于加速計、陀螺儀、偏斜透鏡(tilting mirrors).共振器(resonators)、閥門、泵、及渦輪葉片等組件的懸臂梁。這些許多的零組件，是以深硅蝕刻方法在晶圓的正面制造，接著藉由橫方向的等向性底部蝕刻的方法從基材脫離，此方法正是典型的表面細微加工技術。而此技術有一項特點是以掩埋的一層材料氧化硅作為針對非等向性蝕刻的蝕刻終止層，達成以等向性蝕刻實現組件與基材間脫離的結構(如懸臂梁)。由于二氧化硅在硅蝕刻工藝中，具有高蝕刻選擇比且在各種尺寸的絕緣層上硅晶材料可輕易生成的特性，通常被采用作為掩埋的蝕刻終止層材料。 MEMS具有以下幾個基本特點？發展MEMS微納米加工之超透鏡定制

MEMS的采樣精度，速度，適用性都可以達到較高水平，同時由于其體積優勢可直接植入人體，是醫療輔助設備中關鍵的組成部分。傳統大型醫療器械優勢明顯，精度高，但價格昂貴，普及難度較大，且一般一臺設備只完成單一功能。相比之下，某些醫療目標可以通過MEMS技術，利用其體積小的優勢，深入接觸測量目標，在達到一定的精度下，降低成本，完成多重功能的整合。以近期所了解的一些MEMS項目為例，通過MEMS生物傳感器對體內某些指標進行測量，同時MEMS執行器（actuator）可直接作用于病變組織進行更直接的醫療，同時系統可以通過MEMS能量收集器進行無線供電，多組單元可以通過MEMS通信器進行信息傳輸。個人認為，MEMS醫療前景廣闊，不過離成熟運用還有不短的距離，尤其考慮到技術難度，可靠性，人體安全等。貴州MEMS微納米加工代加工MEMS的超透鏡是什么？

微機電系統是微米大小的機械系統，其中也包括不同形狀的三維平板印刷產生的系統。這些系統的大小一般在微米到毫米之間。在這個大小范圍中日常的物理經驗往往不適用。比如由于微機電系統的面積對體積比比一般日常生活中的機械系統要大得多，其表面現象如靜電、潤濕等比體積現象如慣性或熱容量等要重要。它們一般是由類似于生產半導體的技術如表面微加工、體型微加工等技術制造的。其中包括更改的硅加工方法如光刻、磁控濺射PVD、氣相沉積CVD、電鍍、濕蝕刻、ICP干蝕刻、電火花加工等等。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

3.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導體平面工藝制作的，所以它具有很好的一致性和重復性，易于大量生產，而且當使用某些單晶材料或復合材料時，聲表面波器件具有極高的溫度穩定性。

4.聲表面波器件的抗輻射能力強，動態范圍很大，可達100dB。這是因為它利用的是晶體表面的彈性波而不涉及電子的遷移過程

此外，在很多情況下，聲表面波器件的性能還遠遠超過了很好的電磁波器件所能達到的水平。比如用聲表面波可以作成時間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器，在UHF頻段內可以作成Q 值超過五萬的諧振腔，以及可以作成帶外抑制達70dB 、頻率達1 低Hz 的帶通濾波器 MEMS常見的產品-壓力傳感器。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的原理：

  聲表面波器件是在壓電基片上制作兩個聲一電換能器一叉指換能器。所謂叉指換能器就是在壓電基片表面上形成形狀像兩只手的手指交叉狀的金屬圖案，它的作用是實現聲一電換能。聲表面波SAW器件的工作原理是，基片左端的換能器(輸入換能器)通過逆壓電效應將愉入的電信號轉變成聲信號，此聲信號沿基片表面傳播，然后由基片右邊的換能器(輸出換能器)將聲信號轉變成電信號輸出。整個聲表面波器件的功能是通過對在壓電基片上傳播的聲信號進行各種處理，并利用聲一電換能器的特性來完成的。 基于柔性PI材料的MEMS太赫茲超表面器件在military project領域和生物科技上應用非常有前景。貴州MEMS微納米加工代加工

磁傳感器和MEMS磁傳感器有什么區別？發展MEMS微納米加工之超透鏡定制

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材，如壓力傳感器即為一例，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞，但未蝕穿正面，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上。基于Bosch工藝的一項特點，當要維持一個近乎于垂直且平滑的側壁輪廓時，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達到很高的蝕刻率，一般避免不了伴隨產生具有輕微傾斜角度的側壁輪廓。不過當采用這類塊體蝕刻時，工藝中很少需要垂直的側壁。

2.準確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小、垂直度和側壁輪廓平滑性上升為關鍵因素的組件而設計的。就微機電組件而言，需要該方法的組件包括微光機電系統及浮雕印模等。一般說來，此類特性要求，蝕刻率的均勻度控制是遠比蝕刻率重要得多。由于蝕刻劑在蝕刻反應區附近消耗率高，引發蝕刻劑密度相對降低，而在晶圓邊緣蝕刻率會相應地增加，整片晶圓上的均勻度問題應運而生。上述問題可憑借對等離子或離子轟擊的分布圖予以校正，從而達到均鐘刻的目的。 發展MEMS微納米加工之超透鏡定制