圖3示出了印刷電路板202、集成電路204a、204b、熱接口材料206a、206b的層、散熱器板208a、208b以及彈性夾210a、210b、210c。所公開的技術的特別值得注意的特征包括散熱器板208的頂表面302，所述頂表面由越過印刷電路板202的與連接側304相對的側延伸的一個或多個側板208形成。這些特征將在下面更詳細地討論。圖4a示出了根據一個實施例的兩個相同的印刷電路裝配件400a和400b。印刷電路裝配件400a和400b中的每個包括系統板402，多個印刷電路板插座平行地安裝在系統板上，所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座標記為404。冷卻管406鄰接地且平行于每個印刷電路板插座404地安裝。熱接口材料層408在冷卻管的與系統板402相對的一側布置在每個冷卻管406上，并且熱耦聯至該冷卻管406。多個雙列直插式存儲模塊組件電耦聯至系統板402，所述雙列直插式存儲模塊組件中的一個雙列直插式存儲模塊組件標記為200。特別地，每個雙列直插式存儲模塊組件200的連接側304布置在印刷電路板插座404中的一個印刷電路板插座中。當所述兩個印刷電路裝配件400a和400b相對地放置在一起，如圖4b中所示出的那樣。中國集成電路是世界上少有的具有設計、制造、封測、裝備和材料五大板塊齊整的產業。東莞集成電路芯片

    存取晶體管)用于在讀取和/或寫入操作期間選擇性地向相關的mtj器件提供電壓和/或電流。因為mram單元通常對寫入操作使用相對高的電壓和/或電流，所以驅動晶體管的尺寸可能相對較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對大尺寸的驅動晶體管限制了存儲器陣列內的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個存儲單元(例如，mram單元)的存儲器陣列，存儲單元不包括驅動晶體管(即，不使用驅動晶體管來對存儲單元提供電壓和/或電流)。而且，多個存儲單元分別包括調節訪問裝置。該調節訪問裝置被配置為選擇性地對存儲器陣列內的工作mtj器件提供訪問。調節訪問裝置具有連接至工作mtj器件的一個或多個調節mtj器件。一個或多個調節mtj器件被配置為通過控制(即。調節)提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對工作mtj器件提供訪問。通過使用調節訪問裝置來選擇性地對存儲器陣列內的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲器陣列內的存儲單元(例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR。江蘇扁平形集成電路工藝集成電路產業是數字經濟的基礎產業，是構筑我國經濟未來競爭新優勢的基礎力量來源之一。

    本申請涉及一種集成電路封裝結構，尤其是集成電路的小型化與高功率密度化的封裝結構。背景技術：集成電路在滿足摩爾定律的基礎上尺寸越做越小。尺寸越小，技術進步越困難。而設備的智能化，小型化，功率密度的程度越來越高，為解決設備小型化，智能化，超高功率密度這些問題，不但需要提升各種功能的管芯的功能，效率，縮小其面積，體積；還需要在封裝技術層面上完成小型化，集成化，高功率密度化等技術要求，并解決由此帶來的集成電路的散熱問題，生產工藝復雜，生產周期長，生產成本高等問題?，F有很多集成電路封裝結構，有沿用常規的封裝方式，采用框架安裝各種管芯，采用線材鍵合作電氣聯結，在功率較大時，常常采用較粗的鍵合線和較多的鍵合線。此類封裝方式有比如ipm模組的dip封裝，單顆mosfet的to220封裝等，此類封裝體積通常都比較大，不適宜小型化應用。由于需要多根鍵合線，鍵合工序周期長，成本高，從而導致總體性價比不高。而為了解決高功率密度的問題，qfn封裝方式由于帶有較大散熱片常常在一些要求高功率密度的產品上得到廣泛的應用；在qfn封裝內部，鍵合線由金線，銅線，鋁線轉向具有大通流能力的鋁片，銅片，并由此減少了接觸電阻，降低了封裝的寄生參數。

    例如，邏輯“”)。調節訪問裝置分別具有通過其可以控制提供給相關的工作mtj器件的電流的電阻。例如，調節訪問裝置a,被配置為控制提供給工作mtj器件a,的電流，調節訪問裝置b,被配置為控制提供給工作mtj器件b,的電流等。調節訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對存儲器陣列內的一個或多個工作mtj器件提供訪問。在一些實施例中，調節訪問裝置可以包括一個或多個調節mtj器件，一個或多個調節mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如，在一些實施例中，調節訪問裝置可以包括與相關的工作mtj器件連接的并聯連接的調節mtj器件和調節mtj器件。在一些實施例中。調節mtj器件、調節mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實施例中，調節訪問裝置可以包括一個或多個電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如。集成電路行業具有生產技術工序難度高、芯片品類眾多、技術迭代速度快、高投入與高風險并存等特點。

    每個系統板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統板相對地放置在一起時，每個系統板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統和系統中的一個或多個元素/部件。圖1是系統100的關系圖，在該系統中可以實施不同實施例。系統100包括計算部件120，所述計算部件包括處理器104和存儲器106。存儲器106包括多個雙列直插式存儲模塊組件108。系統100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲模塊組件108。由雙列直插式存儲模塊組件108產生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲液器114適應液體體積的改變。集成電路可以把模擬和數字電路集成在一個單芯片上，以做出如模擬數字轉換器和數字模擬轉換器等器件。江蘇專業控制集成電路

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    出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例的示意圖，該調節訪問裝置包括調節mtj器件，該調節mtj器件被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。圖a至圖c示出了圖的公開的存儲器電路的讀取和寫入操作的一些實施例的示意圖。圖a至圖b示出了對應于圖的公開的存儲器電路的集成芯片的截面圖的一些實施例。圖a至圖b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例。該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業控制、醫療器械、儀器儀表、安防監控等領域。本公司一直秉承優勢服務，誠信合作的原則，以現代化管理以及優勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系，為廣大廠商和市場客戶提供優勢的產品服務。圖a至圖b示出了具有調節訪問裝置的存儲器電路的一些額外實施例，該調節訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。東莞集成電路芯片