DDR測試DDR/LPDDR簡介目前在計算機主板和各種嵌入式的應用中，存儲器是必不可少的。常用的存儲器有兩種：一種是非易失性的，即掉電不會丟失數據，常用的有Flash(閃存)或者ROM(Read-OnlyMemory),這種存儲器速度較慢，主要用于存儲程序代碼、文件以及長久的數據信息等；另一種是易失性的，即掉電會丟失數據，常用的有RAM(RandomAccessMemory,隨機存儲器),這種存儲器運行速度較快，主要用于程序運行時的程序或者數據緩存等。圖5.1是市面上一些主流存儲器類型的劃分DDR4信號質量自動測試軟件報告；河北DDR測試配件

DDR測試

DDR信號的要求是針對DDR顆粒的引腳上的，但是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測試到。即使采用了BGA轉接板的方式，其測試到的信號與芯片引腳處的信號也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳處的信號質量，一種常用的方法是在示波器中對PCB走線和測試夾具的影響進行軟件的去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個鏈路上各部分的S參數模型文件(通常通過仿真或者實測得到),并根據實際測試點和期望觀察到的點之間的傳輸函數，來計算期望位置處的信號波形，再對這個信號做進一步的波形參數測量和統計。圖5.15展示了典型的DDR4和DDR5信號質量測試環境，以及在示波器中進行去嵌入操作的界面。 智能化多端口矩陣測試DDR測試聯系人DDR信號的眼圖模板要求那些定義；

4.為了解決上述技術問題，本發明提供了一種ddr4內存信號測試方法、裝置及存儲介質，可以反映正常工作狀態下的波形，可以提高測試效率。5.為實現上述目的，本技術提出技術方案：6.一種ddr4內存信號測試方法，所述方法包括以下步驟：7.s1，將服務器、ddr4內存和示波器置于正常工作狀態，然后利用示波器采集ddr4內存中的相關信號并確定標志信號；8.s2，根據標志信號對示波器進行相關參數配置，利用示波器的觸發功能將ddr4內存的信號進行讀寫信號分離；9.s3，利用示波器對分離后的讀寫信號進行測試。10.在本發明的一個實施例中，所述將服務器、ddr4內存和示波器置于正常工作狀態，然后利用示波器采集ddr4內存中的相關信號并確定標志信號，具體包括：11.將示波器與ddr4內存的相關信號引腳進行信號連接；12.將服務器、ddr4內存和示波器置于正常工作狀態；13.利用示波器對ddr4內存的相關信號進行采集并根據相關信號的波形確定標志信號。

DDR測試信號和協議測試

DDR4一致性測試工作臺（用示波器中的一致性測試軟件分析DDR仿真波形）對DDR5來說，設計更為復雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應用IBIS模型針對基于DDR5顆?；駾IMM的系統進行仿真驗證，比如仿真驅動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數字信號測試實驗室

地址：深圳市南山區南頭街道中祥路8號君翔達大廈A棟2樓H區 DDR的規范要求進行需求；

14.在本發明的一個實施例中，所述相關信號包括dqs信號、clk信號和dq信號，所述標志信號為dqs信號。15.在本發明的一個實施例中，所述根據標志信號對示波器進行相關參數配置，具體包括：16.利用示波器分別采集標志信號在數據讀取和數據寫入過程中的電平幅值；17.對標志信號在數據讀取和數據寫入過程中的電平幅值進行比較，確定標志信號的電平閾值；18.在示波器中配置標志信號的電平閾值。19.在本發明的一個實施例中，所述利用示波器的觸發功能將ddr4內存的讀寫信號進行信號分離，具體包括：20.將標志信號的實時電平幅值與標志信號的電平閾值進行比較；21.將大于電平閾值的標志信號和小于電平閾值的標志信號分別進行信號的分離，得到數據讀取和數據寫入過程中的標志信號。DDR4關于信號建立保持是的定義；吉林校準DDR測試

DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統計；河北DDR測試配件

實際的電源完整性是相當復雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號的切換頻率和PCB耗電網絡。對于PCB設計來說，目標阻抗的去耦設計是相對來說比較簡單的，也是比較實際的解決方案。在DDR的設計上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過一兩個去耦電容就可以達到目標阻抗的要求。由于Vref相當重要，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳。然而，對VTT的布線是具有相當大的挑戰性，因為它不只要有嚴格的容差性，而且還有很大的瞬間電流，不過此電流的大小可以很容易的就計算出來。終，可以通過增加去耦電容來實現它的目標阻抗匹配。在4層板的PCB里，層之間的間距比較大，從而失去其電源層間的電容優勢，所以，去耦電容的數量將增加，尤其是小于10nF的高頻電容。詳細的計算和仿真可以通過EDA工具來實現。河北DDR測試配件

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