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湖南DDR一致性測(cè)試市場(chǎng)價(jià)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-03

由于讀/寫時(shí)序不一樣造成的另一個(gè)問題是眼圖的測(cè)量。在DDR3及之前的規(guī)范中沒 有要求進(jìn)行眼圖測(cè)試,但是很多時(shí)候眼圖測(cè)試是一種快速、直觀衡量信號(hào)質(zhì)量的方法,所以 許多用戶希望通過眼圖來評(píng)估信號(hào)質(zhì)量。而對(duì)于DDR4的信號(hào)來說,由于時(shí)間和幅度的余量更小,必須考慮隨機(jī)抖動(dòng)和隨機(jī)噪聲帶來的誤碼率的影響,而不是做簡(jiǎn)單的建立/保  持時(shí)間的測(cè)量。因此在DDR4的測(cè)試要求中,就需要像很多高速串行總線一樣對(duì)信號(hào)疊加  生成眼圖,并根據(jù)誤碼率要求進(jìn)行隨機(jī)成分的外推,然后與要求的小信號(hào)張開窗口(類似  模板)進(jìn)行比較。圖5 . 8是DDR4規(guī)范中建議的眼圖張開窗口的測(cè)量方法(參考資料: JEDEC     STANDARD    DDR4     SDRAM,JESD79-4)。DDR、DDR2、DDR3、DDR4都有什么區(qū)別?湖南DDR一致性測(cè)試市場(chǎng)價(jià)

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DDR總線一致性測(cè)試

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線一致性測(cè)量概述

高速數(shù)字系統(tǒng)使用了各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線,對(duì)這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線進(jìn)行規(guī)范一致性測(cè)量是確 保系統(tǒng)工作穩(wěn)定和可靠的關(guān)鍵點(diǎn)之一。“一致性”是對(duì)英文單詞“Compliance”的中文解釋, 美國(guó)把按工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范進(jìn)行的電氣參數(shù)測(cè)量叫作一致性測(cè)量。

測(cè)試這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線,完整和可靠的測(cè)試方案是非常重要的。完整的測(cè)試方案不僅保證測(cè)試準(zhǔn)確度,還可以大量節(jié)省測(cè)試時(shí)間,提高工作效率。

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線完整的測(cè)試方案一般包括幾部分:測(cè)試夾具;探頭和附件;自動(dòng)測(cè)試軟件;測(cè)試儀器。 湖南DDR一致性測(cè)試市場(chǎng)價(jià)4代DDR之間有什么區(qū)別?

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DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3 . 0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過很多高速的串行總線 由于接收端放置有均衡器,因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣 信 號(hào) 下 的 表 現(xiàn) 。 對(duì) 于 D D R 來 說 , D D R 4 及 之 前 的 總 線 接 收 端 還 相 對(duì) 比 較 簡(jiǎn) 單 , 只 是 做 一 些 匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5 . 19),由于信號(hào)速率更高,因此接收端也 開 始 采 用 很 多 高 速 串 行 總 線 中 使 用 的 可 變 增 益 調(diào) 整 以 及 均 衡 器 技 術(shù) , 這 也 使 得 D D R 5 測(cè) 試 中必須關(guān)注接收均衡器的影響,這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。

自動(dòng)化一致性測(cè)試

因?yàn)镈DR3總線測(cè)試信號(hào)多,測(cè)試參數(shù)多,測(cè)試工作量非常大,所以如果不使用自動(dòng)化 的方案,則按Jedec規(guī)范完全測(cè)完要求的參數(shù)可能需要7?14天。提供了全自動(dòng)的DDR測(cè)試 軟件,包括:支持DDR2/LPDDR2的N5413B軟件;支持DDR3/LPDDR3的U7231B軟件; 支持DDR4的N6462A軟件。DDR測(cè)試軟件的使用非常簡(jiǎn)便,用戶只需要 按順序選擇好測(cè)試速率、測(cè)試項(xiàng)目并根據(jù)提示進(jìn)行參數(shù)設(shè)置和連接,然后運(yùn)行測(cè)試軟件即可。 DDR4測(cè)試軟件使用界面的例子。 什么是DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5;

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需要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以 DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定 了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求,因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信 號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來說,不同控制器芯片廠商有不同的要 求,目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在 內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn),并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。DDR4 總線物理層仿真測(cè)試和協(xié)議層的測(cè)試方案;DDR一致性測(cè)試商家

DDR2 3 4物理層一致性測(cè)試;湖南DDR一致性測(cè)試市場(chǎng)價(jià)

對(duì)DDR5來說,設(shè)計(jì)更為復(fù)雜,仿真軟件需要幫助用戶通過應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于 DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證,比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄 生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4taps DFE(4抽頭 判決反饋均衡)等。

DDR的讀寫信號(hào)分離

對(duì)于DDR總線來說,真實(shí)總線上總是讀寫同時(shí)存在的。規(guī)范對(duì)于讀時(shí)序和寫時(shí)序的 相關(guān)時(shí)間參數(shù)要求是不一樣的,讀信號(hào)的測(cè)量要參考讀時(shí)序的要求,寫信號(hào)的測(cè)量要參考寫 時(shí)序的要求。因此要進(jìn)行DDR信號(hào)的測(cè)試,第一步要做的是從真實(shí)工作的總線上把感興 趣的讀信號(hào)或者寫信號(hào)分離出來。JEDEC協(xié)會(huì)規(guī)定的DDR4總線的 一個(gè)工作時(shí) 序圖(參考資料: JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到對(duì)于讀和寫信 號(hào)來說,DQS和DQ間的時(shí)序關(guān)系是不一樣的。 湖南DDR一致性測(cè)試市場(chǎng)價(jià)