只在TOP和BOTTOM層進行了布線，存儲器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構成。而在DIMM的案例里，只有一個不帶緩存的DIMM被使用。對TOP/BOTTOM層布線的一個閃照圖和信號完整性仿真圖。

ADDRESS和CLOCK網絡，右邊的是DATA和DQS網絡，其時鐘頻率在800 MHz，數據通信率為1600Mbps

ADDRESS和CLOCK網絡，右邊的是DATA和DQS網絡，其時鐘頻率在400 MHz，數據通信率為800Mbps

ADDRESS和CLOCK網絡，右邊的是DATA和DQS網絡

個經過比較過的數據信號眼圖，一個是仿真的結果，而另一個是實際測量的。在上面的所有案例里，波形的完整性的完美程度都是令人興奮的。

11.結論本文，針對DDR2/DDR3的設計，SI和PI的各種相關因素都做了的介紹。對于在4層板里設計800Mbps的DDR2和DDR3是可行的，但是對于DDR3-1600Mbps是具有很大的挑戰性。 DDR3規范里關于信號建立保持是的定義；吉林DDR測試價目表

7.時序對于時序的計算和分析在一些相關文獻里有詳細的介紹，下面列出需要設置和分析的8個方面：1）寫建立分析：DQvs.DQS2）寫保持分析：DQvs.DQS3）讀建立分析：DQvs.DQS4）讀保持分析：DQvs.DQS5）寫建立分析：DQSvs.CLK6）寫保持分析：DQSvs.CLK7）寫建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）寫保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK

一個針對寫建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些數據需要從控制器和存儲器廠家獲取，段”Interconnect”的數據是取之于SI仿真工具。對于DDR2上面所有的8項都是需要分析的，而對于DDR3，5項和6項不需要考慮。在PCB設計時，長度方面的容差必須要保證totalmargin是正的。 吉林DDR測試價目表DDR協議檢查后生成的測試報告；

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態隨機存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數據存儲需要多個晶體管，不容易實現大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數據存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經成為大容量RAM的主流，典型的如現在的PC、服務器、嵌入式系統上用的大容量內存都是DRAM。

DDR測試

什么是DDR？

DDR是雙倍數據速率(DoubleDataRate)。DDR與普通同步動態隨機內存（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（現在被稱為SDR）與標準DRAM有所不同。標準的DRAM接收的地址命令由二個地址字組成。為節省輸入管腳，采用了復用方式。地址字由行地址選通（RAS）鎖存在DRAM芯片。緊隨RAS命令之后，列地址選通（CAS）鎖存第二地址字。經過RAS和CAS，存儲的數據可以被讀取。同步動態隨機內存（SDRDRAM)將時鐘與標準DRAM結合，RAS、CAS、數據有效均在時鐘脈沖的上升邊沿被啟動。根據時鐘指示，可以預測數據和其它信號的位置。因而，數據鎖存選通可以精確定位。由于數據有效窗口的可預計性，所以可將內存劃分成4個組進行內部單元的預充電和預獲取。通過突發模式，可進行連續地址獲取而不必重復RAS選通。連續CAS選通可對來自相同行的數據進行讀取。 DDR的信號探測技術方法；

6.信號及電源完整性這里的電源完整性指的是在比較大的信號切換情況下，其電源的容差性。當未符合此容差要求時，將會導致很多的問題，比如加大時鐘抖動、數據抖動和串擾。這里，可以很好的理解與去偶相關的理論，現在從”目標阻抗”的公式定義開始討論。Ztarget=Voltagetolerance/TransientCurrent（1）在這里，關鍵是要去理解在差的切換情況下瞬間電流（TransientCurrent）的影響，另一個重要因素是切換的頻率。在所有的頻率范圍里，去耦網絡必須確保它的阻抗等于或小于目標阻抗（Ztarget）。在一塊PCB上，由電源和地層所構成的電容，以及所有的去耦電容，必須能夠確保在100KHz左右到100-200MH左右之間的去耦作用。頻率在100KHz以下，在電壓調節模塊里的大電容可以很好的進行去耦。而頻率在200MHz以上的，則應該由片上電容或用的封裝好的電容進行去耦。DDR測試眼圖測試時序測試抖動測試；吉林DDR測試價目表

DDR有那些測試解決方案；吉林DDR測試價目表

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時，設計一種拓撲結構變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性。互聯通道的另一參數阻抗，在DDR2的設計時必須是恒定連續的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設計時，單端信號的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設計到ADDR/CMD/CNTRL信號線上，這已經被證明有很多的優點。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據SI仿真的結果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。吉林DDR測試價目表