[7]二極管雙向觸發二極管將萬用表置于相應的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進行比較，兩者的較為值之差越小，說明被測雙向觸發二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。[8]對于雙向極型的瞬態電壓抑制二極管，任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識別正、負極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區別是其色標顏色不同，普通二極管的色標顏色一般為黑色，而高頻變阻二極管的色標顏色則為淺色。其極性規律與普通二極管相似，即帶綠色環的一端為負極，不帶綠色環一端為正極。[8]二極管變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。[8]二極管單色發光二極管在萬用表外部附接一節能，將萬用表置R×10或R×100擋。按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。山西脈沖可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存

而單向可控硅經觸發后只能從其中陽極向陰極單方行為向導通，所以采用可控硅有單雙向關系之分。電子生產中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發型;按電壓分：常規工作電壓進行品種、高壓品種。可控硅產品由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門單獨的學科。“晶閘管交流技術”。可控硅發展到，在工藝上已經非常成熟，質量更好，收率有了很大的提高，并向高壓大電流發展。可控硅在應用電路中的作用體現在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流→可變直流之轉變;無觸點功率靜態開關（固態開關）：作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣應用于各種電子設備和電子產品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等用途。寧夏功率半導體igbt可控硅（晶閘管）日本富士可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。

這對晶閘管是非常危險的。開關引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產生例如，交流以及開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些系統過電壓問題由于我國變壓器內部繞組的分布進行電容、漏抗造成的諧振控制回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉運動速度越來越快過電壓能力越高，在空載情況下可以斷開回路設計將會有更高的過電壓。（2）直流側產生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大，就會產生較大的過電壓。這種情況經常出現在切斷負荷、導通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時，引起電流突變。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層殘存載流子復合所產生的，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓。換相過電壓之后，出現換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產生的振蕩電壓，其值與換相結束后的反向電壓有關。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因，可以采取不同的抑制方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；抑制過電壓能量上升的速率，延緩已產生能量的消散速度，增加其消散的途徑。

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯在一起。我們把這種聯接叫做反向并聯。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導通。對雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講，對一個管子是陽極，對另一個管子就是陰極，反過來也一樣。因此，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓，它都能被觸發導通。不*如此，雙向晶閘管還有一個重要的特點，這就是：不管觸發信號的極性如何，也就是不管所加的觸發信號電壓UG對T1是正向還是反向，雙向晶閘管都能被觸發導通。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的。快速晶閘管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導通或關斷需要一定時間，同時陽極電壓上升速度太快時，會使元件誤導通；陽極電流上升速度太快時，會燒毀元件。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。

否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發，使得結溫迅速升高，終將導致結層被燒壞。產生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發電路發生故障，控制系統發生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰設備故障影響等。常用的晶閘管過電流保護方法是快速熔斷器。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險絲之前;不能用于保護晶閘管。埋銀保險石英砂內快速熔斷器，熔斷時間很短，它可以用來保護晶閘管。業績快速熔斷器主要有以下特征。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無同型號的晶閘管更換，可以通過選用中國與其工作性能設計參數相近的其他產品型號晶閘管來代換。在應用電路的設計中，通常有很大的余量。更換晶閘管時，只需注意其額定峰值電壓(重復峰值電壓)、額定電流(通態均勻電流)、柵極觸發電壓和柵極觸發電流，特別是這兩個指示器的額定峰值電壓和額定電流。代換晶閘管工作應與設備損壞或者晶閘管的開關發展速度…致。例如：在脈沖控制電路、高速逆變電路中使用的高速晶閘管進行損壞后，只能我們選用同類型的快速改變晶閘管，而不能用一個普通晶閘管來代換。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。青海分立半導體模塊可控硅（晶閘管）日本富士

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。山西脈沖可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結溫有關，結溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態轉入通態并移除觸發信號后，能維持導通所需的**小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結溫超過額定結溫的不重復性**大正向過載電流。斷態電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態到通態轉換的外加電壓**大上升率。通態電流臨界上升率di/dt：指在規定條件下，晶閘管能承受的**大通態電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區域內，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。[1]觸發技術晶閘管觸發電路的作用是產生符合要求的門極觸發脈沖，使得晶閘管在需要時正常開通。晶閘管觸發電路必須滿足以下幾點要求：①觸發脈沖的寬度應足夠寬使得晶閘管可靠導通；②觸發脈沖應有足夠的幅度，對一些溫度較低的場合，脈沖電流的幅度應增大為器件**大觸發電流的3～5倍，脈沖的陡度也需要增加，一般需達1～2A/μs；③所提供的觸發脈沖應不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額。山西脈沖可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存

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