igbt的特性igbt的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區1、放大區2和擊穿特性3部分。在截止狀態棚廳下的IGBT，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結鏈扒隱承擔。如果無N+緩沖區，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應用范圍。各代的IGBT芯片都有自己適合工作的開關頻率，不能亂選型，IGBT頻率與型號的后綴相關。青海MACMIC宏微IGBT模塊品質優異

反向關斷電壓只能達到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應用范圍。IGBT的轉移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關系曲線。它與MOSFET的轉移特性相同，當柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時，IGBT處于關斷狀態。在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內，Id與Ugs呈線性關系。高柵源電壓受大漏極電流限制，其佳值一般取為15V左右。動態特性動態特性又稱開關特性，IGBT的開關特性分為兩大部分：一是開關速度，主要指標是開關過程中各部分時間；另一個是開關過程中的損耗。IGBT的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT處于導通態時，由于它的PNP晶體管為寬基區晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時，通態電壓Uds(on)可用下式表示：：Uds(on)=Uj1+Udr+IdRoh式中Uj1——JI結的正向電壓，其值為～1V；Udr——擴展電阻Rdr上的壓降；Roh——溝道電阻。通態電流Ids可用下式表示：Ids=(1+Bpnp)Imos式中Imos——流過MOSFET的電流。由于N+區存在電導調制效應，所以IGBT的通態壓降小，耐壓1000V的IGBT通態壓降為2～3V。IGBT處于斷態時，只有很小的泄漏電流存在。IGBT在開通過程中。廣西SKM200GB128DIGBT模塊快速發貨Econo封裝(俗稱“平板型”):分為EconoDUAL，EconoPIM，EconoPACK之類的。

使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導調制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。檢測IGBT好壞簡便方法1、判斷極性首先將萬用表撥在R&TImes;1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大，調換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大，則判斷此極為柵極（G）。其余兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。2、判斷好壞將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。

當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱，而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器，當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅動電路IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、安全工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷。IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平的變化,使其在飽和與截止兩種狀態交替工作。(1)提供適當的正反向電壓,使IGBT能可靠地開通和關斷。當正偏壓增大時IGBT通態壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負載短路時其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負偏電壓可防止由于關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通,一般選UGE=-5V為宜。(2)IGBT的開關時間應綜合考慮。快速開通和關斷有利于提高工作頻率,減小開關損耗。但在大電感負載下,IGBT的開頻率不宜過大。英飛凌IGBT模塊電氣性能較好且可靠性比較高，在設計靈活性上也絲毫不妥協。

這個反電動勢可以對電容進行充電。這樣，正極的電壓也不會上升。如下圖：坦白說，上面的這個解釋節我寫得不是很有信心，我希望有高人出來指點一下。歡迎朋友在評論中留言。我會在后面寫《變頻器的輸出電流》一節中，通過實際的電流照片，驗證這個二極管的作用。現在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進行整流”有問題的。IGBT,通常就是一個元件，它不帶續流二極管。即是這個符號：商用IGBT模塊，都是將“IGBT+續流二極管”集成在一個整體部件中，即下面的這個符號。在工廠中，我們稱這個整體部件叫IGBT，不會說“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”搭接一個橋式整流電路，利用它的續流二極管實現整流。這樣，我們說：IGBT也可以進行整流，也沒有錯。但它的實質，還是用的二極管實現了整流。既然是用了“IGBT模塊”上的“續流二極管”整流，為什么不直接用“二極管”呢？答案是：這一種設計是利用“IGBT”的通斷來治理變頻器工作時產生的“諧波”，這個原理以后寫文再講。Infineon那邊給出的解釋為:IGBT的“損耗”包括“導通損耗”和“開關損耗”。遼寧Infineon英飛凌FF200R12KT4IGBT模塊庫存充足

通常IGBT模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對應于常用電網的電壓等級。青海MACMIC宏微IGBT模塊品質優異

很難裝入PEARSON探頭，更多的采用Rogowski-coil。需要注意的是Rogowski-coil的延時會比較大，而且當電流變化率超過3600A/μs時，Rogowski-coil會有比較明顯的誤差。關于測試探頭和延時匹配也可同儀器廠家確認。圖3-1IGBT關斷過程DUT：FF600R12ME4;CH2（綠色）-VGE，CH3（藍色）-ce，CH4（紅色）-Ic圖3-2IGBT開通過程首先固定電壓和溫度，在不同的電流下測試IGBT的開關損耗，可以得出損耗隨電流變化的曲線，并且對曲線進行擬合，可以得到損耗的表達式。該系統的直流母線電壓小為540V，高為700V。而系統的IGBT的結溫的設計在125℃和150℃之間。分別在540V和700V母線電壓，及125℃和150℃結溫下重復上述測試，可以得到一系列曲線，如圖4所示。圖4：在不同的電流輸入條件下，以電壓和溫度為給定條件的IGBT的開關損耗曲線依據圖4給出的損耗測試曲線，可以依據線性等效的方法得到IGBT的開通損耗和關斷損耗在電流，電壓，結溫下的推導公式。同理也可以得到Diode在給定系統的電壓，電流，結溫設計范圍內的反向恢復損耗的推導公式：圖5：在不同的電流輸入條件下。青海MACMIC宏微IGBT模塊品質優異