美國(guó)通用電氣公司研發(fā)了世界上***個(gè)以硅單晶為半導(dǎo)體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開(kāi)發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導(dǎo)體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電控制領(lǐng)域、大功率控制領(lǐng)域。在整流器的應(yīng)用上，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管），實(shí)現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無(wú)觸點(diǎn)化，并獲得巨大的節(jié)能效果。從1960年代開(kāi)始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對(duì)稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個(gè)龐大的晶閘管家族。晶閘管在應(yīng)用中有效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中**高的，而且工作可靠。因晶閘管的上述優(yōu)點(diǎn)，國(guó)外對(duì)晶閘管在脈沖功率源領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的研究做了大量的工作，很多脈沖功率能源模塊已經(jīng)使用晶閘管作為主開(kāi)關(guān)。而國(guó)內(nèi)的大功率晶閘管主要應(yīng)用在高壓直流輸電的工頻環(huán)境下，其工頻工作條件下的技術(shù)參數(shù)指標(biāo)不足以準(zhǔn)確反映其在脈沖電源這種高電壓、大電流、高陡度的環(huán)境下的使用情況。別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。福建ABB可控硅（晶閘管）富士IGBT

由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區(qū)域306的上表面上連續(xù)。在圖2e的步驟中，腔502被填充，例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的，例如執(zhí)行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區(qū)域306的任一側(cè)上獲得兩個(gè)區(qū)域302。在圖2f的步驟中，去除位于襯底以及區(qū)域302和306的上表面上的可能元件，諸如層304的可接近部分。然后形成可能的層42和層40。通過(guò)圖2a至圖2f的方法獲得的結(jié)構(gòu)30的變型與圖1的結(jié)構(gòu)30的不同之處在于，區(qū)域306與區(qū)域302分離并且一直延伸到層40或可能的層42，并且該變型包括在區(qū)域306的任一側(cè)上的兩個(gè)區(qū)域302。每個(gè)區(qū)域302與層40電接觸。每個(gè)區(qū)域302通過(guò)層304與襯底分離。可以通過(guò)與圖2a至圖2f的方法類(lèi)似的方法來(lái)獲得結(jié)構(gòu)30a，其中在圖2b和圖2c的步驟之間進(jìn)一步提供方法來(lái)形成掩蔽層，該掩蔽層保護(hù)位于溝槽22的單側(cè)上的壁上的層308，并且使得層308在溝槽的另一側(cè)上被暴露。在圖2c的步驟中獲得單個(gè)腔502。已描述了特定實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易想到各種改變、修改和改進(jìn)。特別地，結(jié)構(gòu)30和30a及其變體可以被使用在利用襯底上的傳導(dǎo)區(qū)域通過(guò)絕緣層的靜電影響的任何電子部件(例如，晶體管)。湖北IGBT單管可控硅（晶閘管）FUJI全新原裝原裝可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多。

在恢復(fù)電流快速衰減時(shí)，由于外電路電感的作用，會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過(guò)程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過(guò)程比較慢，晶閘管要恢復(fù)其對(duì)反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓，晶閘管會(huì)重新正向?qū)ǎ皇荛T(mén)極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中，需對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開(kāi)通時(shí)間t、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I：國(guó)際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允許流過(guò)的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù)。

否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相，負(fù)載過(guò)載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等。常用的晶閘管過(guò)電流保護(hù)方法是快速熔斷器。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險(xiǎn)絲之前;不能用于保護(hù)晶閘管。埋銀保險(xiǎn)石英砂內(nèi)快速熔斷器，熔斷時(shí)間很短，它可以用來(lái)保護(hù)晶閘管。業(yè)績(jī)快速熔斷器主要有以下特征。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無(wú)同型號(hào)的晶閘管更換，可以通過(guò)選用中國(guó)與其工作性能設(shè)計(jì)參數(shù)相近的其他產(chǎn)品型號(hào)晶閘管來(lái)代換。在應(yīng)用電路的設(shè)計(jì)中，通常有很大的余量。更換晶閘管時(shí)，只需注意其額定峰值電壓(重復(fù)峰值電壓)、額定電流(通態(tài)均勻電流)、柵極觸發(fā)電壓和柵極觸發(fā)電流，特別是這兩個(gè)指示器的額定峰值電壓和額定電流。代換晶閘管工作應(yīng)與設(shè)備損壞或者晶閘管的開(kāi)關(guān)發(fā)展速度…致。例如：在脈沖控制電路、高速逆變電路中使用的高速晶閘管進(jìn)行損壞后，只能我們選用同類(lèi)型的快速改變晶閘管，而不能用一個(gè)普通晶閘管來(lái)代換。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A。

認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅。1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，形成三個(gè)PN結(jié)，分別稱：陽(yáng)極，陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路。晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。工作過(guò)程加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通，這是晶閘管的閘流特性，即可控特性。若晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。晶閘管的種類(lèi)1．雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G，其他兩個(gè)極稱為主電極Tl和T2。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽(yáng)極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導(dǎo)通。它無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極，不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒(méi)有的。2．快速晶閘管人們?cè)谄胀ňчl管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施。讓輸出電壓變得可調(diào)，也屬于晶閘管的一個(gè)典型應(yīng)用。黑龍江焊機(jī)igbt可控硅（晶閘管）宏微全新原裝

晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷，觸發(fā)導(dǎo)通，反向阻斷。福建ABB可控硅（晶閘管）富士IGBT

且在門(mén)極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)；④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式，將低電位觸發(fā)信號(hào)經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門(mén)極。這種觸發(fā)方式成本較低，技術(shù)比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問(wèn)題，同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式，將觸發(fā)脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖，直接觸發(fā)高位光控晶閘管。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高，不適宜采用；③間接光觸發(fā)方式，利用光纖通信的方法，將觸發(fā)電脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)化為光脈沖信號(hào)，經(jīng)處理后耦合到光電接受回路，把光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。既可以克服電磁干擾，又可以采用普通晶閘管，降低了成本。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)當(dāng)需要耐壓很高的開(kāi)關(guān)時(shí)，單個(gè)晶閘管的耐壓有限，單個(gè)晶閘管無(wú)法滿足耐壓需求，這時(shí)就需要將多個(gè)晶閘管串聯(lián)起來(lái)使用，從而得到滿足條件的開(kāi)關(guān)。在器件的應(yīng)用中，由于各個(gè)元件的靜態(tài)伏安特性和動(dòng)態(tài)參數(shù)不同。福建ABB可控硅（晶閘管）富士IGBT