且在門極伏安特性的可靠觸發區域之內；④應有良好的抗干擾能力、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發脈沖型式應有助于晶閘管元件的導通時間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯電路中，要求串聯的元件同一時刻導通，宜采用強觸發的形式。[1]晶閘管觸發方式主要有三種：①電磁觸發方式，將低電位觸發信號經脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發方式成本較低，技術比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題，同時觸發時的電磁干擾較大。②直接光觸發方式，將觸發脈沖信號轉變為光脈沖，直接觸發高位光控晶閘管。這種觸發方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高，不適宜采用；③間接光觸發方式，利用光纖通信的方法，將觸發電脈沖信號轉化為光脈沖信號，經處理后耦合到光電接受回路，把光信號轉化為電信號。既可以克服電磁干擾，又可以采用普通晶閘管，降低了成本。[1]晶閘管串聯技術當需要耐壓很高的開關時，單個晶閘管的耐壓有限，單個晶閘管無法滿足耐壓需求，這時就需要將多個晶閘管串聯起來使用，從而得到滿足條件的開關。在器件的應用中，由于各個元件的靜態伏安特性和動態參數不同。讓輸出電壓變得可調，也屬于晶閘管的一個典型應用。廣東功率半導體igbt可控硅（晶閘管）日本富士

二極管穩壓管穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓穩壓管的作用。穩壓管與普通二極管的主要區別在于，穩壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩壓管在反向擊穿狀態下不會因過熱而損壞。[4]穩壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩壓管電流的允許值，PN結就不會過熱損壞，當外加反向電壓去除后，穩壓管恢復原性能，所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。[4]二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，光電二極管以便于接受光照。其特點是，當光線照射于它的PN結時，可以成對地產生自由電子和空穴，使半導體中少數載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。[4]當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。甘肅焊機igbt可控硅（晶閘管）日本富士其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。

4．可關斷晶閘管可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關斷晶閘管已廣用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發晶閘管，是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K），結構與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構成。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的，只是它對光源的波長有一定的要求，有選擇性。波長在0．8——0．9um的紅外線及波長在1um左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源。晶閘管的應用晶閘管是一種開關元件，具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作。它基本的用途就是可控整流，其工作過程可以控制，具有體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優點。基于上述特點。

美國通用電氣公司研發了世界上***個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發了全球較早用于功率轉換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管），實現整流器的固體化、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節能效果。從1960年代開始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個龐大的晶閘管家族。晶閘管在應用中有效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中**高的，而且工作可靠。因晶閘管的上述優點，國外對晶閘管在脈沖功率源領域內應用的研究做了大量的工作，很多脈沖功率能源模塊已經使用晶閘管作為主開關。而國內的大功率晶閘管主要應用在高壓直流輸電的工頻環境下，其工頻工作條件下的技術參數指標不足以準確反映其在脈沖電源這種高電壓、大電流、高陡度的環境下的使用情況。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。

α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。晶閘管晶體閘流管（英語：Thyristor），簡稱晶閘管，指的是具有四層交錯P、N層的半導體裝置。**早出現與主要的一種是硅控整流器（SiliconControlledRectifier，SCR），中國大陸通常簡稱可控硅，又稱半導體控制整流器，是一種具有三個PN結的功率型半導體器件，為***代半導體電力電子器件的**。晶閘管的特點是具有可控的單向導電，即與一般的二極管相比，可以對導通電流進行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，并體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優點，***用于無觸點開關、可控整流、逆變、調光、調壓、調速等方面。發展歷史/晶閘管編輯半導體的出現成為20世紀現代物理學其中一項**重大的突破，標志著電子技術的誕生。而由于不同領域的實際需要，促使半導體器件自此分別向兩個分支快速發展，其中一個分支即是以集成電路為**的微電子器件，特點為小功率、集成化，作為信息的檢出、傳送和處理的工具；而另一類就是電力電子器件，特點為大功率、快速化。1955年。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。額定電流：IA小于2A。廣西中頻爐可控硅（晶閘管）MACMIC原裝現貨

晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。廣東功率半導體igbt可控硅（晶閘管）日本富士

使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強迫關斷。這就需要增加換向電路，不*使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和噪聲。可關斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等于陽極**大可關斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。廣東功率半導體igbt可控硅（晶閘管）日本富士