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可控硅的工作原理是什么?
可控硅分為單向可控硅、雙向可控硅,兩者原理分別是:?jiǎn)蜗蚩煽毓瑁簡(jiǎn)蜗蚩煽毓枘茉谕獠靠刂菩盘?hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通,但一旦導(dǎo)通,外部信號(hào)就無(wú)法使其關(guān)斷,只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷;
工作原理:可控硅實(shí)際上就是一個(gè)大功率的二極管,它與普通二極管的不同之處在于它多了一個(gè)控制極.普通二極管是正向電壓就導(dǎo)通,可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。 一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。黑龍江可關(guān)斷可控硅(晶閘管)ABB配套
下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,測(cè)量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。(此處指的模擬表,電子式萬(wàn)用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),又稱光觸發(fā)晶閘管。國(guó)內(nèi)也稱GK型光開(kāi)關(guān)管,是一種光敏器件。1.光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極:控制極G、陽(yáng)極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射,沒(méi)有必要再引出控制極,所以只有兩個(gè)電極(陽(yáng)極A和陰極K)。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構(gòu)成。從外形上看,光控晶閘管亦有受光窗口,還有兩條管腳和殼體,酷似光電二極管。2.光控晶閘管的工作原理當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓,陰極加上負(fù)向電壓時(shí),控晶閘管可以等效成的電路??赏扑愠鱿率剑篒a=Il/[1-(a1+a2)]式中,Il為光電二極管的光電流;Ia為光控晶閘管陽(yáng)極電流,即光控晶閘管的輸出電流;a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數(shù)。由上式可知。北京IGBT逆變器模塊可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫(kù)存大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。
他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵(lì)磁、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)及自動(dòng)控制等方面。現(xiàn)在我畫一個(gè)**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通?,F(xiàn)在,畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,可以看到,只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來(lái)得早,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大?。?。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯。
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又被稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和控制極;晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。工作原理晶閘管在工作過(guò)程中,它的陽(yáng)極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件,它的工作條件如下:1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽(yáng)極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,即晶閘管導(dǎo)通后,門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管關(guān)斷。晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。
由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區(qū)域306的上表面上連續(xù)。在圖2e的步驟中,腔502被填充,例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的,例如執(zhí)行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區(qū)域306的任一側(cè)上獲得兩個(gè)區(qū)域302。在圖2f的步驟中,去除位于襯底以及區(qū)域302和306的上表面上的可能元件,諸如層304的可接近部分。然后形成可能的層42和層40。通過(guò)圖2a至圖2f的方法獲得的結(jié)構(gòu)30的變型與圖1的結(jié)構(gòu)30的不同之處在于,區(qū)域306與區(qū)域302分離并且一直延伸到層40或可能的層42,并且該變型包括在區(qū)域306的任一側(cè)上的兩個(gè)區(qū)域302。每個(gè)區(qū)域302與層40電接觸。每個(gè)區(qū)域302通過(guò)層304與襯底分離??梢酝ㄟ^(guò)與圖2a至圖2f的方法類似的方法來(lái)獲得結(jié)構(gòu)30a,其中在圖2b和圖2c的步驟之間進(jìn)一步提供方法來(lái)形成掩蔽層,該掩蔽層保護(hù)位于溝槽22的單側(cè)上的壁上的層308,并且使得層308在溝槽的另一側(cè)上被暴露。在圖2c的步驟中獲得單個(gè)腔502。已描述了特定實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易想到各種改變、修改和改進(jìn)。特別地,結(jié)構(gòu)30和30a及其變體可以被使用在利用襯底上的傳導(dǎo)區(qū)域通過(guò)絕緣層的靜電影響的任何電子部件(例如,晶體管)。脈沖可控硅觸發(fā)電路原理圖及詳解。天津IGBT逆變器模塊可控硅(晶閘管)富士IGBT
塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。黑龍江可關(guān)斷可控硅(晶閘管)ABB配套
晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法。(1)按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管、反向晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。(B)在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。(三)按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管,晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的。其中,所述金屬包晶閘管被分成螺栓形,板形,圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無(wú)兩。(四)按電流容量分類晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常,大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝,而中、小功率通過(guò)晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝。(五)按關(guān)斷速度分類根據(jù)它們的普通晶閘管關(guān)斷晶閘管,并且可以被劃分為高頻(快)晶閘管。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱SCR,屬于功率器件領(lǐng)域,是一種功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件。SCR是它的縮寫。根據(jù)其工作特性,可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC)??煽毓枰卜Q作一個(gè)晶閘管,它是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的元件。黑龍江可關(guān)斷可控硅(晶閘管)ABB配套