二極管，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（VaricapDiode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方向，具備單向電流的傳導性。一般來講，晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層，構成自建電場。當外加電壓等于零時，由于p-n結兩邊載流子的濃度差引起擴散電流和由自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態，這也是常態下的二極管特性。早期的二極管包含“貓須晶體（“Cat‘sWhisker”Crystals）”以及真空管（英國稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”）。現今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。上海寅涵智能科技是艾賽斯二極管專業進口廠商，種類齊全，價格優惠。山西艾賽斯快恢復二極管標準封裝

100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105硅開關二極管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106硅開關二極管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107硅開關二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,2CK108硅開關二極管70V,100mA,300mW,,2CK109硅開關二極管35V,100mA,300mW,,2CK110硅開關二極管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,2CK111硅開關二極管55V,100mA,300mW,,2CK150硅開關二極管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK161硅開關二極管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK4148硅開關二極管75V,Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,2CK2076硅開關二極管35V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2076A硅開關二極管60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2471硅開關二極管80V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2472硅開關二極管50V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2473硅開關二極管35V,Ir≤≤,≤3PF,2CN1A硅二極管400V,1A,f=100KHz,2CN1B硅二極管100V,1A,f=100KHz,2CN3硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3D硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3E硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3F硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3G硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3H硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3I硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3K硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN4D硅二極管V,,2CN5D硅二極管V,,f=100KHz,2CN6硅二極管V,1A,f=100KHz,2CP1553硅二極管Ir≤≤,≤。甘肅整流橋二極管標準封裝上海寅涵智能科技經銷各類型號西門康二極管SKKT162-16E歡迎聯系購買。

在本征半導體的兩個不同區域摻入三價和PN結五價雜質元素，便形成了P型區和N型區，根據N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區域向濃度低的區域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結單向導電性在PN結外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結的平衡狀態被打破，P區中的空穴和N區的電子都要PN結移動，空穴和PN結P區的負離子中和，電子和PN結N區的正離子中和，這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結導通。二極管主要分類編輯二極管點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用。二極管面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用，二極管平面型二極管平面型二極管在脈沖數字電路中作開關管使用時PN結面積小，用于大功率整流時PN結面積較大。

導致VT1管進入飽和狀態，VT1可能會發燒，嚴重時會燒壞VT1。如果VD1出現擊穿故障，會導致VT1管基極直流偏置電壓下降，三極管VT1直流工作電流減小，VT1管放大能力減小或進入截止狀態。二極管控制電路及故障處理二極管導通之后，它的正向電阻大小隨電流大小變化而有微小改變，正向電流愈大，正向電阻愈小；反之則大。利用二極管正向電流與正向電阻之間的特性，可以構成一些自動控制電路。如圖9-43所示是一種由二極管構成的自動控制電路，又稱ALC電路（自動電平控制電路），它在磁性錄音設備中（如卡座）的錄音電路中經常應用。圖9-43二極管構成的自動控制電路1．電路分析準備知識說明二極管的單向導電特性只是說明了正向電阻小、反向電阻大，沒有說明二極管導通后還有哪些具體的特性。二極管正向導通之后，它的正向電阻大小還與流過二極管的正向電流大小相關。盡管二極管正向導通后的正向電阻比較小（相對反向電阻而言），但是如果增加正向電流，二極管導通后的正向電阻還會進一步下降，即正向電流愈大，正向電阻愈小，反之則大。不熟悉電路功能對電路工作原理很不利，在了解電路功能的背景下能有的放矢地分析電路工作原理或電路中某元器件的作用。上海寅涵智能科技是艾賽斯整流二極管專業進口廠商，種類齊全，價格優惠。

正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時。上海寅涵智能科技供應宏微二極管MMF300S060B；重慶英飛凌可控硅二極管半導體模塊

上海寅涵智能科技是艾賽斯快恢復二極管專業進口VHF36-16IO5價格優惠。山西艾賽斯快恢復二極管標準封裝

3）從分流支路電路分析中要明白一點：從級錄音放大器輸出的信號，如果從VD1支路分流得多，那么流入第二級錄音放大器的錄音信號就小，反之則大。4）VD1存在導通與截止兩種情況，在VD1截止時對錄音信號無分流作用，在導通時則對錄音信號進行分流。5）在VD1正極上接有電阻R1，它給VD1一個控制電壓，顯然這個電壓控制著VD1導通或截止。所以，R1送來的電壓是分析VD1導通、截止的關鍵所在。分析這個電路大的困難是在VD1導通后，利用了二極管導通后其正向電阻與導通電流之間的關系特性進行電路分析，即二極管的正向電流愈大，其正向電阻愈小，流過VD1的電流愈大，其正極與負極之間的電阻愈小，反之則大。3．控制電路的一般分析方法說明對于控制電路的分析通常要分成多種情況，例如將控制信號分成大、中、小等幾種情況。就這一電路而言，控制電壓Ui對二極管VD1的控制要分成下列幾種情況。1）電路中沒有錄音信號時，直流控制電壓Ui為0，二極管VD1截止，VD1對電路工作無影響，級錄音放大器輸出的信號可以全部加到第二級錄音放大器中。2）當電路中的錄音信號較小時，直流控制電壓Ui較小，沒有大于二極管VD1的導通電壓，所以不足以使二極管VD1導通。山西艾賽斯快恢復二極管標準封裝