或電流）的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向導通狀態。3.一旦晶閘管開始導通，它就被鉗住在導通狀態，而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關斷，像一個二極管一樣導通，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時，它才會截止。當晶閘管再次進入正向阻斷狀態后，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發導通。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如圖G1所示。當晶閘管的柵極懸空時，BG1和BG2都處于截止狀態，此時電路基本上沒有電流流過負載電阻RL，當柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通，BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升高，BG1的基極電位進一步下降，經過這一個正反饋過程使BG1和BG2進入飽和道通狀態。電路很快從截止狀態進入道通狀態，這時柵極就算沒有觸發脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態不變。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓，由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態所以電路很快截止，另外如果加大負載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少，當減少到某一個值時由于電路的正反饋作用，電路將很快從道通狀態翻轉為截止狀態，我們稱這個電流為維持電流。可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。山西大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）SCR系列

三相晶閘管觸發板是以高級工業級單片機為組成的全數字控制、數字觸發板，并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。中文名三相晶閘管觸發板外文名Three-phasethyristortriggerboard適應適應不同性質負載電壓5V～380V目錄1三相晶閘管觸發板2種高性能PID方案?適用電路?正常使用條件?工作原理?技術參數3三相晶閘管觸發板應用技術三相晶閘管觸發板三相晶閘管觸發板編輯使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器，性能穩定可靠。三相同步方案,定制可適應交流5V～380V各種同步電壓。三相晶閘管觸發板種高性能PID方案編輯適應不同性質負載，控制精度高，動態特性好。全數字觸發，脈沖不對稱度≤°,用脈沖變壓器觸發,脈沖前沿陡度≤。功能、參數設定采用按鍵操作，故障、報警、界面采用LED數碼管顯示，操作方便，顯示直觀。本控制板的所有控制參數均為數字量，無溫度漂移變化，運行穩定、工作可靠。強抗干擾能力，采用獨特措施，惡劣干擾環境正常運行。通用性強，適用范圍寬，控制板適應任何主電路，任何性質負載。手動、自動;穩流、穩壓;電位器控制、儀表控制可任意選擇和切換。三相晶閘管數控板直接觸發六個10000A以內的晶閘管元件的設備，外接脈沖功放板。山西大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）SCR系列可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差；容易受干擾而誤導通。

[7]二極管雙向觸發二極管將萬用表置于相應的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進行比較，兩者的較為值之差越小，說明被測雙向觸發二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。[8]對于雙向極型的瞬態電壓抑制二極管，任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識別正、負極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區別是其色標顏色不同，普通二極管的色標顏色一般為黑色，而高頻變阻二極管的色標顏色則為淺色。其極性規律與普通二極管相似，即帶綠色環的一端為負極，不帶綠色環一端為正極。[8]二極管變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。[8]二極管單色發光二極管在萬用表外部附接一節能，將萬用表置R×10或R×100擋。

在恢復電流快速衰減時，由于外電路電感的作用，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復電流衰減至接近于零的時間，就是晶閘管的反向阻斷恢復時間t。[1]反向恢復過程結束后，由于載流子復合過程比較慢，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間，這叫做反向阻斷恢復時間tgr。在反向阻斷恢復時間內如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向導通，而不受門極電流控制而導通。所以在實際應用中，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關斷時間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開通時間t、關斷時間t及觸發電流IGT外，本文比較關注的晶閘管的其它主要參數包括：斷態（反向）重復峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結溫為額定值時，允許重復加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。通態平均電流I：國際規定通態平均電流為晶閘管在環境溫度為40℃和規定的冷卻狀態下，穩定結溫不超過額定結溫時所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱其額定電流的參數。晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和。

使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強迫關斷。這就需要增加換向電路，不*使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和噪聲。可關斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等于陽極**大可關斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。山西大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）SCR系列

可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。山西大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）SCR系列

且在門極伏安特性的可靠觸發區域之內；④應有良好的抗干擾能力、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發脈沖型式應有助于晶閘管元件的導通時間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯電路中，要求串聯的元件同一時刻導通，宜采用強觸發的形式。[1]晶閘管觸發方式主要有三種：①電磁觸發方式，將低電位觸發信號經脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發方式成本較低，技術比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題，同時觸發時的電磁干擾較大。②直接光觸發方式，將觸發脈沖信號轉變為光脈沖，直接觸發高位光控晶閘管。這種觸發方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高，不適宜采用；③間接光觸發方式，利用光纖通信的方法，將觸發電脈沖信號轉化為光脈沖信號，經處理后耦合到光電接受回路，把光信號轉化為電信號。既可以克服電磁干擾，又可以采用普通晶閘管，降低了成本。[1]晶閘管串聯技術當需要耐壓很高的開關時，單個晶閘管的耐壓有限，單個晶閘管無法滿足耐壓需求，這時就需要將多個晶閘管串聯起來使用，從而得到滿足條件的開關。在器件的應用中，由于各個元件的靜態伏安特性和動態參數不同。山西大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）SCR系列