[7]二極管雙向觸發二極管將萬用表置于相應的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進行比較，兩者的較為值之差越小，說明被測雙向觸發二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。[8]對于雙向極型的瞬態電壓抑制二極管，任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識別正、負極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區別是其色標顏色不同，普通二極管的色標顏色一般為黑色，而高頻變阻二極管的色標顏色則為淺色。其極性規律與普通二極管相似，即帶綠色環的一端為負極，不帶綠色環一端為正極。[8]二極管變容二極管將萬用表紅、黑表筆怎樣對調測量，變容二極管的兩引腳間的電阻值均應為無窮大。如果在測量中，發現萬用表指針向右有輕微擺動或阻值為零，說明被測變容二極管有漏電故障或已經擊穿壞。[8]二極管單色發光二極管在萬用表外部附接一節能，將萬用表置R×10或R×100擋。TECHSEM臺基晶閘管KK1200A1600V中頻爐可控硅；寧夏中頻爐可控硅（晶閘管）原裝進口

二極管穩壓管穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓穩壓管的作用。穩壓管與普通二極管的主要區別在于，穩壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩壓管在反向擊穿狀態下不會因過熱而損壞。[4]穩壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩壓管電流的允許值，PN結就不會過熱損壞，當外加反向電壓去除后，穩壓管恢復原性能，所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。[4]二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，光電二極管以便于接受光照。其特點是，當光線照射于它的PN結時，可以成對地產生自由電子和空穴，使半導體中少數載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。[4]當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。湖南功率半導體igbt可控硅（晶閘管）MACMIC原裝現貨大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。

4．可關斷晶閘管可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關斷晶閘管已廣用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發晶閘管，是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K），結構與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構成。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的，只是它對光源的波長有一定的要求，有選擇性。波長在0．8——0．9um的紅外線及波長在1um左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源。晶閘管的應用晶閘管是一種開關元件，具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作。它基本的用途就是可控整流，其工作過程可以控制，具有體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優點。基于上述特點。

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結溫有關，結溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態轉入通態并移除觸發信號后，能維持導通所需的**小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結溫超過額定結溫的不重復性**大正向過載電流。斷態電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態到通態轉換的外加電壓**大上升率。通態電流臨界上升率di/dt：指在規定條件下，晶閘管能承受的**大通態電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區域內，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。[1]觸發技術晶閘管觸發電路的作用是產生符合要求的門極觸發脈沖，使得晶閘管在需要時正常開通。晶閘管觸發電路必須滿足以下幾點要求：①觸發脈沖的寬度應足夠寬使得晶閘管可靠導通；②觸發脈沖應有足夠的幅度，對一些溫度較低的場合，脈沖電流的幅度應增大為器件**大觸發電流的3～5倍，脈沖的陡度也需要增加，一般需達1～2A/μs；③所提供的觸發脈沖應不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備。

晶閘管是一種開關元件，顧名思義他的名字里面有一個閘字也就是門，開關的意思，他的應用在各種電路，以及電子設備中。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設備，他通過一個電流很小的脈沖觸發晶閘管處于導通狀態此時他的電阻變得很小相當于一跟導線。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅，晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和控制極，晶閘管（Thyristor）是一種開關元件，能在高電壓、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備。1957年，美國通用電器公司開發出世界上第1個晶閘管產品，并于1958年使其商業化。晶閘管的分類：晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導晶閘管（RCT）、門極關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管（TT國外，TTS國內）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中。上海寅涵智能科技銷售高功率閘流晶體管模塊；河北igbt驅動開關可控硅（晶閘管）原裝進口

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美國通用電氣公司研發了世界上***個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發了全球較早用于功率轉換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管），實現整流器的固體化、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節能效果。從1960年代開始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個龐大的晶閘管家族。晶閘管在應用中有效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中**高的，而且工作可靠。因晶閘管的上述優點，國外對晶閘管在脈沖功率源領域內應用的研究做了大量的工作，很多脈沖功率能源模塊已經使用晶閘管作為主開關。而國內的大功率晶閘管主要應用在高壓直流輸電的工頻環境下，其工頻工作條件下的技術參數指標不足以準確反映其在脈沖電源這種高電壓、大電流、高陡度的環境下的使用情況。寧夏中頻爐可控硅（晶閘管）原裝進口