5、其它要求（1）當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí)，如果變壓器空載，輸出電流可能會(huì)小于晶閘管芯片的擎住電流，導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量，嚴(yán)重時(shí)會(huì)燒掉保險(xiǎn)絲。為了避免出現(xiàn)上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定）。（2）小規(guī)格模塊主電極無(wú)螺釘緊固，極易掀起折斷，接線時(shí)應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上，以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。（4）模塊不能當(dāng)作隔離開(kāi)關(guān)使用。為保證安全，模塊輸入端前面需加空氣開(kāi)關(guān)。（5）測(cè)量模塊工作殼溫時(shí)，測(cè)試點(diǎn)選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面。可將散熱器表面以下橫向打一深孔至散熱器中心，把熱電偶探頭插到孔底。要求該測(cè)試點(diǎn)的溫度應(yīng)≤80℃。晶閘管智能模塊晶閘管智能模塊模塊參數(shù)編輯a）工作頻率f為50Hz；b）模塊輸入交流電壓VIN（RMS）范圍：額定電壓為220VAC時(shí)為170～250VAC、額定電壓為380VAC時(shí)為300～450VAC（輸入電壓低于或高于上述各規(guī)定值時(shí)，應(yīng)專(zhuān)門(mén)定做）；c）三相交流輸出電壓不對(duì)稱(chēng)度<6%；d）控制電源電壓12VDC；e）控制信號(hào)：VCON為0～10VDC；f）控制信號(hào)電流ICON≤1mA；g）輸出電壓溫度系數(shù)<。全新原裝快速晶閘管螺絲型型號(hào)齊全。山西脈沖可控硅（晶閘管）富士IGBT

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡。同時(shí)，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結(jié)溫也會(huì)使均壓性能受到影響。[1]2、關(guān)斷電荷和開(kāi)通時(shí)間等動(dòng)態(tài)特性對(duì)動(dòng)態(tài)均壓的影響。晶閘管串聯(lián)運(yùn)行，延遲時(shí)間不同，門(mén)極觸發(fā)脈沖的大小不同，都會(huì)導(dǎo)致閥片的開(kāi)通適度不同。閥片的開(kāi)通速度不同，會(huì)引起動(dòng)態(tài)電壓的不均衡。同時(shí)關(guān)斷時(shí)間的差異也會(huì)造成各晶閘管不同時(shí)關(guān)斷的現(xiàn)象。關(guān)斷電荷少，則易關(guān)斷，關(guān)斷時(shí)間也短，先關(guān)斷的元件必然承受**高的動(dòng)態(tài)電壓。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)的根本目的的是保證動(dòng)、靜態(tài)特性不同的晶閘管在串聯(lián)后能夠安全穩(wěn)定運(yùn)行且都得到充分的利用。這就涉及到串聯(lián)晶閘管的元件保護(hù)、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)均壓、觸發(fā)一致性、反向恢復(fù)過(guò)電壓的抑制、開(kāi)通關(guān)斷緩沖等一系列問(wèn)題。[1]主要參數(shù)/晶閘管編輯為了正確選用晶閘管元件，必須要了解它的主要參數(shù)，一般在產(chǎn)品的目錄上都給出了參數(shù)的平均值或極限值，產(chǎn)品合格證上標(biāo)有元件的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)。。西藏ABB可控硅（晶閘管）SCR系列按關(guān)斷速度分類(lèi)：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號(hào)后，能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對(duì)同一晶閘管來(lái)說(shuō)，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過(guò)額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過(guò)載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫、門(mén)極開(kāi)路的情況下，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過(guò)大，在晶閘管剛開(kāi)通時(shí)會(huì)有很大的電流集中在門(mén)極附近的小區(qū)域內(nèi)，從而造成局部過(guò)熱而使晶閘管損壞。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門(mén)極觸發(fā)脈沖，使得晶閘管在需要時(shí)正常開(kāi)通。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點(diǎn)要求：①觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導(dǎo)通；②觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度，對(duì)一些溫度較低的場(chǎng)合，脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件**大觸發(fā)電流的3～5倍，脈沖的陡度也需要增加，一般需達(dá)1～2A/μs；③所提供的觸發(fā)脈沖應(yīng)不超過(guò)晶閘管門(mén)極的電壓、電流和功率定額。

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過(guò)電壓，從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過(guò)后，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示。標(biāo)稱(chēng)電壓：當(dāng)參考?jí)好綦娮柚绷?mA電流流動(dòng)，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標(biāo)稱(chēng)工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以?xún)?nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來(lái)表示。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過(guò)一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱(chēng)電壓值不會(huì)隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降，當(dāng)大到某一部分電流時(shí)，標(biāo)稱(chēng)電壓下降到0，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔，甚至炸裂；因此我們必須進(jìn)行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流：將標(biāo)稱(chēng)直流電壓的一半加到壓敏電阻上測(cè)量的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，抑制過(guò)電壓能力強(qiáng)；平時(shí)漏電流小，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱(chēng)電壓等級(jí)多，便于用戶(hù)選擇；伏安特性是對(duì)稱(chēng)的，可用于交、直流或正負(fù)浪涌；因此用途較廣。過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類(lèi)高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制。晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受何種電壓，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｖ档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類(lèi)推，在75℃時(shí)，它的反向電流已達(dá)8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦裕€會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時(shí)反向電流為5uA，溫度升高到75℃時(shí)，反向電流也不過(guò)160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。[4]二極管動(dòng)態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。[4]二極管電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化量。[4]二極管高工作頻率高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢(shì)壘電容組成。所以高工作頻率的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。若是超過(guò)此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊憽．?dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。寧夏igbt供應(yīng)商可控硅（晶閘管）原裝進(jìn)口

按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。山西脈沖可控硅（晶閘管）富士IGBT

而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽(yáng)極向陰極單方行為向?qū)ǎ圆捎每煽毓栌袉坞p向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來(lái)分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來(lái)分：分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進(jìn)行品種、高壓品種。可控硅產(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來(lái)，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門(mén)單獨(dú)的學(xué)科。“晶閘管交流技術(shù)”。可控硅發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，質(zhì)量更好，收率有了很大的提高，并向高壓大電流發(fā)展。可控硅在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實(shí)現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無(wú)觸點(diǎn)功率靜態(tài)開(kāi)關(guān)（固態(tài)開(kāi)關(guān)）：作為功率開(kāi)關(guān)元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開(kāi)關(guān)頻率很高的場(chǎng)合。因此可控硅元件被廣應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等用途。山西脈沖可控硅（晶閘管）富士IGBT