一個實施例提供了包括一個或多個以上限定的結構的二極管。根據一個實施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區域，一區域限定晶體管柵極。根據一個實施例，該二極管包括將溝道區域電連接到傳導層的接觸區域。根據一個實施例，一區域是半導體區域，溝道區域和一區域摻雜有相反的導電類型。根據一個實施例，該二極管包括漏極區域，漏極區域在兩個溝槽之間的溝道區域下方延伸，并且推薦地在溝槽下方延伸。根據一個實施例，漏極區域比溝道區域更少地被重摻雜。根據本公開的實施例，已知二極管結構的全部或部分的缺點被克服，并且正向電壓降和/或漏電流得到改善。附圖說明參考附圖，在下面以說明而非限制的方式給出的具體實施例的描述中將詳細描述前述特征和優點以及其他特征和優點，在附圖中：圖1是圖示二極管的實施例的簡化截面圖；以及圖2a至圖2f圖示了制造圖1的二極管的方法的實現方式的步驟。具體實施方式在各個附圖中，相同的元件用相同的附圖標記表示，并且各個附圖未按比例繪制。為清楚起見，示出并詳細描述了對理解所描述的實施例有用的那些步驟和元件。在以下描述中，當參考限定較為位置(例如。上海寅涵供應現貨門極關斷可控硅(GTO)；湖南ABB可控硅（晶閘管）Mitsubishi三菱全新原裝現貨

二極管穩壓管穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓穩壓管的作用。穩壓管與普通二極管的主要區別在于，穩壓管是工作在PN結的反向擊穿狀態。通過在制造過程中的工藝措施和使用時限制反向電流的大小，能保證穩壓管在反向擊穿狀態下不會因過熱而損壞。[4]穩壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩壓管電流的允許值，PN結就不會過熱損壞，當外加反向電壓去除后，穩壓管恢復原性能，所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。[4]二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，光電二極管以便于接受光照。其特點是，當光線照射于它的PN結時，可以成對地產生自由電子和空穴，使半導體中少數載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。[4]當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。北京功率半導體igbt可控硅（晶閘管）原裝進口晶閘管承受正向陽極電壓時，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。

它是用來讓信號在預置的電平范圍內，有選擇地傳輸一部分信號。大多數二極管都可作為限幅使用，但有些時候需要用到專門限幅二極管，如保護儀表時。[6]（3）穩壓電路在穩壓電路中通常需要使用齊納二極管，它是一種利用特殊工藝制造的面結型硅把半導體二極管，這種特殊二極管雜質濃度比較高，空間電荷區內的電荷密度大，容易形成強電場。當齊納二極管兩端反向電壓加到某一值，反向電流急增，產生反向擊穿。[6]（4）變容電路在變容電路中常用變容二極管來實現電路的自動頻率控制、調諧、調頻以及掃描振蕩等。[6]二極管工業產品應用經過多年來科學家們不懈努力，半導體二極管發光的應用已逐步得到推廣，發光二極管廣應用于各種電子產品的指示燈、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明。發光二極管的很多特性是普通發光器件所無法比擬的，主要具有特點有：安全、高效率、環保、壽命長、響應快、體積小、結構牢固。因此，發光二極管是一種符合綠色照明要求的光源。[6]發光二極管在很多領域得到普遍應用，下面介紹幾點其主要應用：（1）電子用品中的應用發光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應用。

采用電子線路進行保護等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業吸收作用元件，為防止出現振蕩，常加阻尼電阻，構成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側、直流側，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間。吸收進行電路設計好方法選用無感電容，接線應盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變容器等非線性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數RC是固定的，有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點是其動作電壓與溫度有關，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時。當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流為5uA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。[4]二極管動態電阻二極管特性曲線靜態工作點附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。[4]二極管電壓溫度系數電壓溫度系數指溫度每升高一攝氏度時的穩定電壓的相對變化量。[4]二極管高工作頻率高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣，其結電容由勢壘電容組成。所以高工作頻率的值主要取決于PN結結電容的大小。若是超過此值。則單向導電性將受影響。全新現貨銷售大功率可控硅雙向；江蘇igbt驅動芯片可控硅（晶閘管）Infineon全新原裝

晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、率晶閘管和小功率晶閘管三種。湖南ABB可控硅（晶閘管）Mitsubishi三菱全新原裝現貨

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安。IH與結溫有關，結溫越高，則I越小。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態轉入通態并移除觸發信號后，能維持導通所需的**小電流。對同一晶閘管來說，通常I約為I的2～4倍。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結溫超過額定結溫的不重復性**大正向過載電流。斷態電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結溫、門極開路的情況下，不能使晶閘管從斷態到通態轉換的外加電壓**大上升率。通態電流臨界上升率di/dt：指在規定條件下，晶閘管能承受的**大通態電流上升率。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區域內，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞。[1]觸發技術晶閘管觸發電路的作用是產生符合要求的門極觸發脈沖，使得晶閘管在需要時正常開通。晶閘管觸發電路必須滿足以下幾點要求：①觸發脈沖的寬度應足夠寬使得晶閘管可靠導通；②觸發脈沖應有足夠的幅度，對一些溫度較低的場合，脈沖電流的幅度應增大為器件**大觸發電流的3～5倍，脈沖的陡度也需要增加，一般需達1～2A/μs；③所提供的觸發脈沖應不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額。湖南ABB可控硅（晶閘管）Mitsubishi三菱全新原裝現貨