可控硅的工作原理是什么？

可控硅分為單向可控硅、雙向可控硅，兩者原理分別是：單向可控硅：單向可控硅能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷；

工作原理：可控硅實際上就是一個大功率的二極管,它與普通二極管的不同之處在于它多了一個控制極.普通二極管是正向電壓就導通,可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。 脈沖可控硅觸發電路原理圖及詳解。吉林高壓igbt驅動模塊可控硅（晶閘管）SCR系列

家用電器中的調光燈、調速風扇、冷暖空調器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產品、無線電遙控電路、攝像機等工業控制領域等都大量使用了可控硅器件。在這些技術應用系統電路中，可控硅元件可以多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關進行如何有效保護晶閘管在行業應用晶閘管越來越廣，作為行業增加應用范圍。晶閘管的功能更加。但有時，在晶閘管的過程中會造成一定的傷害。為了保證晶閘管的生活，我們如何更好地保護區晶閘管呢？1、過電壓保護晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產生的主要原因是所提供的電力或系統的儲能發生了激烈的變化，使系統轉換太晚，或系統中積累的電磁能量來不及消散。主要發現開關開閉引起的雷擊和沖擊電壓等外部沖擊引起的過電壓有兩種類型。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰。安徽半導體igbt可控硅（晶閘管）SCR系列當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。

采用電子線路進行保護等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業吸收作用元件，為防止出現振蕩，常加阻尼電阻，構成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側、直流側，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間。吸收進行電路設計好方法選用無感電容，接線應盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變容器等非線性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數RC是固定的，有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點是其動作電壓與溫度有關，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態，只有很小的漏電流，其值小于100μA。當加上電壓時。

引起了電子雪崩，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加，泄漏了能量，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后，粒界層又恢復為高阻態。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：當參考壓敏電阻直流1mA電流流動，它兩端的電壓值。通流數據容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進行沖擊以及電流，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次，標稱工作電壓發生變化在-10［%］以內的大經濟沖擊產生電流值來表示。因為企業正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數，標稱電壓值不會隨著研究放電次數不斷增多而下降，而且也隨著不同放電產生電流幅值的增大而下降，當大到某一部分電流時，標稱電壓下降到0，壓敏電阻可以出現穿孔，甚至炸裂；因此我們必須進行限定通流數據容量。漏電流：將標稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測量的電流。由于壓敏電阻的通流容量大，殘壓低，抑制過電壓能力強；平時漏電流小，放電后不會有續流，元件的標稱電壓等級多，便于用戶選擇；伏安特性是對稱的，可用于交、直流或正負浪涌；因此用途較廣。過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結溫必須受到嚴格的控制。晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和。

美國通用電氣公司研發了世界上***個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器（SR），1957年又開發了全球較早用于功率轉換和控制的可控硅整流器（SCR）。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管），實現整流器的固體化、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節能效果。從1960年代開始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個龐大的晶閘管家族。晶閘管在應用中有效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中**高的，而且工作可靠。因晶閘管的上述優點，國外對晶閘管在脈沖功率源領域內應用的研究做了大量的工作，很多脈沖功率能源模塊已經使用晶閘管作為主開關。而國內的大功率晶閘管主要應用在高壓直流輸電的工頻環境下，其工頻工作條件下的技術參數指標不足以準確反映其在脈沖電源這種高電壓、大電流、高陡度的環境下的使用情況。在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件。陜西ABB可控硅（晶閘管）日本富士

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。吉林高壓igbt驅動模塊可控硅（晶閘管）SCR系列

定義/晶閘管編輯晶閘管導通條件為：加正向電壓且門極有觸發電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）是一種開關元件，能在高電壓、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備。1957年，美國通用電器公司開發出世界上***個晶閘管產品，并于1958年使其商業化。結構/晶閘管編輯晶閘管它是由一個P-N-P-N四層(4layers)半導體構成的，中間形成了三個PN結。分類/晶閘管編輯晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導晶閘管（RCT）、門極關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管（TT國外，TTS國內）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。吉林高壓igbt驅動模塊可控硅（晶閘管）SCR系列