茗熔 RS76A 1000V/690V1000A 1100A 1250A 1500A 1600A RS76A 用途:本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至690V,額定電流至1600A,主要用在電氣線路中作為半導體設備的短路保護(aR)。本系列熔斷體額定分段能力至100KA。本系列熔斷體符合國家標準GB13539.1/GB13539.4和國際電工委標準IEC60269-1/IEC60269-4.結構特點:有純銀片制成的變截面熔體封裝于**度瓷制成的熔管內;熔管中充滿經化學處理過的高純度石英砂作為滅弧介質;熔體二端采用點焊于觸頭牢固電連接。熔斷體型式有方管刀形觸頭和方管平板形觸頭兩種。高分斷熔斷器NT00-100A;云南RT17(NT4) 400/690V 1250A 底座MIRO茗熔優勢現貨庫存
MRO代理現貨茗熔快速熔斷器RGS4A 690V200A 160A 150A 125A 100A 75A 180A 660GH
熔斷器應與配電裝置同時進行維修工作:1)清掃灰塵,檢查接觸點接觸情況。2)檢查熔斷器外觀(取下熔斷器管)有無損傷、變形,瓷件有無放電閃爍痕跡。3)檢查熔斷器,熔體與被保護電路或設備是否匹配,如有問題應及時調查。4)注意檢查在TN接地系統中的N線,設備的接地保護線上,不允許使用熔斷器。5)維護檢查熔斷器時,要按安全規程要求,切斷電源,不允許帶電摘取熔斷器管。 黑龍江RS99A aR 690V/800AMIRO茗熔廠家直供高分斷熔斷器NT00-20A;
茗熔RO17 RT14-63 RT18L-125 22*58型熔斷器 保險絲 10A~63A熔芯
熔體額定電流的選擇由于各種電氣設備都具有一定的過載能力,允許在-定條件下較長時間運行;而當負載超過允許值時,就要求保護熔體在-定時間內熔斷。還有一些設備起動電流很大,但起動時間很短,所以要求這些設備的保護特性要適應設備運行的需要,要求熔斷器在電機起動時不熔斷,在短路電流作用下和超過允許過負荷電流時,能可靠熔斷,起到保護作用。熔體額定電流選擇偏大,負載在短路或長期過負荷時不能及時熔斷;選擇過小,可能在正常負載電流作用下就會熔斷,影響正常運行,為保證設備正常運行,必須根據負載性質合理地選擇熔體額定電流。
茗熔 MRO RS95H 500V 300A 175A 200A 250A 315A 350A 400A 500A 600A
快熔斷保險絲的特點正如其名,熔斷速度快,這意味著故障跳變的可能性很高,會導致產品召回。因此,如果要選擇這種保險絲,應當對其進行優于50%的調降,也就是說5A的電軌應選擇額定值超過10A的保險絲,以避免應用中出現假故障。慢熔斷保險絲斷開所需時間較長,但仍會出現故障跳變。因此這里也建議執行至少50%的調降。多狀態保險絲有一個非常好的特性,即錯誤***后能夠以極低的成本進行高效恢復。每次跳變后,后續跳變點閥值就會降低,也就是說更容易發生跳變。因此,誤跳變幾率會隨時間的推移而升高。智能保險絲或三端保險絲是既可通過指令熔斷,也可因過流而熔斷的器件。通常,這種保險絲不但成本比以上方案高很多,而且還需要電源電壓保持在一定的高度,才能真正熔斷保險絲。否則,在出現故障時所有部件都會變得很熱,而且可能不會引起安全關斷。 方形螺栓連接式快速熔斷器;
MRO 茗熔FM-RX 1000V 監控模塊 撞擊器 代替RX1 RX2 1000 幢針
熔斷器運行與維修
熔斷器使用注意事項:
①熔斷器的保護特性應與被保護對象的過載特性相適應,考慮到可能出現的短路電流,選用相應分斷能力的熔斷器。
②熔斷器的額定電壓要適應線路電壓等級,熔斷器的額定電流要大于或等于熔體額定電流。
③線路中各級熔斷器熔體額定電流要相應配合,保持前一級熔體額定電流必須大于下一級熔體額定電流。
④熔斷器的熔體要按要求使用相配合的熔體,不允許隨意加大熔體或用其他導體代替熔體。 螺旋式熔斷器RGS4AD aR 250V/160A;湖北RS98M aR 700V/600AMIRO茗熔優勢現貨庫存
高分斷熔斷器NT00-40A;云南RT17(NT4) 400/690V 1250A 底座MIRO茗熔優勢現貨庫存
MRO 茗熔熔斷器 RGS4 RGS4Z 660GH 690V 10A 16A 20A 25A 30A
1.選擇額定電壓快速熔斷器發生熔斷后兩端出現的故障電路及外加交流電壓應該較快速熔斷器的額定電壓稍微低一些。若出現逆變型負載以及導體設備的負荷是有源逆變器這兩種情況時,應考慮是否是半導體器件失控等引|起設備直流側短路。2.選擇額定電流熔斷器的額定電流是以電路實際流過的電流有效值作為基礎,同時加以考慮環境溫度、冷卻條件等因素影響后再進行計算。如果快速熔斷器選用的額定電流過大則會造成熔斷器的值隨之增加,這可能會對保護半導體器件造成不可挽回的傷害。3.選擇分斷性能當快速熔斷器與半導體器件串聯協同工作的時候,快速熔斷器的值應該小于半導體器件允許通過的值。否則在熔斷器熔斷時,器件也被燒損。4、選擇過電壓一般而言半導體器件產生的反向擊穿均是由于過電過而導致的,因此分斷過電壓必須滿足-定的條件,即必須和半導體器件允許反向峰值電壓相等或小于它的值。5.選擇額定分斷能力 云南RT17(NT4) 400/690V 1250A 底座MIRO茗熔優勢現貨庫存