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來源: 發布時間:2024-04-03

MRO茗熔 RS77CZ-800A 1000A 1250A 660V/690V A3-66C-TS RS77CZ用途:本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至660V,額定電流至1250A,主要用在電氣線路中作為半導體設備的短路保護(aR)。本系列熔斷體額定分段能力至100KA。本系列熔斷體符合國家標準GB13539.1/GB13539.4和國際電工委標準IEC60269-1/IEC60269-4.結構特點:有純銀片制成的變截面熔體封裝于**度瓷制成的熔管內;熔管中充滿經化學處理過的高純度石英砂作為滅弧介質;熔體二端采用點焊于觸頭牢固電連接。熔斷體型式有方管刀形觸頭和方管平板形觸頭兩種。基本數據:熔斷體型號、外形尺寸、額定電壓、額定電流見圖:拍前請聯系店主告知電流安數或者備注!大量現貨!量大價優!RGS7 aR 800V/350A直流短路保護- aRG;湖北RS99A aR 660V/600AMIRO茗熔原廠庫存

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常用的熔斷器(1)插入式熔斷器(2)螺旋式熔斷器(3)封閉式熔斷器(4)快速熔斷器(5)自復熔斷器參數選擇(1)熔斷器額定電壓應符合電動機的運行電壓。熔斷器的工作電壓與其熔管長度及絕緣強度有關。不能把熔斷器用在高于其額定電壓的回路中去,也不能把大熔片裝到小溶斷管中去。(2)熔斷器的額定電流應大于電動機回路長期通過的最大工作電流。(3)熔斷器的極限斷路電流應大于流過的最大短路電流。用以保證切斷故障電流時,不致燒毀熔斷器。(4)熔件的額定電流應按下列三個條件選擇:①按正常工作條件選擇:電動機起動電流可達(4~8)IeD,起動持續時間約為5~10s。在此條件下,熔斷器既不應老化,也不能熔斷。具體的熔斷器特性應按生產廠家供給的曲線,由試驗得知,熔斷器的額定電流約為比較大通過電流的一半時,可滿足上述要求。 廣東RS98K aR 700V/500AMIRO茗熔熔斷器代理現貨高分斷熔斷器NT00-32A;

RGS12-135A MRO茗熔 快速熔斷器 保險絲 RGS12 CR2L GSB 135A快熔 用途:本系列熔斷體適用于交流50HZ,額定電壓至690V,額定電流至1600A,主要用在電氣線路中作為半導體設備的短路保護(aR)。本系列熔斷體額定分段能力至100KA。本系列熔斷體符合國家標準GB13539.1/GB13539.4和國際電工委標準IEC60269-1/IEC60269-4.結構特點:有純銀片制成的變截面熔體封裝于**度瓷制成的熔管內;熔管中充滿經化學處理過的高純度石英砂作為滅弧介質;熔體二端采用點焊于觸頭牢固電連接。熔斷體型式有方管刀形觸頭和方管平板形觸頭兩種。

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快速熔斷器發生熔斷后兩端出現的故障電路及外加交流電壓應該較快速熔斷器的額定電壓稍微低一些。若出現逆變型負載以及導體設備的負荷是有源逆變器這兩種情況時,應考慮是否是半導體器件失控等引|起設備直流側短路。2.選擇額定電流熔斷器的額定電流是以電路實際流過的電流有效值作為基礎,同時加以考慮環境溫度、冷卻條件等因素影響后再進行計算。如果快速熔斷器選用的額定電流過大則會造成熔斷器的值隨之增加,這可能會對保護半導體器件造成不可挽回的傷害。3.選擇分斷性能當快速熔斷器與半導體器件串聯協同工作的時候,快速熔斷器的值應該小于半導體器件允許通過的值。否則在熔斷器熔斷時,器件也被燒損。 自復熔斷器RGS4B aR 660V/350A;

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熔斷器使用維修:①熔體熔斷時,要認真分析熔斷的原因,可能的原因有:1)短路故障或過載運行而正常熔斷。2)熔體使用時間過久,熔體因受氧化或運行中溫度高,使熔體特性變化而誤斷。3)熔體安裝時有機械損傷,使其截面積變小而在運行中引起誤斷。②拆換熔體時,要求做到:1)安裝新熔體前,要找出熔體熔斷原因,未確定熔斷原因,不要拆換熔體試送。2)更換新熔體時,要檢查熔體的額定值是否與被保護設備相匹配。3)更換新熔體時,要檢查熔斷管內部燒傷情況,如有嚴重燒傷,應同時更換熔管。瓷熔管損壞時,不允許用其他材質管代替。填料式熔斷器更換熔體時,要注意填充填料。 普通熔斷體的熔絲是具有一定幾何形狀的金屬絲構成;西藏RS99E aR 700V/1200AMIRO茗熔一級代理庫存充足

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1.選擇額定電壓快速熔斷器發生熔斷后兩端出現的故障電路及外加交流電壓應該較快速熔斷器的額定電壓稍微低一些。若出現逆變型負載以及導體設備的負荷是有源逆變器這兩種情況時,應考慮是否是半導體器件失控等引|起設備直流側短路。2.選擇額定電流熔斷器的額定電流是以電路實際流過的電流有效值作為基礎,同時加以考慮環境溫度、冷卻條件等因素影響后再進行計算。如果快速熔斷器選用的額定電流過大則會造成熔斷器的值隨之增加,這可能會對保護半導體器件造成不可挽回的傷害。3.選擇分斷性能當快速熔斷器與半導體器件串聯協同工作的時候,快速熔斷器的值應該小于半導體器件允許通過的值。否則在熔斷器熔斷時,器件也被燒損。4、選擇過電壓一般而言半導體器件產生的反向擊穿均是由于過電過而導致的,因此分斷過電壓必須滿足-定的條件,即必須和半導體器件允許反向峰值電壓相等或小于它的值。5.選擇額定分斷能力 湖北RS99A aR 660V/600AMIRO茗熔原廠庫存