2）對于音頻信號而言，由于高頻濾波電容C1的容量很小，它對音頻信號的容抗很大，相當于開路，所以音頻信號也不能被C1旁路到地線。3）對于高頻載波信號而言，其頻率很高，C1對它的容抗很小而呈通路狀態，這樣惟有檢波電路輸出端的高頻載波信號被C1旁路到地線，起到高頻濾波的作用。如圖9-51所示是檢波二極管導通后的三種信號電流回路示意圖。負載電阻構成直流電流回路，耦合電容取出音頻信號。圖9-51檢波二極管導通后三種信號電流回路示意圖4．故障檢測方法及電路故障分析對于檢波二極管不能用測量直流電壓的方法來進行檢測，因這這種二極管不工作在直流電壓中，所以要采用測量正向和反向電阻的方法來判斷檢波二極管質量。當檢波二極管開路和短路時，都不能完成檢波任務，所以收音電路均會出現收音無聲故障。5．實用倍壓檢波電路工作原理分析如圖9-52所示是實用倍壓檢波電路，電路中的C2和VD1、VD2構成二倍壓檢波電路，在收音機電路中用來將調幅信號轉換成音頻信號。電路中的C3是檢波后的濾波電容。通過這一倍壓檢波電路得到的音頻信號，經耦合電容C5加到音頻放大管中。圖9-52實用倍壓檢波電路繼電器驅動電路中二極管保護電路及故障處理繼電器內部具有線圈的結構。宏微整流二極管MMGT100J120UZ6C推薦聯系上海寅涵智能科技。寧夏西門康快恢復二極管代理貨源

半導體二極管：半導體二極管是指利用半導體特性的兩端電子器件。常見的半導體二極管是PN結型二極管和金屬半導體接觸二極管。它們的共同特點是伏安特性的不對稱性，即電流沿其一個方向呈現良好的導電性，而在相反方向呈現高阻特性。可用作為整流、檢波、穩壓、恒流、變容、開關、發光及光電轉換等。利用高摻雜PN結中載流子的隧道效應可制成超高頻放大或超高速開關的隧道二極管。正向特性即二極管正向偏置時的電壓與電流的關系。二極管兩端加正向電壓較小時，正向電壓產生的外電場不足以使多子形成擴散運動，這時的二極管實際上還沒有很好地導通，通常稱為"死區"，二極管相當于一個極大的電阻，正向電流很小。當正向電壓超過一定值后，內電場被削弱，多子在外電場的作用下形成擴散運動，這時，正向電流隨正向電壓的增大迅速增大，二極管導通。該電壓稱為門檻電壓(也稱閾值電壓)，用Vth表示。在室溫下，硅管的Vth約為0.5V，鍺管的Vth約為0.1V。二極管一旦導通后，隨著正向電壓的微小增加，正向電流會有極大的增加，此時二極管呈現的電阻很小，可認為二極管具有恒壓特性。甘肅西門康快恢復二極管廠家直供二極管具有單向導電的特點，可起到整流的作用；

[4]二極管發光二極管發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(LightEmittingDiode)。和普通二發光二極管極管相似，發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點，廣用于信號指示等電路中。[4]在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。[4]二極管特性參數編輯用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。[4]二極管伏安特性二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖所示[5]。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極?。划旊妷撼^，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示[4]。對于鍺二極管，開啟電壓為。

幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。[1]二極管原理發光二極管編輯發光二極管也是由一個PN結構成，具有單向導電性。但其正向工作電壓(開啟電壓)比普通二極管高，約為1～，反向擊穿電壓比普通二極管低，約5V左右。當正向電流達到1mA左右時開始發光，發光強度近似與工作電流成正比；但工作電流達到一定數值時，發光強度逐漸趨于飽和，與工作電流成非線性關系。一般小型發光二極管正向工作電流為10～20mA，大正向工作電流為30～50mA。發光二極管的外形可以做成矩形、圓形、字形、符號形等多種形狀，又有紅、綠、黃、橙、紅外等多種顏色。它具有體積小、功耗低、容易驅動、光效高、發光均勻穩定、響應速度快以及壽命長等特點，普遍用在指示燈及大屏幕顯示裝置中。上海寅涵智能科技是艾賽斯可控硅二極管專業進口廠商，種類齊全，價格優惠。

快速恢復整流二極管和超快恢復整流二極管在開關電源中作為整流器件使用時是否需要散熱器，要根據電路的大功率來決定。一般情況下，這些二極管在制造時允許的結溫在175℃，生產廠家對該指標都有技術說明，以提供給設計者去計算大的輸出工作電流、電壓及外殼溫度等。肖特基整流二極管即使在大的正向電流作用下，其正向壓降也很低，有，而且，隨著結溫的增加，其正向壓降更低，因此，使得肖特基整流二極管特別適用于5V左右的低電壓輸出電路中。肖特基整流二極管的反向恢復時間是可以忽略不計的，因為此器件是多數載流子半導體器件，在器件的開關過程中，沒有少數載流子存貯電荷的問題。肖特基整流二極管有兩大缺點：其一，反向截止電壓的承受能力較低，產品大約為100V;其二，反向漏電流較大，使得該器件比其他類型的整流器件更容易受熱擊穿。當然，這些缺點也可以通過增加瞬時過電壓保護電路及適當控制結溫來克服。表示出了典型的高速整流二極管的特性與參數。可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅；廣西橋式整流二極管快速發貨

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正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時。寧夏西門康快恢復二極管代理貨源