其**新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。**大通流能力已經可以達到180kA/30us，**高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發電流**大值為2000A，觸發電流上升率di/dt**大為1000A/us。但是此種開關所能承受的反向電壓較低，因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續發展的重要因素。一是控制功能上的欠缺，普通的晶閘管屬于半控型器件，通過門極（控制極）只能控制其開通而不能控制其關斷，導通后控制極即不再起作用，要關斷必須切斷電源，即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性，必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路，從而使裝置體積增大，成本增加，而且系統更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構，開通損耗大，工作頻率難以提高，限制了其應用范圍。1970年代末，隨著可關斷晶閘管（GTO）日趨成熟，成功克服了普通晶閘管的缺陷，標志著電力電子器件已經從半控型器件發展到全控型器件。按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。重慶IGBT單管可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存

1)斷態重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數值比正向轉折電壓小100V。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數值規定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個數值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時候，額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數。(3)額定通態平均電流(額定正向平均電流)IT在環境溫度不大于40oC和標準散熱即全導通的條件下，晶閘管元件可以連續通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內)的平均值，稱為額定通態平均電流IT，簡稱額定電流。(4)維持電流IH在規定的環境溫度和控制極斷路的條件下，維持元件繼續導通的**小電流稱為維持電流IH。一般為幾十毫安～一百多毫安，其數值與元件的溫度成反比，在120攝氏度時維持電流約為25攝氏度時的一半。當晶閘管的正向電流小于這個電流時，晶閘管將自動關斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型，應根據應用電路的具體要求合理選用。北京igbt供應商可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存寅涵供應原裝igbt芯片可控硅驅動模塊；

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數字移相觸發集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優點功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點2模塊規格3注意事項4模塊參數晶閘管智能模塊模塊特點編輯（1）本產品均采用全數字移相觸發集成電路，實現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控作用。（2）采用進口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進口貼片元件，保證觸發控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導熱性能好，熱循環負載次數高于國家標準近10倍；采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優良。（3）觸發控制電路、主電路和導熱底板相互隔離，導熱底板不帶電，絕緣強度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對稱性好，直流分量小。大規格模塊具有過熱、過流、缺相保護作用。（5）輸入0～10V直流控制信號或0～5V直流控制信號、4～20mA儀表信號，均可實現對主電路輸出電壓進行平滑調節；可手動、儀表或微機控制。（6）適用于阻性和感性負載。

WESTCODE英國西碼晶閘管  脈沖可控硅 可關斷可控硅

一、單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件與具有一個PN結的二極管相比，單向可控硅正向導通受控制極電流控制；與具有兩個PN結的三極管相比，差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。二、雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅，是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的（都從N層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極，而是把與控制極相近的叫做***電極A1，另一個叫做第二電極A2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向導通結束時，硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態的位置，必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關以及直流電機調速和換向等電路。 讓輸出電壓變得可調，也屬于晶閘管的一個典型應用。

600V西門康IGBT模塊西門康（SEMIKRON）技術資料選型參考:

SKM100GB063DSKM200GB063DSKM300GB063DGB

兩單元:SKM145GB066DSKM195GB066DSKM300GB066DSKM400GB066DSKM600GB066D1200V

西門康IGBT模塊GA一單元:SKM300GA123DSKM400GA123DSKM500GA123DSKM500GA123DSGB

兩單元元:SKM50GB123DSKM75GB123DSKM100GB123DSKM150GB123DSKM200GB123DSKM300GB123DSKM400GB123DGD

六單元:SKM22GD123DSKM40GD123DSKM75GD123DSKM40GDL123DSKM75GD123DLSKM75GDL123D 電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。湖北IGBT逆變器模塊可控硅（晶閘管）富士IGBT

其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。重慶IGBT單管可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內，如果vs的控制極不輸入觸發脈沖UG，vs仍不能接通。只有當U2處于正半周時，當觸發脈沖UG施加到控制極時，晶閘管才接通。現在，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當觸發脈沖UG到達時，負載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當UG到達較早時，晶閘管導通時間較早；UG到達較晚時，晶閘管導通時間較晚。通過改變觸發脈沖Ug在控制極上的到達時間，可以調節負載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術中，交流電的半周常被設定為180度，稱為電角。因此，在U2的每一個正半周期中，從零值到觸發脈沖到達時刻的電角稱為控制角α，每個正半周期中晶閘管導電的電角稱為導通角θ。顯然，α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內的通斷范圍。通過改變控制角度0或導通角theta，可通過改變負載上的脈沖直流電壓的平均ul來實現可控整流器。重慶IGBT單管可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存