載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流為5uA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。[4]二極管動態電阻二極管特性曲線靜態工作點附近電壓的變化與相應電流的變化量之比。[4]二極管電壓溫度系數電壓溫度系數指溫度每升高一攝氏度時的穩定電壓的相對變化量。[4]二極管高工作頻率高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結一樣，其結電容由勢壘電容組成。所以高工作頻率的值主要取決于PN結結電容的大小。若是超過此值。則單向導電性將受影響。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。河南igbt供應商可控硅（晶閘管）宏微全新原裝

4．可關斷晶閘管可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關斷晶閘管已廣用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發晶閘管，是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K），結構與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構成。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的，只是它對光源的波長有一定的要求，有選擇性。波長在0．8——0．9um的紅外線及波長在1um左右的激光，都是光控晶閘管較為理想的光源。晶閘管的應用晶閘管是一種開關元件，具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作。它基本的用途就是可控整流，其工作過程可以控制，具有體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優點。基于上述特點。河南igbt供應商可控硅（晶閘管）宏微全新原裝在使用過程中，晶閘管對過電壓是很敏感的。

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數字移相觸發集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優點功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點2模塊規格3注意事項4模塊參數晶閘管智能模塊模塊特點編輯（1）本產品均采用全數字移相觸發集成電路，實現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控作用。（2）采用進口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進口貼片元件，保證觸發控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導熱性能好，熱循環負載次數高于國家標準近10倍；采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優良。（3）觸發控制電路、主電路和導熱底板相互隔離，導熱底板不帶電，絕緣強度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對稱性好，直流分量小。大規格模塊具有過熱、過流、缺相保護作用。（5）輸入0～10V直流控制信號或0～5V直流控制信號、4～20mA儀表信號，均可實現對主電路輸出電壓進行平滑調節；可手動、儀表或微機控制。（6）適用于阻性和感性負載。

否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發，使得結溫迅速升高，終將導致結層被燒壞。產生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發電路發生故障，控制系統發生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰設備故障影響等。常用的晶閘管過電流保護方法是快速熔斷器。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險絲之前;不能用于保護晶閘管。埋銀保險石英砂內快速熔斷器，熔斷時間很短，它可以用來保護晶閘管。業績快速熔斷器主要有以下特征。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無同型號的晶閘管更換，可以通過選用中國與其工作性能設計參數相近的其他產品型號晶閘管來代換。在應用電路的設計中，通常有很大的余量。更換晶閘管時，只需注意其額定峰值電壓(重復峰值電壓)、額定電流(通態均勻電流)、柵極觸發電壓和柵極觸發電流，特別是這兩個指示器的額定峰值電壓和額定電流。代換晶閘管工作應與設備損壞或者晶閘管的開關發展速度…致。例如：在脈沖控制電路、高速逆變電路中使用的高速晶閘管進行損壞后，只能我們選用同類型的快速改變晶閘管，而不能用一個普通晶閘管來代換。大功率高頻可控硅通常用作工業中；高頻熔煉爐等。

晶閘管智能模塊模塊規格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規格時應留出適當裕量。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓、低輸出電壓）輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下（100度以上）工作。3、控制電源要求（1）電壓為DC12V±；紋波電壓≤30mV；輸出電流≥1A；（2）可以采用開關電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩壓電源）。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環境要求（1）工作場所環境溫度范圍：-25℃～+45℃。（2）模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。遼寧igbt驅動開關可控硅（晶閘管）富士IGBT

晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷，觸發導通，反向阻斷。河南igbt供應商可控硅（晶閘管）宏微全新原裝

按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。

（1）可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由PNPN四層組成。

（2）可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件：（1〕受正向陽極電壓；（2）受正向門極電壓。（3）可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時可控硅關斷。（4）可控硅的特性主要是：（1）陽極伏安特性曲線，（2）門極伏安特性區。（5）應在額定參數范圍內使用可控硅。 河南igbt供應商可控硅（晶閘管）宏微全新原裝