ITO導電玻璃穩定性:耐堿為浸入60℃、濃度為10%氫氧化鈉溶液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。耐酸為浸入250C、濃度為6%鹽酸溶液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。耐溶劑為在250C、二甲基酮、無水乙醇或100份去離子水加3分EC101配制成的清洗液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。附著力:在膠帶貼附在膜層表面并迅速撕下,膜層無損傷;或連撕三次后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。熱穩定性:在300°C的空氣中,加熱30分鐘后,ITO導電膜方塊電阻值應不大于原方塊電阻的300%。ITO酸性蝕刻液一般用于多層印制板的內層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作。蘇州無酸鈀網格黑化供應商
ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:堿性氯化銅蝕刻液。1、氯化銨含量的影響:通過蝕刻再生的化學反應可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蝕刻速率就會降低,以致失去蝕刻能力。所以,氯化銨的含量對蝕刻速率影響很大。隨著蝕刻的進行,要不斷補加氯化銨。2、Cu2+離子濃度的影響:Cu2+是氧化劑,所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關系表明:在0~82g/L時,蝕刻時間長;在82~120g/L時,蝕刻速率較低,且溶液控制困難;在135~165g/L時,蝕刻速率高且溶液穩定;在165~225g/L時,溶液不穩定,趨向于產生沉淀。蘇州銅黑化生產基地ITO蝕刻液可以說是通過侵蝕材料的特性來進行雕刻的一種液體。
ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:酸性氯化銅蝕刻液。1、Cu2+含量的影響。溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下,溶液中Cu2+濃度低于2mol/L時,蝕刻速率較低;在2mol/L時速率較高。隨著蝕刻反應的不斷進行,蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。當銅含量增加到一定濃度時,蝕刻速率就會下降。為了保持蝕刻液具有恒定的蝕刻速率,必須把溶液中的含銅量控制在一定的范圍內。2、Cu+含量的影響。根據蝕刻反應機理,隨著銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu+就會明顯的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個低的范圍內。
ITO導電膜玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎上,利用磁控濺射的方法沉積二氧化硅(SiO2)和氧化銦錫(通稱ITO)薄膜加工制作成的。ITO是一種具有良好透明導電性能的金屬化合物,具有禁帶寬、可見光譜區光透射率高和電阻率低等特性,普遍地應用于平板顯示器件、太陽能電池、特殊功能窗口涂層及其他光電器件領域,是目前LCD、PDP、OLED、觸摸屏等各類平板顯示器件獨特的透明導電電極材料。作為平板顯示器件的關鍵基礎材料,其隨著平板顯示器件的不斷更新和升級而具有更加廣闊的市場空間。ITO顯影液質量的優劣,直接影響電子產品的質量。
影響ITO酸性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素:Cl-含量的影響。溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關系,當鹽酸濃度升高時,蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3,并且能夠提高溶銅量。但是,鹽酸濃度不可超過6N,高于6N鹽酸的揮發量大且對設備腐蝕,并且隨著酸濃度的增加,氯化銅的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是:在氯化銅溶液中發生銅的蝕刻反應時,生成的Cu2Cl2不易溶于水,則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜,這種膜能夠阻止反應的進一步進行。過量的Cl-能與Cu2Cl2絡合形成可溶性的絡離子(CuCl3)2-,從銅表面上溶解下來,從而提高了蝕刻速率。ITO顯影劑可以一刷成像。江蘇顯示屏蝕刻藥劑廠家供貨
ITO顯影液的顯影速度與濃度成正比關系。蘇州無酸鈀網格黑化供應商
ITO蝕刻液的分類:已經使用的蝕刻液類型有六種類型:酸性氯化銅、堿性氯化銅、氯化鐵、過硫酸銨、硫酸/鉻酸、硫酸/雙氧水蝕刻液。酸性氯化銅,工藝體系,根據添加不同的氧化劑又可細分為氯化銅+空氣體系、氯化銅+氯酸鈉體系、氯化銅+雙氧水體系三種蝕刻工藝,在生產過程中通過補加鹽酸+空氣、鹽酸加氯酸鈉、鹽酸+雙氧水和少量的添加劑來實現線路板板的連續蝕刻生產。ITO蝕刻液由氟化銨、草酸、硫酸鈉、氫氟酸、硫酸、硫酸銨、甘油、水組成。蘇州無酸鈀網格黑化供應商
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