影響ITO酸性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素:1、Cu+含量的影響:根據蝕刻反應機理,隨著銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu+就會明顯的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個低的范圍內。2、Cu2+含量的影響:溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下,溶液中Cu2+濃度低于2mol/L時,蝕刻速率較低;在2mol/L時速率較高。隨著蝕刻反應的不斷進行,蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。當銅含量增加到一定濃度時,蝕刻速率就會下降。為了保持蝕刻液具有恒定的蝕刻速率,必須把溶液中的含銅量控制在一定的范圍內。ITO顯影液主要應用于半導體、顯示面板、太陽能電池等行業。寧波金屬發黑
ITO蝕刻液一般分為酸性蝕刻液和堿性蝕刻液兩種。酸性蝕刻液主要成分氯化銅、鹽酸、氯化鈉和氯化銨。它的機理是:酸性蝕刻液具有蝕刻速率易控制,蝕刻液在穩定狀態下能達到高的蝕刻質量的特性;同時,它的溶銅量大;酸性蝕刻液也較容易再生與回收,從而減少污染。有研究表明,酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3,以硝酸為基礎的蝕刻系統可以做到幾乎沒有側蝕,達到蝕刻的線條側壁接近垂直,其蝕刻效果非常好。結合以上特性,酸性蝕刻液一般用于多層印制板的內層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作。蘇州顯示屏蝕刻藥劑供應商ITO顯影液的濃度是指顯影劑的相對含量。
ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:堿性氯化銅蝕刻液。溶液pH值的影響。蝕刻液的pH值應保持在8.0~8.8之間,當pH值降到8.0以下時,一方面對金屬抗蝕層不利;另一方面,蝕刻液中的銅不能被完全絡合成銅氨絡離子,溶液要出現沉淀,并在槽底形成泥狀沉淀,這些泥狀沉淀能在加熱器上結成硬皮,可能損壞加熱器,還會堵塞泵和噴嘴,給蝕刻造成困難。如果溶液pH值過高,蝕刻液中氨過飽和,游離氨釋放到大氣中,導致環境污染;同時,溶液的pH值增大也會增大側蝕的程度,從而影響蝕刻的精度。
TIO蝕刻液的基本信息:(1)配方。①熱水12g,氟化銨15g,草酸8g,硫酸銨10g,甘油40g,硫酸鋇15g;②氟化銨15g,草酸7g,硫酸銨8g,硫酸鈉14g,甘油35g,水10g;③氫氟酸60(體積數,下同),硫酸10,水30。(2)配制方法。配制蝕刻液①和②時,將上述原料與60℃熱水混合,攪拌均勻即可。配置時不要使溶液濺到皮膚上,而且操作時應戴上口罩。配制蝕刻液③時,按配方將氫氟酸和硫酸混合,然后將混合液倒入水中(不能將水倒入混合液),并不斷攪拌。(3)使用方法。使用刻蝕液①或②時,把要蝕刻的玻璃洗凈、晾干,建議用電爐或紅外線燈將玻璃稍微加熱,以便于蝕刻。蝕刻時,用毛筆蘸蝕刻液書寫文字或圖案于玻璃上,2min蝕刻工作即完成。制作毛玻璃時,將玻璃洗凈、晾干,用刷子均勻涂上腐蝕液即可。ITO顯影液主要是用硫酸、硝酸及苯、甲醇、鹵化銀等硼酸、對苯二酚配合組成的一種特殊的用材。
ITO蝕刻液蝕刻過程中應注意的問題:減少側蝕和突沿,提高蝕刻系數側蝕產生突沿。通常印制板在蝕刻液中的時間越長,側蝕越嚴重。側蝕嚴重影響印制導線的精度,嚴重側蝕將使制作精細導線成為不可能。當側蝕和突沿降低時,蝕刻系數就升高,高的蝕刻系數表示有保持細導線的能力,使蝕刻后的導線接近原圖尺寸。電鍍蝕刻抗蝕劑無論是錫-鉛合金,錫,錫-鎳合金或鎳,突沿過度都會造成導線短路。因為突沿容易斷裂下來,在導線的兩點之間形成電的橋接。ITO蝕刻液在穩定狀態下能達到高的蝕刻質量的特性。蘇州TIO制程藥水供貨企業
ITO顯影劑是一種涂在玻璃上的納米技術。寧波金屬發黑
ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:酸性氯化銅蝕刻液。1、Cu2+含量的影響。溶液中的Cu2+含量對蝕刻速率有一定的影響。一般情況下,溶液中Cu2+濃度低于2mol/L時,蝕刻速率較低;在2mol/L時速率較高。隨著蝕刻反應的不斷進行,蝕刻液中銅的含量會逐漸增加。當銅含量增加到一定濃度時,蝕刻速率就會下降。為了保持蝕刻液具有恒定的蝕刻速率,必須把溶液中的含銅量控制在一定的范圍內。2、Cu+含量的影響。根據蝕刻反應機理,隨著銅的蝕刻就會形成一價銅離子。較微量的Cu+就會明顯的降低蝕刻速率。所以在蝕刻操作中要保持Cu+的含量在一個低的范圍內。寧波金屬發黑
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