ITO顯影劑的兩液顯液：兩液顯影主要作用是用于加強陰影部分的影紋，減低高影調部分的密度。曝光時，陰影部分須比正常提高一個區。如果膠片容易發灰，在溶液B中加入少量的10%溴化鉀溶液。底片上的高密度部分的厚度，主要依靠A溶液顯影時間的控制，底片進入溶液B以后，高密度部分的顯影作用已經停止了，但低密度的部分仍然繼續進行，溶液B可以調制的比較強，但是B溶液越強，顆粒就會越粗，所以這種沖洗法需要事前進行比較大量的試驗。ITO顯影液的主要成分是顯影劑。蘇州TIO蝕刻藥水供貨公司

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素：氯化鐵蝕刻液。1、Fe3+濃度的影響：Fe3+的濃度對蝕刻速率有很大的影響。蝕刻液中Fe3+濃度逐漸增加，對銅的蝕刻速率相應加快。當所含超過某一濃度時，由于溶液粘度增加，蝕刻速率反而有所降低。2、蝕刻液溫度的影響：蝕刻液溫度越高，蝕刻速率越快，溫度的選擇應以不損壞抗蝕層為原則，一般在40~50℃為宜。3、鹽酸添加量的影響：在蝕刻液中加入鹽酸，可以阻止FeCl3水解，并可提高蝕刻速率，尤其是當溶銅量達到37.4g/L后，鹽酸的作用更明顯。但是鹽酸的添加量要適當，酸度太高，會導致液態光致抗蝕劑涂層的破壞。4、蝕刻液的攪拌：靜止蝕刻的效率和質量都是很差的，原因是在蝕刻過程中在板面和溶液里會有沉淀生成，而使溶液呈暗綠色，這些沉淀會影響進一步的蝕刻。TIO蝕刻液生產商ITO顯影液在電子行業的一般要求是超凈和高純。

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素：堿性氯化銅蝕刻液。溶液pH值的影響。蝕刻液的pH值應保持在8.0~8.8之間，當pH值降到8.0以下時，一方面對金屬抗蝕層不利；另一方面，蝕刻液中的銅不能被完全絡合成銅氨絡離子，溶液要出現沉淀，并在槽底形成泥狀沉淀，這些泥狀沉淀能在加熱器上結成硬皮，可能損壞加熱器，還會堵塞泵和噴嘴，給蝕刻造成困難。如果溶液pH值過高，蝕刻液中氨過飽和，游離氨釋放到大氣中，導致環境污染；同時，溶液的pH值增大也會增大側蝕的程度，從而影響蝕刻的精度。

影響ITO蝕刻液側蝕的因素很多，下面概述幾點：1）蝕刻方式：浸泡和鼓泡式蝕刻會造成較大的側蝕，潑濺和噴淋式蝕刻側蝕較小，尤以噴淋蝕刻效果較好。2）蝕刻液的種類：不同的蝕刻液化學組分不同，其蝕刻速率就不同，蝕刻系數也不同。例如：酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數通常為3，堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數可達到4。近來的研究表明，以硝酸為基礎的蝕刻系統可以做到幾乎沒有側蝕，達到蝕刻的線條側壁接近垂直。這種蝕刻系統正有待于開發。ITO顯影液在市場上銷售的多是濃縮型液體。

ITO顯影液的濃度是指顯影劑的相對含量，即NaOH、Na2SiO3總含量。市場上銷售的顯影液多是濃縮型液體，使用時需要按比例稀釋，顯影液的濃度多以顯影液的稀釋比來表示。在其他條件不變的前提下，顯影速度與顯影液濃度成正比關系，即顯影液濃度越大，顯影速度越快。當溫度22℃，顯影時間為60秒時，PD型顯影液濃度對PS版性能的影響。當顯影液濃度過大時，往往因顯影速度過快而使顯影操作不易控制；特別是它對圖文基礎的腐蝕性增強，容易造成網點縮小、殘損、亮調小網點丟失及減薄涂層，從而造成耐印力下降等弊病；同時空白部位的氧化膜和封孔層也會受到腐蝕和破壞，版面出現發白現象，使印版的親水性和耐磨性變差。顯影液濃度大，還易有結晶析出。當顯影液的濃度偏低時，堿性弱，顯影速度慢，易出現顯影不凈、版面起臟、暗調小白點糊死等現象。ITO蝕刻液是一種無色透明的液體。蘇州TIO顯影藥劑現貨

ITO顯影液是半導體、顯示面板、太陽能電池制作過程中關鍵的原材料之一。蘇州TIO蝕刻藥水供貨公司

TIO蝕刻液的基本信息：（1）配方。①熱水12g，氟化銨15g，草酸8g，硫酸銨10g，甘油40g，硫酸鋇15g；②氟化銨15g，草酸7g，硫酸銨8g，硫酸鈉14g，甘油35g，水10g；③氫氟酸60（體積數，下同），硫酸10，水30。（2）配制方法。配制蝕刻液①和②時，將上述原料與60℃熱水混合，攪拌均勻即可。配置時不要使溶液濺到皮膚上，而且操作時應戴上口罩。配制蝕刻液③時，按配方將氫氟酸和硫酸混合，然后將混合液倒入水中（不能將水倒入混合液），并不斷攪拌。（3）使用方法。使用刻蝕液①或②時，把要蝕刻的玻璃洗凈、晾干，建議用電爐或紅外線燈將玻璃稍微加熱，以便于蝕刻。蝕刻時，用毛筆蘸蝕刻液書寫文字或圖案于玻璃上，2min蝕刻工作即完成。制作毛玻璃時，將玻璃洗凈、晾干，用刷子均勻涂上腐蝕液即可。蘇州TIO蝕刻藥水供貨公司

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