TIO蝕刻液的原料:①氟化銨:分子式為NH4F,白色晶體,易潮解,易溶于水和甲醇,較難溶于乙醇,能升華,在蝕刻液中起腐蝕作用,一般選用工業(yè)產(chǎn)品。②草酸:在蝕刻液中作還原劑使用,一般選用工業(yè)產(chǎn)品。③硫酸鈉:在蝕刻液中作為填充劑使用,一般選用工業(yè)產(chǎn)品。④氫氟酸:即氟化氫的水溶液,為無色液體,能在空氣中發(fā)煙,有強烈腐蝕性和毒性,能侵蝕玻璃,需貯存于鉛制、蠟制或塑料容器中,可作為蝕刻玻璃的主要原料,一般選用工業(yè)品。⑤硫酸:純品為無色油狀液體,含雜質(zhì)時呈黃、棕等色。用水稀釋時,應(yīng)將濃硫酸慢慢注入水中,并隨時攪和,而不能將水倒入濃硫酸中,以防濃硫酸飛濺而引發(fā)事故,可作為腐蝕助劑,一般選用工業(yè)品。⑥硫酸銨:一般選用工業(yè)品。⑦甘油:一般選用工業(yè)品。⑧水:自來水。ITO蝕刻液是一種銅版畫雕刻用原料。TIO蝕刻藥劑哪家好
ITO酸性蝕刻液用途可用于多層印制板的內(nèi)層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作;而堿性蝕刻液一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作及純錫印制板的蝕刻。而總的來說,堿性與酸性蝕刻液用途要權(quán)衡對抗蝕層的破壞情況、蝕刻速度,溶液再生及銅的回收、環(huán)境保護及經(jīng)濟效果等各方面的影響因素選擇合適的試劑。ITO酸性蝕刻液的蝕刻速率易控制,蝕刻液在穩(wěn)定狀態(tài)下能達到高的蝕刻質(zhì)量;溶銅量大;蝕刻液容易再生與回收,從而減少污染;而堿性蝕刻液的蝕刻速率快,側(cè)蝕小;溶銅能力高,蝕刻容易控制;蝕刻液能連續(xù)再生循環(huán)使用,成本低。江蘇網(wǎng)格發(fā)黑供應(yīng)ITO顯影液的主要成分是顯影劑。
ITO膜層的主要成份是氧化銦錫。在厚度只有幾千埃的情況下,氧化銦透過率高,氧化錫導(dǎo)電能力強,液晶顯示器所用的ITO玻璃正是一種具有高透過率的導(dǎo)電玻璃。由于ITO具有很強的吸水性,所以會吸收空氣中的水份和二氧化碳并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而變質(zhì),俗稱“霉變”,因此在存放時要防潮。ITO層在活性正價離子溶液中易產(chǎn)生離子置換反應(yīng),形成其它導(dǎo)電和透過率不佳的反應(yīng)物質(zhì),所以在加工過程中,盡量避免長時間放在活性正價離子溶液中。ITO層由很多細小的晶粒組成,晶粒在加溫過程中會裂變變小,從而增加更多晶界,電子突破晶界時會損耗一定的能量,所以ITO導(dǎo)電玻璃的ITO層在600度以下會隨著溫度的升高,電阻也增大。
影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素:溶液pH值的影響。蝕刻液的pH值應(yīng)保持在8.0~8.8之間,當(dāng)pH值降到8.0以下時,一方面對金屬抗蝕層不利;另一方面,蝕刻液中的銅不能被完全絡(luò)合成銅氨絡(luò)離子,溶液要出現(xiàn)沉淀,并在槽底形成泥狀沉淀,這些泥狀沉淀能在加熱器上結(jié)成硬皮,可能損壞加熱器,還會堵塞泵和噴嘴,給蝕刻造成困難。如果溶液pH值過高,蝕刻液中氨過飽和,游離氨釋放到大氣中,導(dǎo)致環(huán)境污染;同時,溶液的pH值增大也會增大側(cè)蝕的程度,從而影響蝕刻的精度。ITO蝕刻液可以說是通過侵蝕材料的特性來進行雕刻的一種液體。
ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:酸性氯化銅蝕刻液。Cl-含量的影響。溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關(guān)系,當(dāng)鹽酸濃度升高時,蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3,并且能夠提高溶銅量。但是,鹽酸濃度不可超過6N,高于6N鹽酸的揮發(fā)量大且對設(shè)備腐蝕,并且隨著酸濃度的增加,氯化銅的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是:在氯化銅溶液中發(fā)生銅的蝕刻反應(yīng)時,生成的Cu2Cl2不易溶于水,則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜,這種膜能夠阻止反應(yīng)的進一步進行。過量的Cl-能與Cu2Cl2絡(luò)合形成可溶性的絡(luò)離子(CuCl3)2-,從銅表面上溶解下來,從而提高了蝕刻速率。ITO酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3。觸摸屏生產(chǎn)藥水供貨公司
ITO顯影液的市場需求會隨著電子行業(yè)的快速發(fā)展而不斷增長。TIO蝕刻藥劑哪家好
ITO導(dǎo)電玻璃穩(wěn)定性:耐堿為浸入60℃、濃度為10%氫氧化鈉溶液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。耐酸為浸入250C、濃度為6%鹽酸溶液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。耐溶劑為在250C、二甲基酮、無水乙醇或100份去離子水加3分EC101配制成的清洗液中5分鐘后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。附著力:在膠帶貼附在膜層表面并迅速撕下,膜層無損傷;或連撕三次后,ITO層方塊電阻變化值不超過10%。熱穩(wěn)定性:在300°C的空氣中,加熱30分鐘后,ITO導(dǎo)電膜方塊電阻值應(yīng)不大于原方塊電阻的300%。TIO蝕刻藥劑哪家好
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