金屬整體熱處理大致有退火、正火、淬火和回火四種基本工藝。退火→將工件加熱到適當溫度，根據材料和工件尺寸采用不同的保溫時間，然后進行緩慢冷卻(冷卻速度慢)，目的是使金屬內部組織達到平衡狀態，獲得良好的工藝性能和使用性能，或者為進一步淬火作組織準備。正火→將工件加熱到適宜的溫度后在空氣中冷卻，正火的效果同退火相似，只是得到的組織更細，常用于改善材料的切削性能，也有時用于對一些要求不高的零件作為熱處理。淬火→將工件加熱保溫后，在水、油或其它無機鹽、有機水溶液等淬冷介質中快速冷卻。淬火后鋼件變硬，但同時變脆。回火→為了降低鋼件的脆性，將淬火后的鋼件在高于室溫而低于710℃的某一適當溫度進行長時間的保溫，再進行冷卻，退火、正火、淬火、回火是整體熱處理中的“四把火”，其中的淬火與回火關系密切，常常配合使用，缺一不可。箱體閉合松緊能調節，整體成型的硅橡膠門封圈，確保箱內高真空度。嘉興進口數顯真空烘箱監控系統

    為獲得平坦而均勻的光刻膠涂層并使光刻膠與晶片之間有良好的黏附性，通常在涂膠前對晶片進行預處理。預處理第一步常是脫水烘烤，在真空或干燥氮氣的機臺中，以150～200℃烘烤。工藝目的是除去晶片表面吸附的水分，在此溫度下，晶片表面大約保留了一個單分子層的水。涂膠后，晶片須經過一次烘烤，稱之軟烘或前烘。工藝作用是除去膠中大部分溶劑并使膠的曝光特性固定。通常，軟烘時間越短或溫度越低會使得膠在顯影劑中的溶解速率增加且感光度更高，但對比度會有降低。實際上軟烘工藝需要通過優化對比度而保持可接受感光度的試湊法用實驗確定，典型的軟烘溫度是90～100℃，時間從用熱板的30秒到用烘箱的30分鐘。在晶片顯影后，為了后面的高能工藝，如離子注入和等離子體刻蝕，也須對晶片進行高溫烘烤，稱之后烘或硬烘。這一工藝目的在于：減少駐波效應；激發化學增強光刻膠PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。 杭州無塵埃破壞真空烘箱規格尺寸主要適用于對熱敏性物料和含有容劑及需回收溶劑物料的干燥。

真空烘箱的真空泵-維護保養1、經常檢查油位位置，不符合規定時須調整使之符合要求。以真空泵運轉時，油位到油標中心為準。2、經常檢查油質情況，發現油變質應及時更換新油，確保真空泵工作正常。3、換油期限按實際使用條件和能否滿足性能要求等情況考慮，由用戶酌情決定。一般新真空泵，抽除清潔干燥的氣體時，建議在工作100小時左右換油一次。待油中看不到黑色金屬粉末后，以后可適當延長換油期限。4、一般情況下，真空泵工作2000小時后應進行檢修，檢查桷膠密封件老化程度，檢查排氣閥片是否開裂，清理沉淀在閥片及排氣閥座上的污物。清洗整個真空泵腔內的零件，如轉子、旋片、彈簧等。一般用汽油清洗，并烘干。對橡膠件類清洗后用干布擦干即可。清洗裝配時應輕拿輕放小心碰傷。

從結構上分析，一般的干燥箱外殼都是采用冷軋鋼板制造，但是從厚度上將，差別卻很大。由于真空干燥箱里面的真空環境，為防止大氣壓壓壞箱體，其外殼厚度要較鼓風干燥箱大些許，一般是選擇鋼板越厚質量越好，使用壽命也越長。為便于觀察，在干燥箱的箱門都設有玻璃窗，一般有鋼化玻璃和鑲嵌門上的普通玻璃，杭州宏譽智能科技有限公司生產干燥箱箱門全部采用鋼化玻璃，雖價格稍貴，但是外觀漂亮，對于操作人員的安全更是有力的保障。雙數字顯示和PID自整定功能，控溫精確可靠。

    COB生產流程：晶粒進料→晶粒檢測→清洗PCB→點膠→粘晶粒→烘烤→打線→過境→OTP燒錄→封膠→測試→QC抽檢→入庫。其中烘烤這一環節是很重要的一步之一，烘烤的目的是將前一道的工序中的膠烘干，使得IC在PCB上粘牢，以確保下一道工序中IC在打線過程中不會移動。不同的膠需要的烘烤時間和溫度也是不一樣的。缺氧膠烘烤溫度90度烘烤10分鐘，銀膠烘烤溫度120度烘烤90分鐘，紅膠烘烤溫度120度烘烤30分鐘。無塵烘箱主要應用于半導體晶圓片光刻涂膠鍍膜前的基片清洗后的前烘烤(Prebaking)、涂膠后的軟烘焙Softbaking)，曝光、顯影后的堅膜硬烘（Hardbaking)等工藝，適用半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃等材料的潔凈、防氧化烘烤，亦可用于LCD、TFT、COMS、生物、醫藥、光學鍍膜、精密元件干燥等生產工藝以及研發機構。 整體成型硅橡密封圈，高真空度密封。溫州整體成型硅橡密封圈真空烘箱定制

真空泵要停止使用時，先關閉閘閥、壓力表，然后停止電機。嘉興進口數顯真空烘箱監控系統

一般的電熱（鼓風）干燥箱均設有溫度均勻度參數：自然對流式的干燥箱為工作溫度上限乘3%，強制對流式的干燥箱為工作溫度上限乘2.5%。惟獨電熱真空干燥箱不設溫度均勻度參數，這是因為真空干燥箱內依靠氣體分子運動使工作室溫度達到均勻的可能性幾乎已經沒有了。因此，從概念上我們就不能再把通常電熱（鼓風）干燥箱所規定的溫度均勻度定義用到真空干燥箱上來。在真空狀態下設這個指標也是沒有意義的。熱輻射的量與距離的平方成反比。同一個物體，距離加熱壁20cm處所接受的輻射熱只是距離加熱壁10cm處的1/4。差異很大。這種現象與冬天曬太陽時，曬到太陽的一面很暖和，曬不到太陽的一面比較冷是一個道理。由于真空干燥箱在結構上很難做到使工作室三維空間內的各點輻射熱的均勻一致，同時也缺乏好的評估方法，這有可能是電熱真空干燥箱標準中不設溫度均勻度參數的原因。嘉興進口數顯真空烘箱監控系統