由于CMOS圖像傳感器可以比CCD圖像傳感器轉移更多的通用半導體制造設備，因此與CCD圖像傳感器相比，它們的生產成本基本上更低。因此，它在廉價的數碼相機和數碼攝像機領域得到了積極的應用，在高價設備中，它在1980年代和1990年代初被日立的攝像機使用。另一方面，大多數所謂的網絡攝像機和用于視頻聊天等的移動電話攝像機都裝有CMOS，并且根據YanoResearchInstitute的一項調查，在移動電話上安裝攝像機功能已經變得很普遍。在2004年它是在出貨CCD圖像傳感器拔出。近年來，由于它比CCD消耗的功率少，因此已越來越多地用于數字單鏡頭反光照相機。自2004年春季以來，佳能已采用CMOS圖像傳感器，該傳感器可為所有數字SLR機型內部開發和制造，而CCD圖像傳感器則依賴于其他公司生產。此外，尼康和索尼數碼單反相機都采用了自己的CMOS。索尼和佳能也在小型高清攝像機中使用CMOS圖像傳感器供消費者使用。 CMOS傳感器憑借其在通過更小的像素尺寸獲得更高分辨率、降低噪聲優越性在醫療領域得到越來越的應用。湖北記錄儀AR0221供應商家

在CMOS圖像傳感器芯片上還可以集成其他數字信號處理電路，如AD轉換器、自動曝光量控制、非均勻補償、白平衡處理、黑電平控制、伽瑪校正等，為了進行快速計算甚至可以將具有可編程功能的DSP器件與CMOS器件集成在一起，從而組成單片數字相機及圖像處理系統。1963年Morrison發表了可計算傳感器，這是一種可以利用光導效應測定光斑位置的結構，成為CMOS圖像傳感器發展的開端。1995年低噪聲的CMOS有源像素傳感器單片數字相機獲得成功。.中國臺灣車載攝像頭AR0221AR0221傳感器以4通道 MIPI CSI-2 和 HiSPi SLVS 的形式提供雙數據接口。

影響性能因素：暗電流 -物理器件不可能是理想的，如同亞閾值效應一樣，由于雜質、受熱等其他原因的影響，即使沒有光照射到象素，象素單元也會產生電荷，這些電荷產生了暗電流。暗電流與光照產生的電荷很難進行區分。暗電流在像素陣列各處也不完全相同，它會導致固定圖形噪聲。對于含有積分功能的像素單元來說，暗電流所造成的固定圖形噪聲與積分時間成正比。暗電流的產生也是一個隨機過程，它是散彈噪聲的一個來源。因此，熱噪聲元件所產生的暗電流大小等于像素單元中的暗電流電子數的平方根。當長時間的積分單元被采用時，這種類型的噪聲就變成了影響圖像信號質量的主要因素，對于昏暗物體，長時間的積分是必要的，并且像素單元電容容量是有限的，于是暗電流電子的積累限制了積分的比較長時間。為減少暗電流對圖像信號的影響，首先可以采取降溫手段。但是，單對芯片降溫是遠遠不夠的，由暗電流產生的固定圖形噪聲不能完全通過雙采樣克服。采用的有效的方法是從已獲得的圖像信號中減去參考暗電流信號。

AR0221提供出色的3重曝光行交錯式高動態范圍（HDR），傳感器分辨率為1936Hx1096V，支持1080p/30fps的幀速率，以及可見的、近紅外波長內出色的信噪比（SNR）。其16：9的比例，具有鮮艷的色彩和高對比度，使其成為要求嚴苛的工業應用的理想選擇。安森美半導體圖像傳感器消費方案分部副總裁兼總經理GianlucaColli表示：“AR0221表示了這一類別中行業比較好的CMOS圖像傳感器，這歸功于其的微光靈敏度和信噪比性能。通過包括窗口、自動黑電平校準和板載溫度傳感器等功能，安森美半導體打造了一款將能實現新一代安防及監控相機的圖像傳感器。”除手機領域以外，用于汽車的 CMOS 圖像傳感器發展十分迅速。

每一個CMOS像素都包括感光二極管、浮動式擴散層、傳輸電極門、起放大作用的MOSFET、起像素選擇開關作用的MOSFET.在CMOS的曝光階段，感光二極管完成光電轉換，產生信號電荷，曝光結束后，傳輸電極門打開，信號電荷被傳送到浮動式擴散層，由起放大作用的MOSFET電極門來拾取，電荷信號轉換為電壓信號。所以這樣的CMOS也就完成了光電轉換、電荷電壓轉換、模擬數字轉換的三大作用，通過它我們就能把光信號轉化為電信號，較終得到數字信號被計算機讀取，這樣，我們就已經擁有了記錄光線明暗的能力。1995年2月，Photobit公司成立，將CMOS圖像傳感器技術實現商業化。上海夜視儀芯片AR0221

CMOS圖像傳感器是一種典型的固體成像傳感器，與CCD有著共同的歷史淵源。湖北記錄儀AR0221供應商家

CMOS數字圖像傳感器參數值：●光學格式:1/1.7英寸(9.298毫米，對角線)●活動像素:1928(H)x1088(V)，16:9●像素大小:4.2μmx4.2μmBSI●主射線角度:0°(見注)●彩色濾鏡陣列:RGB拜耳●快門類型:電子卷簾快門●輸入時鐘范圍:6-50mhz●輸出時鐘:比較大80mhz●輸出接口:4/2車道MIPI/HiSPi●幀率，1080p:60fps，線性模式30幀/秒，3曝光線交錯HDR●反應性:58.89克/勒克斯*s●SNRMAX:41.2dB●比較大動態范圍:66db，線性模式122db，估計3次曝光LIMHDR●電源電壓:I/O:1.8或2.8V數字:1.2V模擬:2.8VMIPI:1.2V●功耗(典型的):300mw,1080p,60fps線性模式，HiSPi284mw,1080p60fps線性模式，MIPI369mW,1080p30fps3曝光LIMHDR,HiSPi365mw,1080p30fps3曝光LIMHDR,MIPI●工作溫度-30°C至+85°C(結)●封裝:87-iBGA12×9毫米●注意:可容納鏡頭CRA高達20°。湖北記錄儀AR0221供應商家

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